一般的電阻性負(fù)載,都是垂直輻射超標(biāo)。。。。
EMC是很復(fù)雜的。一般跟PCB有很大關(guān)系。。。。要找到原因,然后一個(gè)一個(gè)試。。。
改善EMC很大一部分是依靠經(jīng)驗(yàn)。最好從裸板開始(沒加任何共模電感的板開始)。。
網(wǎng)上的一些經(jīng)驗(yàn)。
開關(guān)電源的EMI 處理經(jīng)驗(yàn)對策小結(jié)
開關(guān)電源EMI 整改中,關(guān)于不同頻段干擾原因及抑制辦法:
1MHZ 以內(nèi)----以差模干擾為主
1.增大X 電容量;
2.添加差模電感;
3.小功率電源可采用PI 型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。
4.體積緊湊的小功率電源中,由于削尖峰電路離L/N相太近,導(dǎo)致500-700KHz頻段超標(biāo)。這種超標(biāo)現(xiàn)象,也可能是變壓器或MOS管輻射引起。
1MHZ---5MHZ---差模共模混合,
采用輸入端并聯(lián)一系列X 電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決,
1.對于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X 電容量,添加差模電感器,調(diào)差模電感量;
2.對于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來抑制;
3.也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107 一對普通整流二極管1N4007。
5M---以上以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法。
對于外殼接地的,在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3 圈會對10MHZ 以上干擾有較大的衰減作用;
可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環(huán).
處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。
對于20--30MHZ,
1.對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2 電容量或改變Y2 電容位置;
2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1 電容位置及參數(shù)值;
3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。
4.改變PCB LAYOUT;
5.輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;
6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC 濾波器且調(diào)整合理的參數(shù);
7.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE;
8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。
9. 可以用增大MOS 驅(qū)動電阻.
30---50MHZ 普遍是MOS 管高速開通關(guān)斷引起,
1.可以用增大MOS 驅(qū)動電阻;
2.RCD 緩沖電路采用1N4007 慢管(或在D端串聯(lián)一個(gè)電阻300R);
3.VCC 供電電壓用1N4007 慢管來解決;
4.或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感;
5.在MOSFET 的D-S 腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路;
6.在變壓器與MOSFET 之間加BEAD CORE;
7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容;
8.PCB在LAYOUT 時(shí)大電解電容,變壓器,MOS 構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的??;
9.變壓器,輸出二極管,輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。
50---100MHZ 普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,
1.可以在整流管上串磁珠;
2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù);
3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE串接適當(dāng)?shù)碾娮瑁?/span>
4.也可改變MOSFET,輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE,改變散熱器的接地點(diǎn))。
5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.
200MHZ 以上 開關(guān)電源已基本輻射量很小,一般可過EMI 標(biāo)準(zhǔn)。
補(bǔ)充說明:
開關(guān)電源高頻變壓器初次間一般是屏蔽層的,以上未加綴述.
開關(guān)電源是高頻產(chǎn)品,PCB 的元器件布局對EMI.,請密切注意此點(diǎn).
開關(guān)電源若有機(jī)械外殼,外殼的結(jié)構(gòu)對輻射有很大的影響.請密切注意
此點(diǎn).
主開關(guān)管,主二極管不同的生產(chǎn)廠家參數(shù)有一定的差異,對EMC 有一
定的影響.請密切注意此點(diǎn).