司坦森集成電路是一家臺(tái)系、專業(yè)場(chǎng)效應(yīng)MOSFET設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)生產(chǎn)商

全系列的SOP-8,SOT-23,TO-252/251等封裝MOSFET.

原廠供應(yīng)。性價(jià)比優(yōu)厚。

主推料號(hào)：

ST2300,ST2301,ST2302……ST2341…

ST3400,ST3401，3402….ST3413…

STP9435,STP4953，STN4402,STN4412,STP4407,STN4526,STP9527…

STC4606,STN4828(專用inverter)

STP6635,STN454,STN442D，STN413,ST16N10,ST13P10，ST36N10

STP3052。。。(TO-252/251)

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原廠現(xiàn)貨，誠(chéng)招代理、分銷商。歡迎來(lái)電垂詢!

司坦森集成電路

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灌水無(wú)處不在啊

技術(shù)對(duì)器件的特性有著重大影響，因?yàn)橛行┘夹g(shù)在提高最大VDS時(shí)往往會(huì)使RDS(ON)增大。對(duì)于這樣的技術(shù)，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，從而增加與之配套的封裝尺寸及相關(guān)的開(kāi)發(fā)成本。業(yè)界現(xiàn)有好幾種試圖控制晶片尺寸增加的技術(shù)，其中最主要的是溝道和電荷平衡技術(shù)。

在溝道技術(shù)中，晶片中嵌入了一個(gè)深溝，通常是為低電壓預(yù)留的，用于降低導(dǎo)通電阻RDS(ON)。為了減少最大VDS對(duì)RDS(ON)的影響，開(kāi)發(fā)過(guò)程中采用了外延生長(zhǎng)柱/蝕刻柱工藝。例如，飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)了稱為SuperFET的技術(shù)，針對(duì)RDS(ON)的降低而增加了額外的制造步驟。這種對(duì)RDS(ON)的關(guān)注十分重要，因?yàn)楫?dāng)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET的擊穿電壓升高時(shí)，RDS(ON)會(huì)隨之呈指數(shù)級(jí)增加，并且導(dǎo)致晶片尺寸增大。SuperFET工藝將RDS(ON)與晶片尺寸間的指數(shù)關(guān)系變成了線性關(guān)系。這樣，SuperFET器件便可在小晶片尺寸，甚至在擊穿電壓達(dá)到600V的情況下，實(shí)現(xiàn)理想的低RDS(ON)。結(jié)果是晶片尺寸可減小達(dá)35%。而對(duì)于最終用戶來(lái)說(shuō)，這意味著封裝尺寸的大幅減小。

技術(shù)對(duì)器件的特性有著重大影響，因?yàn)橛行┘夹g(shù)在提高最大VDS時(shí)往往會(huì)使RDS(ON)增大。對(duì)于這樣的技術(shù)，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，從而增加與之配套的封裝尺寸及相關(guān)的開(kāi)發(fā)成本。業(yè)界現(xiàn)有好幾種試圖控制晶片尺寸增加的技術(shù)，其中最主要的是溝道和電荷平衡技術(shù)。

芯片的制造過(guò)程可概分為晶圓處理工序（Wafer Fabrication）、晶圓針測(cè)工序（Wafer Probe）、構(gòu)裝工序（Packaging）、測(cè)試工序（Initial Test and Final Test）等幾個(gè)步驟。其中晶圓處理工序和晶圓針測(cè)工序?yàn)榍岸危?span>Front End）工序，而構(gòu)裝工序、測(cè)試工序?yàn)楹蠖危?span>Back End）工序。

深圳--東方威尼斯

司坦森替換料號(hào) 節(jié)選

ST2300 替換 SI2312 AO3416 AO3420   AP2302AGN          ST2300SRG替換     WNM2016          ST2301 替換 Si2301 AO3423 FDN302P FDN342P FDN338P APM2301  APM2313 APM2323 STM2309          ST2302 替換 Si2302   TN0200T  FDN339AN FDN371N FDN335N   APM2314 APM2324 SSM3K102TU          ST2303SRG替換 Si2303  Si2307  Si2323  AO3405  AO3409  AO3421 FDN360P FDN358P FDN352AP APM2307 羅姆RRF015P03          ST2304 替換 Si2304  Si2306 AO3406    NDS355AN APM2306           ST2305 替換 Si2305  FDN304P            ST2305A 替換 FDN306P            ST2341S23RG替換 AO3415             ST2342 替換 AO3416 AO3420             ST3400 替換 AO3400   AP2305AGN          ST3401 替換 AO3401   CES2307          ST3406 替換 AO3404             ST3407 替換 AO3407   IRLML5203          ST3413 替換 Si2321 AO3413 AO3419   FDN302P            ST3414 替換 Si2412   Si3418 AO3414  APM2300 APM2312           ST3422A 替換 AO3422A   ZXMN6A07F          ST3403 替換 Si2341 Si2307 AO3403             ST3402 替換 Si2316 AO3402   AO3418 FDV303N  FDN359AN  FDN361AN            ST7407 替換 Si1869 AO7407 AO7413 APM1403           ST7402 替換 AO7402 APM1404           ST7401 替換 AO7401             ST7400 替換 AO7400 AO7410             ST1413 替換 Si1303 Si1307 APM1401           STN423 替換 APM1402           ST1433 替換               ST1443 替換 Si1304   Si1302              ST1413A 替換 Si1413DH  AO7411 AO7415 FDG326P            ST1423A 替換 Si1410DH  AO7408 FDG329N            ST1433A 替換 Si1433DH  AO7405 FDG316P            ST1443A 替換 Si1402DH  AO7412 FGD315N            ST1013 替換 Si1013              ST1012 替換 Si1012              ST1026 替換 Si1026              ST1016 替換 Si1016              SPP2095 替換 APM2095           SPN2054 替換 AOD400 APM2054           SPP3095 替換 APM3095           SPN3055 替換 AO3055 APM3054NU           SPP3052 替換 AOD405             SPN8878 替換 AOD434                STN8882D替換 SUD50N024  AOD452 FDD7030BL LR3103 IRFR3707          ST13P10 替換 SFR9120 IRF9530 ST16N10STN484DSTN454DSTP413DSTN4189DSTN4186DSTP6635GHSTP3052DSTP601DSTP607DSTN4130STN4110STN410DSTN4110STN4102ST12N10DST36N10D         STN442D 替換 IRFR020          SPN9971 替換 SUD15N 06 AOD444 FD24AN06AL0  FDD5680   HUF76429D3S            ST9435 替換 Si9435   Si4431 AO4405   FDS9435            STP9437 替換 AO4403             STP4435 替換 Si4431  Si4435  Si4425 AO4411   AO4415 FDS8435     FDS4435     FDS6675  AO4419          STP9547 替換               STN4488L替換 AO4728L IRF7832          STP4407 替換 AO4407 APM4315K           STP9527 替換               STN4488L替換 SI7898DPAO4410             STN4412 替換 Si4412   Si4416   Si9410 AO4412  AO4414             STN4426 替換               STN4346 替換 Si4362  Si7442  Si4404  Si4888 AO4404             STN4392 替換 Si4346 AO4430 AO4392 /AO4468 FDS6680AS            STN4402 替換 Si4420  Si4882  Si4820  Si4894  AO4420 /4404B  AO4422    AO4446 FDS6630A    FDS6614A     FDS6680   FDS6924 APM4820 IRF7413/AP4800AGM          STN4546 替換               STN4488L替換 AO4494L IRF7832          STN4526 替換               STN4436 替換               STN4438 替換 ME4436          STN4850 替換              STN4440 替換    AO4440             STP4953 替換 Si4953 AO4803 FDS8958 APM4953           STP4803 替換               STN4920 替換 Si4920 AO4812             STN4822 替換 STS8DNH3          STN6303 替換 Si1912 AO7800 FDC6335     FDG6303N            STN6561 替換 AO6802 FDC6561            STN6562 替換 AO6800 FDC6561            STP6308 替換 Si1913 AO7801 FDC6308            STP6506 替換 Si4447 AO4443 FDC6506            STP6507 替換 AO6801 FDC6506            STC4539 替換 Si4539  APM4542                          STC4614 替換 Si4567 AOS4614            STC4527 替換               STC6601 替換 Si3590 AO6601 FDC6432            STC6602 替換 Si3552 AO6602 FDC6333            STC6604 替換 Si3586 Si3588 AO6604 FDC6420 FDC6327 APM2701C           STC6332 替換 Si1563 AO7600 FDG6332            STC4606 替換 SI5504 AO4606             TSOP-6 /SOT-23-6L                 STP3467 替換           STN3446 替換            STN3456 替換 AP2604          STN8205D替換               STC6601 替換               STC6602 替換               STC6604 替換               STP3481 替換 AO6405 AP2605    CEH2305          STN3456 替換 AP2604           ST8835 替換 OB2263

選擇MOSFET的最后一步是決定MOSFET的開(kāi)關(guān)性能。影響開(kāi)關(guān)性能的參數(shù)有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會(huì)在器件中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，因?yàn)樵诿看伍_(kāi)關(guān)時(shí)都要對(duì)它們充電。MOSFET的開(kāi)關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。為計(jì)算開(kāi)關(guān)過(guò)程中器件的總損耗，設(shè)計(jì)人員必須計(jì)算開(kāi)通過(guò)程中的損耗(Eon)和關(guān)閉過(guò)程中的損耗(Eoff)。MOSFET開(kāi)關(guān)的總功率可用如下方程表達(dá)：Psw=(Eon+Eoff)×開(kāi)關(guān)頻率。而柵極電荷(Qgd)對(duì)開(kāi)關(guān)性能的影響最大。