電壓緩沖電路請教
請教在用在MOSFET上的電壓緩沖電路,如在開關(guān)管兩端并聯(lián)RCD 緩沖電路,請問何謂RCD 緩沖電路,其具體電路是什么樣的?還有別的典型緩沖電路嗎(除了RC),在這些緩沖回路中的R和C的取值要注意什么?能否算出?
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對于MOSFET,工作時(shí)候與變壓器原邊串聯(lián),由于變壓器漏感和MOSFET較大的開通電容的影響,使得其關(guān)斷時(shí)候會(huì)承受一個(gè)很高的電壓尖峰.
為了減小這個(gè)尖峰,我們使用RCD緩沖電路.如圖:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/21/1094768530.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
RCD電路有很多類型:純粹的RCD,帶回饋電感的RCD,帶回饋?zhàn)儔浩鞯腞CD.后邊兩種都是為了將消耗在R上的能量轉(zhuǎn)化為電磁能量回饋電網(wǎng)減小損耗.
RCD工作時(shí)候,由于釬位關(guān)系將開關(guān)管兩端電壓限制在2Vdc,C使得開關(guān)管集電極或者漏級電壓上升速度減緩.之后C通過電阻R放電,或者將能量轉(zhuǎn)移到電感或變壓器中最終回饋電網(wǎng).
C的取值需要足夠的大,使得開關(guān)管電壓上升速度足夠緩慢,保證開關(guān)管不受到?jīng)_擊.而C因?yàn)閾p耗的原因也不能太大,而R的大小沒有特別要求,R越小,C的放電速度越快.只需要在Ton的時(shí)間內(nèi)保證C在下次開關(guān)管關(guān)斷時(shí)候放完電荷就可以了.
有什么問題,再討論.
為了減小這個(gè)尖峰,我們使用RCD緩沖電路.如圖:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/21/1094768530.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
RCD電路有很多類型:純粹的RCD,帶回饋電感的RCD,帶回饋?zhàn)儔浩鞯腞CD.后邊兩種都是為了將消耗在R上的能量轉(zhuǎn)化為電磁能量回饋電網(wǎng)減小損耗.
RCD工作時(shí)候,由于釬位關(guān)系將開關(guān)管兩端電壓限制在2Vdc,C使得開關(guān)管集電極或者漏級電壓上升速度減緩.之后C通過電阻R放電,或者將能量轉(zhuǎn)移到電感或變壓器中最終回饋電網(wǎng).
C的取值需要足夠的大,使得開關(guān)管電壓上升速度足夠緩慢,保證開關(guān)管不受到?jīng)_擊.而C因?yàn)閾p耗的原因也不能太大,而R的大小沒有特別要求,R越小,C的放電速度越快.只需要在Ton的時(shí)間內(nèi)保證C在下次開關(guān)管關(guān)斷時(shí)候放完電荷就可以了.
有什么問題,再討論.
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@jurda
對于MOSFET,工作時(shí)候與變壓器原邊串聯(lián),由于變壓器漏感和MOSFET較大的開通電容的影響,使得其關(guān)斷時(shí)候會(huì)承受一個(gè)很高的電壓尖峰.為了減小這個(gè)尖峰,我們使用RCD緩沖電路.如圖:[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/21/1094768530.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">RCD電路有很多類型:純粹的RCD,帶回饋電感的RCD,帶回饋?zhàn)儔浩鞯腞CD.后邊兩種都是為了將消耗在R上的能量轉(zhuǎn)化為電磁能量回饋電網(wǎng)減小損耗.RCD工作時(shí)候,由于釬位關(guān)系將開關(guān)管兩端電壓限制在2Vdc,C使得開關(guān)管集電極或者漏級電壓上升速度減緩.之后C通過電阻R放電,或者將能量轉(zhuǎn)移到電感或變壓器中最終回饋電網(wǎng).C的取值需要足夠的大,使得開關(guān)管電壓上升速度足夠緩慢,保證開關(guān)管不受到?jīng)_擊.而C因?yàn)閾p耗的原因也不能太大,而R的大小沒有特別要求,R越小,C的放電速度越快.只需要在Ton的時(shí)間內(nèi)保證C在下次開關(guān)管關(guān)斷時(shí)候放完電荷就可以了.有什么問題,再討論.
謝謝jurda的回答,有機(jī)會(huì)還向你多多請教.
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@jurda
對于MOSFET,工作時(shí)候與變壓器原邊串聯(lián),由于變壓器漏感和MOSFET較大的開通電容的影響,使得其關(guān)斷時(shí)候會(huì)承受一個(gè)很高的電壓尖峰.為了減小這個(gè)尖峰,我們使用RCD緩沖電路.如圖:[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/21/1094768530.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">RCD電路有很多類型:純粹的RCD,帶回饋電感的RCD,帶回饋?zhàn)儔浩鞯腞CD.后邊兩種都是為了將消耗在R上的能量轉(zhuǎn)化為電磁能量回饋電網(wǎng)減小損耗.RCD工作時(shí)候,由于釬位關(guān)系將開關(guān)管兩端電壓限制在2Vdc,C使得開關(guān)管集電極或者漏級電壓上升速度減緩.之后C通過電阻R放電,或者將能量轉(zhuǎn)移到電感或變壓器中最終回饋電網(wǎng).C的取值需要足夠的大,使得開關(guān)管電壓上升速度足夠緩慢,保證開關(guān)管不受到?jīng)_擊.而C因?yàn)閾p耗的原因也不能太大,而R的大小沒有特別要求,R越小,C的放電速度越快.只需要在Ton的時(shí)間內(nèi)保證C在下次開關(guān)管關(guān)斷時(shí)候放完電荷就可以了.有什么問題,再討論.
請問,當(dāng)RC時(shí)間常數(shù)確定后,是R值大的時(shí)候損耗大還是C值大的時(shí)候損耗大?
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@jurda
對于MOSFET,工作時(shí)候與變壓器原邊串聯(lián),由于變壓器漏感和MOSFET較大的開通電容的影響,使得其關(guān)斷時(shí)候會(huì)承受一個(gè)很高的電壓尖峰.為了減小這個(gè)尖峰,我們使用RCD緩沖電路.如圖:[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/21/1094768530.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">RCD電路有很多類型:純粹的RCD,帶回饋電感的RCD,帶回饋?zhàn)儔浩鞯腞CD.后邊兩種都是為了將消耗在R上的能量轉(zhuǎn)化為電磁能量回饋電網(wǎng)減小損耗.RCD工作時(shí)候,由于釬位關(guān)系將開關(guān)管兩端電壓限制在2Vdc,C使得開關(guān)管集電極或者漏級電壓上升速度減緩.之后C通過電阻R放電,或者將能量轉(zhuǎn)移到電感或變壓器中最終回饋電網(wǎng).C的取值需要足夠的大,使得開關(guān)管電壓上升速度足夠緩慢,保證開關(guān)管不受到?jīng)_擊.而C因?yàn)閾p耗的原因也不能太大,而R的大小沒有特別要求,R越小,C的放電速度越快.只需要在Ton的時(shí)間內(nèi)保證C在下次開關(guān)管關(guān)斷時(shí)候放完電荷就可以了.有什么問題,再討論.
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@jurda
對于MOSFET,工作時(shí)候與變壓器原邊串聯(lián),由于變壓器漏感和MOSFET較大的開通電容的影響,使得其關(guān)斷時(shí)候會(huì)承受一個(gè)很高的電壓尖峰.為了減小這個(gè)尖峰,我們使用RCD緩沖電路.如圖:[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/21/1094768530.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">RCD電路有很多類型:純粹的RCD,帶回饋電感的RCD,帶回饋?zhàn)儔浩鞯腞CD.后邊兩種都是為了將消耗在R上的能量轉(zhuǎn)化為電磁能量回饋電網(wǎng)減小損耗.RCD工作時(shí)候,由于釬位關(guān)系將開關(guān)管兩端電壓限制在2Vdc,C使得開關(guān)管集電極或者漏級電壓上升速度減緩.之后C通過電阻R放電,或者將能量轉(zhuǎn)移到電感或變壓器中最終回饋電網(wǎng).C的取值需要足夠的大,使得開關(guān)管電壓上升速度足夠緩慢,保證開關(guān)管不受到?jīng)_擊.而C因?yàn)閾p耗的原因也不能太大,而R的大小沒有特別要求,R越小,C的放電速度越快.只需要在Ton的時(shí)間內(nèi)保證C在下次開關(guān)管關(guān)斷時(shí)候放完電荷就可以了.有什么問題,再討論.
請問后邊兩種,帶回饋電感的RCD,帶回饋?zhàn)儔浩鞯腞CD是怎樣的原理.請大蝦說說
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@jurda
對于MOSFET,工作時(shí)候與變壓器原邊串聯(lián),由于變壓器漏感和MOSFET較大的開通電容的影響,使得其關(guān)斷時(shí)候會(huì)承受一個(gè)很高的電壓尖峰.為了減小這個(gè)尖峰,我們使用RCD緩沖電路.如圖:[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/21/1094768530.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">RCD電路有很多類型:純粹的RCD,帶回饋電感的RCD,帶回饋?zhàn)儔浩鞯腞CD.后邊兩種都是為了將消耗在R上的能量轉(zhuǎn)化為電磁能量回饋電網(wǎng)減小損耗.RCD工作時(shí)候,由于釬位關(guān)系將開關(guān)管兩端電壓限制在2Vdc,C使得開關(guān)管集電極或者漏級電壓上升速度減緩.之后C通過電阻R放電,或者將能量轉(zhuǎn)移到電感或變壓器中最終回饋電網(wǎng).C的取值需要足夠的大,使得開關(guān)管電壓上升速度足夠緩慢,保證開關(guān)管不受到?jīng)_擊.而C因?yàn)閾p耗的原因也不能太大,而R的大小沒有特別要求,R越小,C的放電速度越快.只需要在Ton的時(shí)間內(nèi)保證C在下次開關(guān)管關(guān)斷時(shí)候放完電荷就可以了.有什么問題,再討論.
謝謝
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