國內(nèi)首款內(nèi)置MOS 5V3A六級能效方案
關(guān)鍵詞：<PSR><內(nèi)置MOSFET><高壓啟動><同步整流><六級能效><雙USB輸出><安規(guī)>
一、輸入電壓90-264V；
二、尺寸：42.5*41.3；
三、待機功耗小于75mW，輕松滿足DOE6待機要求；
四、平均效率85%以上，輕松滿足DOE6效率要求；
五、高集成度外圍電路簡單，省去外掛MOS的成本，性價比高；
六、集成短路保護，輸出過流保護，VDD 過壓保護，F(xiàn)B 分壓電阻開路短路保護，以及電流偵測電阻Rcs 短路和過溫保護；
先上一張實物圖
PCB圖
電路描述
該電路圖中R6,R5,R7為反饋分壓電阻，通過輔助繞組檢測次級的電壓，使輸出電壓維持在5V。D1，R3 以及R2，C3 組成RCD 箝位電路，用于吸收功率MOS（集成于芯片內(nèi)部）漏源端尖鋒電壓。芯片內(nèi)置高壓啟動功能，可以使系統(tǒng)在200mS 以內(nèi)完全啟動；當(dāng)芯片本體溫度太高時，其內(nèi)置的OTP 保護功能會及時動作，關(guān)閉IC，以保護整個系統(tǒng)，溫度下降之后再自動重啟；電路具有輸出短路保護，輸出過流保護，開環(huán)保護， VDD 過壓保護等功能，以提高整個系統(tǒng)的可靠性；當(dāng)反饋腳FB 的分壓電阻開路或短路時，系統(tǒng)都會進入保護狀態(tài)；當(dāng)CS 腳短路（或Rcs 短路）時系統(tǒng)會發(fā)生保護并進入Latch 狀態(tài)，以確保系統(tǒng)不會被損壞；C1，L1，C2 組成π性濾波，以改善EMI 性能
