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反激電源吸收電壓高

反激電壓隨著輸出負(fù)載增加，反激電壓很高，高達(dá)500V，VCC過壓，電源保護(hù)重啟。各位dx有什么建議嗎？
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2016-01-04 17:32

VCC的二極管用慢管，串磁珠，VCC還過壓的話，可以考慮vcc繞組少繞一圈。

RCD吸收的電阻用阻值小點(diǎn)的吸收MOSFET的電壓尖峰。

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iceiceice
LV.3
3
2016-01-04 17:42
@417zhouge
VCC的二極管用慢管，串磁珠，VCC還過壓的話，可以考慮vcc繞組少繞一圈。RCD吸收的電阻用阻值小點(diǎn)的吸收MOSFET的電壓尖峰。
輸出5V，4圈，VCC10圈。剛開始用的ES1D后來改為US1M，VCC限流電阻也加大了，VCC雜數(shù)也改為9圈，還是過壓，效果不顯著。后在VCC上面并了一個(gè)18V穩(wěn)壓管，VCC不過壓了。但是反激電壓很高，5V帶4A，反激電壓高達(dá)500V。但請(qǐng)講解一下
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2016-01-04 18:55
@iceiceice
輸出5V，4圈，VCC10圈。剛開始用的ES1D后來改為US1M，VCC限流電阻也加大了，VCC雜數(shù)也改為9圈，還是過壓，效果不顯著。后在VCC上面并了一個(gè)18V穩(wěn)壓管，VCC不過壓了。但是反激電壓很高，5V帶4A，反激電壓高達(dá)500V。但請(qǐng)講解一下
MOSFET的峰值電壓，參考下圖。

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2016-01-04 18:56
@iceiceice
輸出5V，4圈，VCC10圈。剛開始用的ES1D后來改為US1M，VCC限流電阻也加大了，VCC雜數(shù)也改為9圈，還是過壓，效果不顯著。后在VCC上面并了一個(gè)18V穩(wěn)壓管，VCC不過壓了。但是反激電壓很高，5V帶4A，反激電壓高達(dá)500V。但請(qǐng)講解一下

http://www.e-ticket.cn/bbs/1518498.html

我這個(gè)電阻分析的帖子里面，第40樓有具體資料，可以參考下。

VCC繞組，可以采用3根線并饒，增強(qiáng)耦合，對(duì)帶輕載和重載時(shí)VCC的電壓會(huì)平衡。

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iceiceice
LV.3
6
2016-01-04 19:17
@417zhouge
http://www.e-ticket.cn/bbs/1518498.html我這個(gè)電阻分析的帖子里面，第40樓有具體資料，可以參考下。VCC繞組，可以采用3根線并饒，增強(qiáng)耦合，對(duì)帶輕載和重載時(shí)VCC的電壓會(huì)平衡。
謝謝詳情解答
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