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30Mhz EMC 測試不通過

最近小弟公司的顯微鏡在進(jìn)行EMC測試,主體機(jī)構(gòu)為外部AC-DC開關(guān)電源然后連接至顯微鏡內(nèi)部,內(nèi)部接有一個(gè)調(diào)光PCB,一開始效果非常差,后來在調(diào)光板的輸入輸出端接了共模電感等,將40Mhz和80Mhz下的EMI給壓下來了,但是30Mhz還是會超5DB,內(nèi)部調(diào)光板加了銅箔屏蔽罩也沒有很好的解決,不知道各位大神可否指點(diǎn)一二?

另外,偶然聽說電源余量會對EMI有影響,試了一下,將鹵素?zé)舻牧炼日{(diào)至最亮,確實(shí)通過了,可是亮度調(diào)下來就不行了,這個(gè)咋理解?

對了,每次都是EMI接收機(jī)天線垂直的時(shí)候超標(biāo)。。。

ps:AC-DC應(yīng)該是正規(guī)的明緯品牌,也有EMC的認(rèn)證證書。

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2014-12-18 15:24

這個(gè)要具體情況具體分析。。。

首先先用電阻負(fù)載測試電源,看是否正常。不同的電流下測試。

如果沒問題。帶實(shí)際負(fù)載。為什么燈滿載時(shí),可以過。調(diào)光時(shí),就出問題了。這個(gè)可能是調(diào)光板的調(diào)光頻率或控制方式有問題。。。

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2014-12-19 07:53
@dxsmail
這個(gè)要具體情況具體分析。。。首先先用電阻負(fù)載測試電源,看是否正常。不同的電流下測試。如果沒問題。帶實(shí)際負(fù)載。為什么燈滿載時(shí),可以過。調(diào)光時(shí),就出問題了。這個(gè)可能是調(diào)光板的調(diào)光頻率或控制方式有問題。。。

恩, 謝謝。拆了一個(gè)國外的顯微鏡里的調(diào)光板,安裝在我們的機(jī)子上,30Mhz的時(shí)候也是超標(biāo);不過用近場探頭配合頻譜儀,測試出來它的調(diào)光板的輻射會小很多;

另外,請教下,EMI接收機(jī)垂直的時(shí)候超標(biāo),是否很多概率是輸入電源線的緣故?謝謝!

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2014-12-19 08:29
@apple19871010
恩,謝謝。拆了一個(gè)國外的顯微鏡里的調(diào)光板,安裝在我們的機(jī)子上,30Mhz的時(shí)候也是超標(biāo);不過用近場探頭配合頻譜儀,測試出來它的調(diào)光板的輻射會小很多;另外,請教下,EMI接收機(jī)垂直的時(shí)候超標(biāo),是否很多概率是輸入電源線的緣故?謝謝!

一般的電阻性負(fù)載,都是垂直輻射超標(biāo)。。。。

EMC是很復(fù)雜的。一般跟PCB有很大關(guān)系。。。。要找到原因,然后一個(gè)一個(gè)試。。。

改善EMC很大一部分是依靠經(jīng)驗(yàn)。最好從裸板開始(沒加任何共模電感的板開始)。。

網(wǎng)上的一些經(jīng)驗(yàn)。

開關(guān)電源的EMI 處理經(jīng)驗(yàn)對策小結(jié)

開關(guān)電源EMI 整改中,關(guān)于不同頻段干擾原因及抑制辦法:

1MHZ 以內(nèi)----以差模干擾為主

1.增大X 電容量;

2.添加差模電感;

3.小功率電源可采用PI 型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。

4.體積緊湊的小功率電源中,由于削尖峰電路離L/N相太近,導(dǎo)致500-700KHz頻段超標(biāo)。這種超標(biāo)現(xiàn)象,也可能是變壓器或MOS管輻射引起。

 

1MHZ---5MHZ---差模共模混合,

采用輸入端并聯(lián)一系列X 電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決,

1.對于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X 電容量,添加差模電感器,調(diào)差模電感量;

2.對于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來抑制;

3.也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107 一對普通整流二極管1N4007。

5M---以上以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法。

對于外殼接地的,在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3 圈會對10MHZ 以上干擾有較大的衰減作用;

可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環(huán).

處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。

對于20--30MHZ

1.對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2 電容量或改變Y2 電容位置;

2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1 電容位置及參數(shù)值;

3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。

4.改變PCB LAYOUT;

5.輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;

6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC 濾波器且調(diào)整合理的參數(shù);

7.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE;

8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。

9. 可以用增大MOS 驅(qū)動電阻.

30---50MHZ 普遍是MOS 管高速開通關(guān)斷引起,

1.可以用增大MOS 驅(qū)動電阻;

2.RCD 緩沖電路采用1N4007 慢管(或在D端串聯(lián)一個(gè)電阻300R);

3.VCC 供電電壓用1N4007 慢管來解決;

4.或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;

5.MOSFET D-S 腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路;

6.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE

7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容;

8.PCBLAYOUT 時(shí)大電解電容,變壓器,MOS 構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的??;

9.變壓器,輸出二極管,輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。

50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,

1.可以在整流管上串磁珠;

2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù);

3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,PIN腳處加BEAD CORE串接適當(dāng)?shù)碾娮瑁?/span>

4.也可改變MOSFET,輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE,改變散熱器的接地點(diǎn))。

5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.

200MHZ 以上 開關(guān)電源已基本輻射量很小,一般可過EMI 標(biāo)準(zhǔn)。

補(bǔ)充說明:

開關(guān)電源高頻變壓器初次間一般是屏蔽層的,以上未加綴述.

開關(guān)電源是高頻產(chǎn)品,PCB 的元器件布局對EMI.,請密切注意此點(diǎn).

開關(guān)電源若有機(jī)械外殼,外殼的結(jié)構(gòu)對輻射有很大的影響.請密切注意

此點(diǎn).

主開關(guān)管,主二極管不同的生產(chǎn)廠家參數(shù)有一定的差異,EMC 有一

定的影響.請密切注意此點(diǎn).

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2014-12-19 08:47
@dxsmail
一般的電阻性負(fù)載,都是垂直輻射超標(biāo)。。。。EMC是很復(fù)雜的。一般跟PCB有很大關(guān)系。。。。要找到原因,然后一個(gè)一個(gè)試。。。改善EMC很大一部分是依靠經(jīng)驗(yàn)。最好從裸板開始(沒加任何共模電感的板開始)。。網(wǎng)上的一些經(jīng)驗(yàn)。開關(guān)電源的EMI處理經(jīng)驗(yàn)對策小結(jié)開關(guān)電源EMI整改中,關(guān)于不同頻段干擾原因及抑制辦法:1MHZ以內(nèi)----以差模干擾為主1.增大X電容量;2.添加差模電感;3.小功率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。4.體積緊湊的小功率電源中,由于削尖峰電路離L/N相太近,導(dǎo)致500-700KHz頻段超標(biāo)。這種超標(biāo)現(xiàn)象,也可能是變壓器或MOS管輻射引起。 1MHZ---5MHZ---差模共?;旌希捎幂斎攵瞬⒙?lián)一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決,1.對于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量,添加差模電感器,調(diào)差模電感量;2.對于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來抑制;3.也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107一對普通整流二極管1N4007。5M---以上以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法。對于外殼接地的,在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔,銅箔閉環(huán).處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。對于20--30MHZ,1.對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2電容量或改變Y2電容位置;2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值;3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。4.改變PCBLAYOUT;5.輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù);7.在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE;8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。9.可以用增大MOS驅(qū)動電阻.30---50MHZ普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起,1.可以用增大MOS驅(qū)動電阻;2.RCD緩沖電路采用1N4007慢管(或在D端串聯(lián)一個(gè)電阻300R);3.VCC供電電壓用1N4007慢管來解決;4.或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;5.在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路;6.在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE;7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容;8.PCB在LAYOUT時(shí)大電解電容,變壓器,MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的??;9.變壓器,輸出二極管,輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。50---100MHZ普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,1.可以在整流管上串磁珠;2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù);3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEADCORE串接適當(dāng)?shù)碾娮瑁?.也可改變MOSFET,輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET;鐵夾卡DIODE,改變散熱器的接地點(diǎn))。5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.200MHZ以上開關(guān)電源已基本輻射量很小,一般可過EMI標(biāo)準(zhǔn)。補(bǔ)充說明:開關(guān)電源高頻變壓器初次間一般是屏蔽層的,以上未加綴述.開關(guān)電源是高頻產(chǎn)品,PCB的元器件布局對EMI.,請密切注意此點(diǎn).開關(guān)電源若有機(jī)械外殼,外殼的結(jié)構(gòu)對輻射有很大的影響.請密切注意此點(diǎn).主開關(guān)管,主二極管不同的生產(chǎn)廠家參數(shù)有一定的差異,對EMC有一定的影響.請密切注意此點(diǎn).

非常感謝!

上面的資料我也在網(wǎng)上找到過,不過由于AC-DC電源適配器是外購的,所以沒法對MOS進(jìn)行處理;另外,調(diào)光板主體是采用Buck模式,但是MOS是內(nèi)部集成的,所以也無法更改;

不過考慮到將國外產(chǎn)品的調(diào)光板安裝到我們的顯微鏡上,還是超標(biāo)。所以,小弟還是傾向于適配器或者外殼的緣故,下一步如您前面所言,打算單獨(dú)測試一下適配器,甚至并且再給他加一個(gè)屏蔽罩試試。然后也打算用電池給顯微鏡供電,試一試到底哪里超標(biāo)。。。

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2014-12-19 09:03
@apple19871010
非常感謝!上面的資料我也在網(wǎng)上找到過,不過由于AC-DC電源適配器是外購的,所以沒法對MOS進(jìn)行處理;另外,調(diào)光板主體是采用Buck模式,但是MOS是內(nèi)部集成的,所以也無法更改;不過考慮到將國外產(chǎn)品的調(diào)光板安裝到我們的顯微鏡上,還是超標(biāo)。所以,小弟還是傾向于適配器或者外殼的緣故,下一步如您前面所言,打算單獨(dú)測試一下適配器,甚至并且再給他加一個(gè)屏蔽罩試試。然后也打算用電池給顯微鏡供電,試一試到底哪里超標(biāo)。。。

電源可以用可調(diào)直流電源先調(diào)試。。。

大部分的可調(diào)直流電源都會做得比較好。。。。

如果它超標(biāo)了。基本上都是負(fù)載的問題了。。。

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alai4
LV.6
7
2014-12-19 10:36
@dxsmail
一般的電阻性負(fù)載,都是垂直輻射超標(biāo)。。。。EMC是很復(fù)雜的。一般跟PCB有很大關(guān)系。。。。要找到原因,然后一個(gè)一個(gè)試。。。改善EMC很大一部分是依靠經(jīng)驗(yàn)。最好從裸板開始(沒加任何共模電感的板開始)。。網(wǎng)上的一些經(jīng)驗(yàn)。開關(guān)電源的EMI處理經(jīng)驗(yàn)對策小結(jié)開關(guān)電源EMI整改中,關(guān)于不同頻段干擾原因及抑制辦法:1MHZ以內(nèi)----以差模干擾為主1.增大X電容量;2.添加差模電感;3.小功率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。4.體積緊湊的小功率電源中,由于削尖峰電路離L/N相太近,導(dǎo)致500-700KHz頻段超標(biāo)。這種超標(biāo)現(xiàn)象,也可能是變壓器或MOS管輻射引起。 1MHZ---5MHZ---差模共?;旌?,采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決,1.對于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量,添加差模電感器,調(diào)差模電感量;2.對于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來抑制;3.也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107一對普通整流二極管1N4007。5M---以上以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法。對于外殼接地的,在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔,銅箔閉環(huán).處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。對于20--30MHZ,1.對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2電容量或改變Y2電容位置;2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值;3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。4.改變PCBLAYOUT;5.輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù);7.在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE;8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。9.可以用增大MOS驅(qū)動電阻.30---50MHZ普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起,1.可以用增大MOS驅(qū)動電阻;2.RCD緩沖電路采用1N4007慢管(或在D端串聯(lián)一個(gè)電阻300R);3.VCC供電電壓用1N4007慢管來解決;4.或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;5.在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路;6.在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE;7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容;8.PCB在LAYOUT時(shí)大電解電容,變壓器,MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的??;9.變壓器,輸出二極管,輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。50---100MHZ普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,1.可以在整流管上串磁珠;2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù);3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEADCORE串接適當(dāng)?shù)碾娮瑁?.也可改變MOSFET,輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET;鐵夾卡DIODE,改變散熱器的接地點(diǎn))。5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.200MHZ以上開關(guān)電源已基本輻射量很小,一般可過EMI標(biāo)準(zhǔn)。補(bǔ)充說明:開關(guān)電源高頻變壓器初次間一般是屏蔽層的,以上未加綴述.開關(guān)電源是高頻產(chǎn)品,PCB的元器件布局對EMI.,請密切注意此點(diǎn).開關(guān)電源若有機(jī)械外殼,外殼的結(jié)構(gòu)對輻射有很大的影響.請密切注意此點(diǎn).主開關(guān)管,主二極管不同的生產(chǎn)廠家參數(shù)有一定的差異,對EMC有一定的影響.請密切注意此點(diǎn).
mark
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2014-12-29 16:32
@dxsmail
電源可以用可調(diào)直流電源先調(diào)試。。。大部分的可調(diào)直流電源都會做得比較好。。。。如果它超標(biāo)了?;旧隙际秦?fù)載的問題了。。。

測試已通過,在適配器的輸出口加了一個(gè)磁環(huán),并繞了2圈;

原來也采取過類似的方式,不過沒有對磁環(huán)進(jìn)行合理的選擇,只是隨便拿了一個(gè),這次特意問磁環(huán)公司針對30Mhz的拿了幾個(gè),效果OK;

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liwei1100
LV.1
9
2019-08-10 11:15
@dxsmail
一般的電阻性負(fù)載,都是垂直輻射超標(biāo)。。。。EMC是很復(fù)雜的。一般跟PCB有很大關(guān)系。。。。要找到原因,然后一個(gè)一個(gè)試。。。改善EMC很大一部分是依靠經(jīng)驗(yàn)。最好從裸板開始(沒加任何共模電感的板開始)。。網(wǎng)上的一些經(jīng)驗(yàn)。開關(guān)電源的EMI處理經(jīng)驗(yàn)對策小結(jié)開關(guān)電源EMI整改中,關(guān)于不同頻段干擾原因及抑制辦法:1MHZ以內(nèi)----以差模干擾為主1.增大X電容量;2.添加差模電感;3.小功率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。4.體積緊湊的小功率電源中,由于削尖峰電路離L/N相太近,導(dǎo)致500-700KHz頻段超標(biāo)。這種超標(biāo)現(xiàn)象,也可能是變壓器或MOS管輻射引起。 1MHZ---5MHZ---差模共模混合,采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決,1.對于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量,添加差模電感器,調(diào)差模電感量;2.對于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來抑制;3.也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107一對普通整流二極管1N4007。5M---以上以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法。對于外殼接地的,在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔,銅箔閉環(huán).處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。對于20--30MHZ,1.對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2電容量或改變Y2電容位置;2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值;3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。4.改變PCBLAYOUT;5.輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù);7.在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE;8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。9.可以用增大MOS驅(qū)動電阻.30---50MHZ普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起,1.可以用增大MOS驅(qū)動電阻;2.RCD緩沖電路采用1N4007慢管(或在D端串聯(lián)一個(gè)電阻300R);3.VCC供電電壓用1N4007慢管來解決;4.或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;5.在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路;6.在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE;7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容;8.PCB在LAYOUT時(shí)大電解電容,變壓器,MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的?。?.變壓器,輸出二極管,輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。50---100MHZ普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,1.可以在整流管上串磁珠;2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù);3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEADCORE串接適當(dāng)?shù)碾娮瑁?.也可改變MOSFET,輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET;鐵夾卡DIODE,改變散熱器的接地點(diǎn))。5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.200MHZ以上開關(guān)電源已基本輻射量很小,一般可過EMI標(biāo)準(zhǔn)。補(bǔ)充說明:開關(guān)電源高頻變壓器初次間一般是屏蔽層的,以上未加綴述.開關(guān)電源是高頻產(chǎn)品,PCB的元器件布局對EMI.,請密切注意此點(diǎn).開關(guān)電源若有機(jī)械外殼,外殼的結(jié)構(gòu)對輻射有很大的影響.請密切注意此點(diǎn).主開關(guān)管,主二極管不同的生產(chǎn)廠家參數(shù)有一定的差異,對EMC有一定的影響.請密切注意此點(diǎn).
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