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米勒平臺怎么消除？

修個反激的3842的開關(guān)電源，

發(fā)現(xiàn)MOS熱的很厲害，輸出是24V1A，初級MOS用5N60，

驅(qū)動電阻是100歐姆1瓦。頻率30K。

MOS沒有用散熱片，是塑封的。

溫度工作10分鐘后會高到70多度。

非常燙手。

看驅(qū)動的VGS波形，在升到5V后有一個小下降，然后一個平臺，再升到10V的驅(qū)動電平頂端。

老師傅說是這個平臺導(dǎo)致的發(fā)熱，原來的MOS不發(fā)熱的?，F(xiàn)在換了個拆機(jī)的就熱的很。

問問大家，這個平臺應(yīng)該怎么消除掉？

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tabing_dt
LV.10
2
2016-04-20 10:21
可以考慮加快MOSFET的開通時間,減少M(fèi)OSFET的開通損耗。
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2016-06-02 22:53
建議換低開通電壓/低柵極電容的mosfet試試。
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spowergg
LV.10
4
2016-06-02 23:21
@tabing_dt
可以考慮加快MOSFET的開通時間,減少M(fèi)OSFET的開通損耗。
減少柵極電阻,能增大柵極充電電流和放電電流,是可以縮小米勒平臺寬度的,但是壞處也是明顯的,卻容易產(chǎn)生上升尖峰,
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x34242980
LV.9
5
2016-07-19 09:19
@spowergg
減少柵極電阻,能增大柵極充電電流和放電電流,是可以縮小米勒平臺寬度的,但是壞處也是明顯的,卻容易產(chǎn)生上升尖峰,
那到底是驅(qū)動的問題還是MOS管子的問題？整體看下來就是因為這個平臺導(dǎo)致發(fā)熱嚴(yán)重的·1！
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2016-08-05 21:51
米勒效應(yīng)是MOSFET的放大效應(yīng)和Cgd的共同作用結(jié)果。
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紫蝶
LV.9
7
2016-08-06 11:34
@tabing_dt
可以考慮加快MOSFET的開通時間,減少M(fèi)OSFET的開通損耗。
減小MOS管子的導(dǎo)通電阻Rd，選擇更小值的。
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2016-08-15 16:48
@dahaizi1212
米勒效應(yīng)是MOSFET的放大效應(yīng)和Cgd的共同作用結(jié)果。
米勒效應(yīng)是不是要更換MOSFET開關(guān)管啊！還是改變驅(qū)動電路減小輸入的電阻，加大導(dǎo)通強(qiáng)度。
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六月s
LV.2
9
2017-06-14 16:31
減小驅(qū)動電阻，加快上升沿，或者加大驅(qū)動電流
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