不知道有沒有達到96%，甚至97%，98%？

目前VICOR最高的模塊有達到98%，但并不是所有的模塊都達到98%的效率。

也要看輸入電壓和輸出電壓的參數(shù)的,如果不惜成本,做到99%都有可能.

現(xiàn)在應該接近99%了吧！反正98.5的是有了！

提高功率密度無非是要提高開關頻率使體積變小。

硅高壓半導體的物理特性決定了頻率，一般400V以上的器件超過200KHZ的頻率，管子發(fā)熱很嚴重，損耗會成倍的加大。

新型材料氮化鎵MOSFET可以解決這問題。 氮化鎵材料適合高頻，600V以上的器件可以工作在1M以上。幾百K是很簡單的事。同時高頻后并不會帶來多少額外的損耗。

下圖表示了硅，碳化硅，氮化鎵三者的高頻，與損耗關系。可以看出，氮化鎵有明顯的高頻優(yōu)勢。

氮化鎵可以做到1M HZ的開關頻率的LLC，1000W的電源可以做到10cm *10cm.效率必須要高，否

則熱的問題無法解決。

這么多年來，我們的電子技術發(fā)展基本上還是那幾個拓撲，但器件的發(fā)展可以為電源帶來質的變化。

更多請看資料。

可以很好地應用在LLC電源，PFC電路，半橋，全橋電路上。逆變電源。。。。

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氮化鎵MOSFET介紹.pdf

200K LLC+PFC 250W 95.4%效率.pdf

1000W無整流橋PFC，效率99.3%.pdf

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