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反激QR+SR效率低,電源小白求助

原理圖

我做一個(gè)反激QR+SR的時(shí)候,測(cè)量效率好低,帶2A負(fù)載的時(shí)候效率只有70左右,求大神幫助。

GAS0002這個(gè)是VDS和次級(jí)的VGS,

帶2A負(fù)載VDS和IP的關(guān)系這個(gè)是初級(jí)的VDS和IP,

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2016-12-29 11:54

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2016-12-29 11:56
@dz13154660
[圖片]

這個(gè)是同步整流的芯片資料

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2016-12-29 18:32
@dz13154660
[圖片]這個(gè)是同步整流的芯片資料
你這哪是QR, 這都在DCM, 效率當(dāng)然低,原邊圈數(shù)往上加重調(diào)..... 
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2016-12-29 19:12

初級(jí)VDS關(guān)斷瞬間的波形沒(méi)有全部顯示啊。這么多尖尖的,會(huì)有二次開通。

是5V輸出嗎?滿載多少A?現(xiàn)在第7個(gè)谷底導(dǎo)通,再加大負(fù)載看看。

可以先用肖特基調(diào)好QR再接上SR,這樣起碼可以知道是哪里出現(xiàn)問(wèn)題。一部分一部分調(diào)試,事半功倍

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2017-01-23 11:11
已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫(kù)嘍
http://www.e-ticket.cn/bbs/classic/
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2017-02-04 10:26
5V2A 的效率才70%確實(shí)比較低,一般QR+SR的,PCB板邊能效到83%左右沒(méi)有什么問(wèn)題的。從原理圖上看,主要的原因是變壓器參數(shù)不合理,感量太低,進(jìn)入了深度DCM,初次級(jí)邊電流有效值太高,能效自然就低了??梢赃m當(dāng)?shù)募哟笞儔浩麟姼小S肊F25的變壓器,可以采用75:5:14T的匝比,感量放到1.2-1.6mH??梢宰対M載工作在CCM(需看后級(jí)SR芯片是否能工作在CCM模式下),在75%負(fù)載及以下工作在DCM模式(QR)下,這樣能效才高。另外從VDS的波形上看,RCD的吸收是不是太重了?你把RCD的吸收電容C1可以改為102K/1KV,去掉VDS對(duì)地的吸收電容C16(比較影響能效,需確認(rèn)輻射OK)。因?yàn)楣β时容^小,RCD的二極管D2可以改成慢管M7 SMA來(lái)降低VDS的尖峰。另外輸出電容也不用那么大,2個(gè)1000uF/10V的電容就足夠了。如果只是5V2A,輸入大電容C3采用22uF/400V就足夠了。
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2017-02-07 14:08
只是一個(gè)5V2A的。搞得這么復(fù)雜。。。
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2017-02-13 11:00
你好!用反激同步整流IC, 代替輸出端的肖特基整流二極管,針對(duì)5V輸出,負(fù)載電流2-4A電流產(chǎn)品。整體輸出效率提高3%左右,極大改善溫度和EMI,無(wú)外圍元件,封裝SM-7,不占用PCB空間,如果有需要請(qǐng)聯(lián)系??梢蕴峁┵Y料和樣品測(cè)試。
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ledadlee
LV.2
10
2017-04-09 14:12
@dz13154660
[圖片]

 上傳有問(wèn)題

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yxc1992
LV.4
11
2017-04-11 16:52
@聽雨瀟瀟
你好!用反激同步整流IC,代替輸出端的肖特基整流二極管,針對(duì)5V輸出,負(fù)載電流2-4A電流產(chǎn)品。整體輸出效率提高3%左右,極大改善溫度和EMI,無(wú)外圍元件,封裝SM-7,不占用PCB空間,如果有需要請(qǐng)聯(lián)系??梢蕴峁┵Y料和樣品測(cè)試。
變壓器感量太低,調(diào)整到230V滿載出現(xiàn)2個(gè)波谷就好了,還有你前級(jí)RCD加了多少,漏感電壓都看不到了
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