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IGBT模塊的構造

圖 1-6、圖 1-7 中顯示了具有代表性的IGBT模塊構造。圖 1-6 中表示的端子臺一體構造模塊,是通過采用外殼與外部電極端子的一體成型構造,達到減少部件數(shù)量和減低內(nèi)部配線電感的目的。另外,通過采用DCB(Direct CopperBonding)基板,得到低熱阻和高抗折強度的高可靠性產(chǎn)品。圖 1-7 表示的引線端子連接構造IGBT模塊,并不是通過錫焊使主端子與DCB 基板相連的,而是采用引線連接的構造。由此達到封裝構造的簡易化、小型化、超薄化、輕量化和削減組裝工數(shù)的目的。

此外,關于通過 IGBT 和FWD 芯片的最合理化配置有效地實現(xiàn)熱分散,以及通過均等配置上下支路的IGBT 元件使開通時的過渡電流平衡均等,從而不增加開通時的損耗等,已經(jīng)在產(chǎn)品中得以實現(xiàn)。



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2014-05-22 16:57
IGBT 是通過在功率MOSFET 的漏極上追加p+層而構成的,在門極—發(fā)射極之間外加正電壓使功率MOSFET導通時,pnp 晶體管的基極—集電極間就連接上了低電阻,從而使pnp 晶體管處于導通狀態(tài)。此后,使門極—發(fā)射極之間的電壓為0V 時,首先功率MOSFET 處于斷路狀態(tài),pnp 晶體管的基極電流被切斷,從而處于斷路狀態(tài)。IGBT 模塊基本上以1 in 1、2 in 1、6 in 1、(7 in 1)、PIM 這4 種形式存在的。
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