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理論上說MOSFET上電壓達到閾值電壓時，MOSFET管導通，這時候需要一個大的電流讓MOSFET管VDS兩端快速導通讓MOSFET管停留在平臺電壓的時間短這樣發(fā)熱量就低。我學到的知識是這樣解釋。我查資料7N60的RDS(ON)1.0?，也算大的吧我也是個新手，期待大蝦給答案。樓主知道解決方法麻煩也貼出了分享一下。

論壇有誰解答一下，我也學學啊