samwin_sz02：
對(duì)于二次平臺(tái)我是這樣理解的，當(dāng)IC驅(qū)動(dòng)是高電平時(shí)，MOSFET開啟，變壓器初級(jí)繞組和MOSFET的Ids電流線性增加，當(dāng)驅(qū)動(dòng)電平變?yōu)榈碗娖降倪^程中，會(huì)組成一個(gè)回路，電流的方向是IC的輸出端-IC地-MOSFET源極電阻-MOS管源柵極-MOS管柵極，這個(gè)電流方向和MOS管漏源極電流方向相反，所以產(chǎn)生一個(gè)低谷，其實(shí)流過變壓器和MOS管中的電流還是增加的，當(dāng)MOS管柵極電壓降到密勒平臺(tái)以下時(shí)MOS管才會(huì)迅速關(guān)斷，電流減小，這一點(diǎn)你可以用電流鉗測(cè)試MOS管漏極的電流。