小弟最近在測試一款基于Avago ACPL339J 的IGBT驅(qū)動，門極開通電阻為5歐姆，關(guān)斷電阻為2.5歐姆，現(xiàn)發(fā)現(xiàn)門極波形關(guān)斷時延遲較大，同時開通時波形也不是特別理想。求各位大神幫忙分析一下原因，小弟在此不甚感激！
IGBT驅(qū)動關(guān)斷延遲較大
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@rj44444
IGBT的電流拖尾效應(yīng)，這個很難達(dá)到理想
IR 公司的開發(fā)重點(diǎn)在于減少IGBT 的拖尾效應(yīng)，使其能快速關(guān)斷，其研制的超快速IGBT 可最大限度地減小拖尾效應(yīng)，關(guān)斷時間不超過2000ns。采用特殊高能照射分層技術(shù)，關(guān)斷時間不超過100ns，拖尾更短[1]。
IR公司在IGBT基礎(chǔ)上推出兩款結(jié)合FRD（快速恢復(fù)二極管）的新型器件，IGBT/FRD有效結(jié)合，將轉(zhuǎn)換狀態(tài)的損耗減少20%，采用TO—247外型封裝，額定規(guī)格為1200V、25、50、75、100A，用于電機(jī)驅(qū)動和功率轉(zhuǎn)換，以IGBT及FRD為基礎(chǔ)的新技術(shù)便于器件并聯(lián)，在多芯片模塊中實(shí)現(xiàn)更均勻的溫度，進(jìn)步整體可靠性。
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@SKY丶輝煌
IR公司的開發(fā)重點(diǎn)在于減少IGBT的拖尾效應(yīng)，使其能快速關(guān)斷，其研制的超快速IGBT可最大限度地減小拖尾效應(yīng)，關(guān)斷時間不超過2000ns。采用特殊高能照射分層技術(shù)，關(guān)斷時間不超過100ns，拖尾更短[1]。IR公司在IGBT基礎(chǔ)上推出兩款結(jié)合FRD（快速恢復(fù)二極管）的新型器件，IGBT/FRD有效結(jié)合，將轉(zhuǎn)換狀態(tài)的損耗減少20%，采用TO—247外型封裝，額定規(guī)格為1200V、25、50、75、100A，用于電機(jī)驅(qū)動和功率轉(zhuǎn)換，以IGBT及FRD為基礎(chǔ)的新技術(shù)便于器件并聯(lián)，在多芯片模塊中實(shí)現(xiàn)更均勻的溫度，進(jìn)步整體可靠性。
RCD做的好,延遲的也大的
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請?zhí)峁┠褂玫腎GBT型號 以及ACPL-339J的外圍電路，avago的ACPL-339J是avago最新一代的隔離驅(qū)動光耦，最大的亮點(diǎn)是通過N&Pmosfet作為推挽可以直接驅(qū)動1000多個A的管子。芯片內(nèi)部完成了這兩個管子的關(guān)閉和開啟的延時，同時也是第一次實(shí)現(xiàn)加了buffer 后可以實(shí)現(xiàn)軟關(guān)斷的方案（以前的316J&33X系列加了buffer后就閹割了保護(hù)后的軟關(guān)斷功能），但是外圍電路調(diào)試比較麻煩！
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