作為開關電源工程師，會經常碰到電源板上MOSFET失效，那么MOSFET的失效有幾種原因呢，失效后器件解刨后具體是什么形貌呢，都有什么解決辦法呢，歡迎大家一起討論。
MOSFET在開關電源中常見的失效原因及解決辦法
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先總結下失效的分類；
1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。
2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。
3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。
4：諧振失效：在并聯使用的過程中，柵極及電路寄生參數導致震蕩引起的失效。
5：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。
6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。
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@semipower_X1
先總結下失效的分類；1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。4：諧振失效：在并聯使用的過程中，柵極及電路寄生參數導致震蕩引起的失效。5：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。
先簡單總結這幾點，歡迎大家參與討論。
關于雪崩的相關內容，30樓已進行簡單總結，歡迎大家討論。
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@semipower_X1
先總結下失效的分類；1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。4：諧振失效：在并聯使用的過程中，柵極及電路寄生參數導致震蕩引起的失效。5：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。
說得很詳細，贊一個
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@semipower_X1
先總結下失效的分類；1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。4：諧振失效：在并聯使用的過程中，柵極及電路寄生參數導致震蕩引起的失效。5：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。
樓主總結的很詳細，很到位?。?
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@semipower_X1
先總結下失效的分類；1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。4：諧振失效：在并聯使用的過程中，柵極及電路寄生參數導致震蕩引起的失效。5：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。
雪崩一般會從高壓產生的大能量或瞬間結溫上對MOS進行失效分析。樓主是否能描述下推導過程學習一下啊，感謝！
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@semipower_X1
先總結下失效的分類；1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。4：諧振失效：在并聯使用的過程中，柵極及電路寄生參數導致震蕩引起的失效。5：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。
學習了，今后會注意。
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@semipower_X1
先總結下失效的分類；1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。4：諧振失效：在并聯使用的過程中，柵極及電路寄生參數導致震蕩引起的失效。5：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。
柵極異常高壓是怎么產生的啊~
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@semipower_X1
先總結下失效的分類；1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。4：諧振失效：在并聯使用的過程中，柵極及電路寄生參數導致震蕩引起的失效。5：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。
這位大師的帖子很受歡迎，不知道是哪一位呢？
很想知道！
很想知道！ 0
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@semipower_X1
柵極的異常高壓來源主要有以下3種原因：1：在生產、運輸、裝配過程中的靜電。2：由器件及電路寄生參數在電源系統(tǒng)工作時產生的高壓諧振。3：在高壓沖擊時，高電壓通過Ggd傳輸到柵極（在雷擊測試時，這種原因導致的失效較為常見）。至于PCB污染等級、電氣間隙及其它高壓擊穿IC后進入柵極等現象就不做過多解釋。
我遇到的情況比較特殊：
應用：
N MOSFET 多管并聯，G S 采用高端驅動，驅動電壓12V（G S之間有15V穩(wěn)壓管）, D S最高電壓26V（24V 鋰電池組），MOSFET用來做開關用途，負載設備是電機（輸出端已經加了防止電機產生反壓的二極管），峰值電流接近1000A，平均負載電流400A-500A。
失效情況：
最近客戶退回一些不良品，MOSFET 發(fā)覺G D擊穿，D S 是好的，這種現象很奇怪。
請幫忙分析此失效機理。
謝謝！
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@rd_fu
我遇到的情況比較特殊：應用：NMOSFET多管并聯，GS采用高端驅動，驅動電壓12V（GS之間有15V穩(wěn)壓管）, DS最高電壓26V（24V鋰電池組），MOSFET用來做開關用途，負載設備是電機（輸出端已經加了防止電機產生反壓的二極管），峰值電流接近1000A，平均負載電流400A-500A。 失效情況：最近客戶退回一些不良品，MOSFET發(fā)覺GD擊穿，DS是好的，這種現象很奇怪。請幫忙分析此失效機理。謝謝！
26樓的連長您好！你的情況比較特殊，您是應用于電動車控制領域吧，對該領域我涉足不多，也無相關電路圖做參考，難以展開系統(tǒng)分析。但就MOSFET并聯使用這一塊有點小小的建議供您參考。
1：LAYOUT要注意均流。
2：器件選擇要盡量選擇RDSON、跨導、Vth、Rg、開關時間等參數一致性高的器件，這些參數決定了器件并聯使用的可靠性。
至于您講的D-S好，G-D擊穿確實比較少見。不知您是否是通過萬用表判斷管腳好好壞的，具體是通過電阻檔還是二極管檔測試D-S正常的（這種判斷方式有局限性）。
G-D擊穿有可能是電機感應電動勢通過Cgd電容耦合到柵極，導致Cgd失效。但僅是懷疑，具體失效原因可以從電路圖上進行分析，或通過第三方的器件檢測機構協(xié)助做器件分析。檢測機構我知道的有
西安功率器件測試應用中心、廣州賽寶等實驗室。
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到底什么是雪崩失效呢，簡單來說MOSFET在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOSFET漏源之間，導致的一種失效模式。簡而言之就是由于就是MOSFET漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達到一定的能量限度而導致的一種常見的失效模式。
下面的圖片為雪崩測試的等效原理圖，做為電源工程師可以簡單了解下。
可能我們經常要求器件生產廠家對我們電源板上的MOSFET進行失效分析，大多數廠家都僅僅給一個EAS.EOS之類的結論，那么到底我們怎么區(qū)分是否是雪崩失效呢，下面是一張經過雪崩測試失效的器件圖，我們可以進行對比從而確定是否是雪崩失效。
雪崩失效歸根結底是電壓失效，因此預防我們著重從電壓來考慮。具體可以參考以下的方式來處理。
1：合理降額使用，目前行業(yè)內的降額一般選取80%-95%的降額，具體情況根據企業(yè)的保修條款及電路關注點進行選取。
2：合理的變壓器反射電壓。
3：合理的RCD及TVS吸收電路設計。
4：大電流布線盡量采用粗、短的布局結構，盡量減少布線寄生電感。
5：選擇合理的柵極電阻Rg。
6：在大功率電源中，可以根據需要適當的加入RC減震或齊納二極管進行吸收。
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@semipower_X1
先總結下失效的分類；1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區(qū)引起失效，分為Id超出器件規(guī)格失效以及Id過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。3：體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。4：諧振失效：在并聯使用的過程中，柵極及電路寄生參數導致震蕩引起的失效。5：靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。6：柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。
樓主，我有以下幾個問題請教：
（1）雪崩失效是不是可以認為屬于SOA失效
（2）如何判斷是體二極管失效還是電壓失效，我認為失效現象是一樣的，即DS短路。
（3）并聯諧振失效有哪些失效現象，如果只是柵極電壓諧振，那應該也屬于柵極電壓失效。
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