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MOS管發(fā)熱嚴(yán)重

我用NE555控制MOS管的導(dǎo)通情況,MOS管用的是7N60,現(xiàn)在MOS管發(fā)熱嚴(yán)重,帶300W的負(fù)載功率從200W掉到120W,R5也發(fā)熱嚴(yán)重,求大神解答。

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2016-04-14 23:07
自己先預(yù)熱一下
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2016-04-15 08:25
@月影無月
自己先預(yù)熱一下

不要沉啊

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2016-04-15 10:51
已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫嘍
http://www.e-ticket.cn/bbs/classic/

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2016-04-15 16:41
MOS打開G極接36K的電阻  充電時間太慢  你還有的7N的管子  那能不熱么? 
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2016-04-15 23:01
@xiaoxiong1988
MOS打開G極接36K的電阻 充電時間太慢 你還有的7N的管子 那能不熱么? 
我換成100歐發(fā)熱也是很嚴(yán)重
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2016-04-16 11:39

大神都跑哪去了?

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btclass
LV.7
8
2016-04-16 14:44
應(yīng)該是取電的問題。MOS沒有飽和導(dǎo)通
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criky
LV.1
9
2016-04-16 15:17

理論上說MOSFET上電壓達(dá)到閾值電壓時,MOSFET管導(dǎo)通,這時候需要一個大的電流讓MOSFET管VDS兩端快速導(dǎo)通讓MOSFET管停留在平臺電壓的時間短這樣發(fā)熱量就低。

我學(xué)到的知識是這樣解釋。

我查資料7N60的RDS(ON) 1.0?,也算大的吧

我也是個新手,期待大蝦給答案。

樓主知道解決方法麻煩也貼出了分享一下。

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zhangyiping
LV.9
10
2016-04-16 18:34
@criky
理論上說MOSFET上電壓達(dá)到閾值電壓時,MOSFET管導(dǎo)通,這時候需要一個大的電流讓MOSFET管VDS兩端快速導(dǎo)通讓MOSFET管停留在平臺電壓的時間短這樣發(fā)熱量就低。我學(xué)到的知識是這樣解釋。我查資料7N60的RDS(ON)1.0?,也算大的吧我也是個新手,期待大蝦給答案。樓主知道解決方法麻煩也貼出了分享一下。
你的輸出的電壓估計低吧,那么,漏電感就大,開關(guān)管的環(huán)流大了,發(fā)熱就大了,而且,開關(guān)管的內(nèi)阻1歐,通常也是選擇這個參數(shù),3000伏平均1安就是300瓦,那么,7安的選擇差不多了,發(fā)熱的原因估計就是嘍電感造成的,那么,你的變壓器的繞法是怎樣的,涼曬一些就知道了,首先,輸出電壓是多少,回答一下。
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2016-04-16 20:17
@zhangyiping
你的輸出的電壓估計低吧,那么,漏電感就大,開關(guān)管的環(huán)流大了,發(fā)熱就大了,而且,開關(guān)管的內(nèi)阻1歐,通常也是選擇這個參數(shù),3000伏平均1安就是300瓦,那么,7安的選擇差不多了,發(fā)熱的原因估計就是嘍電感造成的,那么,你的變壓器的繞法是怎樣的,涼曬一些就知道了,首先,輸出電壓是多少,回答一下。

我這個是通過NE555IC 的時基電路輸出PWM來控制MOS的導(dǎo)通,第三腳的輸出我是通過控制第6,第7腳來改變,所以沒有開關(guān)變壓器的存在

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2016-04-16 20:18
@criky
理論上說MOSFET上電壓達(dá)到閾值電壓時,MOSFET管導(dǎo)通,這時候需要一個大的電流讓MOSFET管VDS兩端快速導(dǎo)通讓MOSFET管停留在平臺電壓的時間短這樣發(fā)熱量就低。我學(xué)到的知識是這樣解釋。我查資料7N60的RDS(ON)1.0?,也算大的吧我也是個新手,期待大蝦給答案。樓主知道解決方法麻煩也貼出了分享一下。
有試過0.64歐內(nèi)阻的MOS管,沒有太大的效果
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zhangyiping
LV.9
13
2016-04-16 21:18
@月影無月
有試過0.64歐內(nèi)阻的MOS管,沒有太大的效果
輸出電壓是多少,變壓器怎么繞的,才好判斷了,否則有一些說不清楚了。0,64歐的其實差不多機會是一樣的。
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ban.ma
LV.1
14
2016-04-18 09:55
@月影無月
我換成100歐發(fā)熱也是很嚴(yán)重
這個圖MOS導(dǎo)通后不直接短路了?分析其它什么都沒有意義了吧

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