rd_fu：
我遇到的情況比較特殊：應(yīng)用：NMOSFET多管并聯(lián)，GS采用高端驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電壓12V（GS之間有15V穩(wěn)壓管）, DS最高電壓26V（24V鋰電池組），MOSFET用來做開關(guān)用途，負(fù)載設(shè)備是電機(jī)（輸出端已經(jīng)加了防止電機(jī)產(chǎn)生反壓的二極管），峰值電流接近1000A，平均負(fù)載電流400A-500A。 失效情況：最近客戶退回一些不良品，MOSFET發(fā)覺GD擊穿，DS是好的，這種現(xiàn)象很奇怪。請(qǐng)幫忙分析此失效機(jī)理。謝謝！