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這里有點(diǎn)冷，不見有回復(fù)~

不是沒人回, 是因?yàn)檗捖房刂票緛砭托枰]迴路, 開迴路除非輸出功率等於輸入功率, 不然當(dāng)你輸入一值增大, 輸出功率沒變的情況, 

其他功率跑哪?當(dāng)然是轉(zhuǎn)成熱, 而熱當(dāng)然是VI造成的, 所以你燒驅(qū)動(dòng)還好, 再大一點(diǎn)連功率管都燒....

這情況誰會(huì)回你.....

有點(diǎn)不明白：為什么要加LM317，C8、C9還用這么??？Z5、Z6穩(wěn)壓值合適嗎？

為什么說輸出功率不變呢？當(dāng)輸入功率增大的時(shí)候，輸出功率也會(huì)隨之增大啊~

按照版主的意思是，根本不能進(jìn)行開環(huán)測試嗎？

恕我無知，我只是循序漸進(jìn)地來測試；若有可笑之處，希望能指正；

用LM317的原因是為了給驅(qū)動(dòng)芯片供電，提供20V左右的電壓；

C8，C9容值的選擇需要什么特殊的注意事項(xiàng)嗎？請指導(dǎo)

Z5 Z6并未同時(shí)使用，且在現(xiàn)在的測試過程中，兩個(gè)都未焊接

輸出功率變大是因?yàn)閂變高, 若你輸出的負(fù)載是一個(gè)定電流, 則開環(huán)路後Buck電壓Vo會(huì)接近Vi  Io = Ii  但是條件是 Dmax = 100%

若你的Dmax = 90% 那麼 Vo= Vi * 0.9  Io = Ii 不變, 若是如此, 那你電壓一值上升, Dmax不變, Vo上升, Io不變, Ii 開始變化, 主要是儲(chǔ)能電感激磁關(guān)係, 且MOS管也因?yàn)殡妷焊唛_始產(chǎn)生Switch Loss, 驅(qū)動(dòng)管因?yàn)殡妷焊? Dmax很大相當(dāng)抽取大電流, 所以驅(qū)動(dòng)也產(chǎn)生Loss

當(dāng)這情況產(chǎn)生, 則 Ii > Io  Pi > Po  Vo= Vi * Dmax  這樣會(huì)燒麼你覺得?

而同步型Buck的 Dmax 一般介於90-95% 之間, 為何?因?yàn)閮蛇叡仨氂幸粋€(gè)死區(qū)約佔(zhàn)2%, 下橋Mos不可以全開佔(zhàn)3%........

如果用15V模塊，就可以省掉317降壓，這兩個(gè)電容一般用10uf以上。后面幾個(gè)穩(wěn)壓管起保護(hù)作用，正常情況下不應(yīng)該導(dǎo)通，會(huì)增大驅(qū)動(dòng)損耗。

首先謝謝版主的回復(fù)！版主針對這三處均由闡述，很仔細(xì)！尤其最后一條，我會(huì)采納；

至于電容的容值，可能是我過于呆板了，我只是按照LM317的datasheet中所顯示的參數(shù)，

至于為何選這么個(gè)參數(shù)值，也的確不太明了。

首先，謝謝版主的回復(fù)。。真的很感謝~ 版主不要嫌麻煩，請耐心指導(dǎo)一下我~

接下來，我針對版主的回復(fù)談?wù)勛约旱目捶ǎ?

1.輸出的負(fù)載不是一個(gè)定電流，這個(gè)地方，應(yīng)該是版主寫錯(cuò)了，輸出的負(fù)載是一個(gè)定值電阻；

      并且即使是一個(gè)定電阻，【版主見諒】，開環(huán)路后為何Buck電壓Vo就會(huì)接近Vi呢？

2.這個(gè)開環(huán)測試，外加脈沖的占空比一直設(shè)置為50%；并且在我測試的過程中，我發(fā)現(xiàn)輸出電壓

     確為輸入電壓的1/2左右；輸出電流大于輸入電流，粗略算一下效率，也曾達(dá)到97%；

3.其實(shí)，我應(yīng)該在版主所說的“Dmax很大”這個(gè)地方糊涂了，不過版主所說的抽取很大電流這個(gè)地方，

我之前也想過，但更深一點(diǎn)的原因沒想通，“驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生Loss”這個(gè)地方也沒清楚！

  如果驅(qū)動(dòng)芯片抽取大電流這個(gè)地方理解通，則燒毀及電源模塊出現(xiàn)問題，我感覺真的是很自然得事兒！

嗯...定電流只是一個(gè)例子而已, 輸出負(fù)載可能是定電阻,像你所用一顆電阻值固定, 這就是定電阻,  也可能是定電壓, 像電池類, 或LED負(fù)載就是定電壓..

開環(huán)路就等於把輸出回饋回輸入的節(jié)點(diǎn)切斷才稱為開迴路, Vo接近Vi 條件是Dmax=100% 所以

1). 若你的佔(zhàn)空比一直維持在50:50不變, 那輸出電壓當(dāng)然是輸出的一半, 因?yàn)檩敵鲭妷菏欠讲ǜ叨扰c寬度的平均面積, 所以當(dāng)你輸入電壓上升, 輸出電壓也會(huì)跟著上升, 因?yàn)槭潜３衷?0:50的佔(zhàn)空比

而輸出上升,當(dāng)然電流就跟著上升, 因?yàn)殡娮韫潭? 若效率100%, 此時(shí) Pi = Vi * Ii ; Po =Vo* Io ; Vo =1/2Vi  ;  Io = 1/2Ii  因?yàn)?nbsp;Po=Pi  ,  但是當(dāng)電流上升時(shí), 由MOS流經(jīng)電感電流其峰值是呈現(xiàn)根號三的比值上升, 例如1A的平均電流其峰值為1.72A, 因?yàn)樗卿忼X波面積總和積分而來, 當(dāng)2A時(shí), 峰值為3.46A

因此MOS RDSon 固定, I持續(xù)增大, Mosfet 損失當(dāng)然會(huì)大...

2). 當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓隨輸入上升而上升, 意味著High 電位一直上升,當(dāng)上升到某個(gè)程度時(shí), 會(huì)因MOS的米勒效應(yīng)而對驅(qū)動(dòng)抽取更多電流, 但是一般做在IC內(nèi)的三極體

很不幸的其飽和電壓會(huì)因電流上升而上升, 不像外掛晶體有固定的飽和點(diǎn), 因此當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流上升而飽和電壓也上升, 則意味著驅(qū)動(dòng)管 PD = I * Vset 很大

所以整體的可能是, 你電壓上升到某個(gè)程度時(shí), 整體消耗突然變大..  

 

嗯，我閱讀了版主的回復(fù)。

1.首先，直到1)的末尾，我都是贊同的，只是中間版主可能出現(xiàn)了筆誤，應(yīng)是Io=2*Ii;

2.關(guān)于2)中的解釋，第一句“驅(qū)動(dòng)電壓隨輸入電壓上升而上升”，我沒太明白您的意思；

（1）首先驅(qū)動(dòng)芯片21850的供電電壓是20V電壓，自舉電容的充電也只有在Buck電路續(xù)流階段方可完成；

當(dāng)Buck電路工作在MOS管導(dǎo)通階段時(shí)，沒有充電過程，自舉電容儲(chǔ)存的電荷釋放，供給MOS管的柵源電容；

（2）您所提及的high電位是指MOS管的源極電位嗎？

（3）會(huì)因MOS管的效應(yīng)而對驅(qū)動(dòng)抽取更多的電流，具體是在哪個(gè)階段？

2017_01_09補(bǔ)充：按照我繪制的第一幅圖，可以看出，對于Cgs的充電，是由自舉電容經(jīng)過驅(qū)動(dòng)芯片輸出側(cè)推挽結(jié)構(gòu)

中的PMOS進(jìn)行的，即使由于密勒效應(yīng)的存在，抽取的電流也不是來自于驅(qū)動(dòng)芯片的供電電壓；

此外，第二幅圖片是我搜索的關(guān)于米勒效應(yīng)的一點(diǎn)東西，該圖片中顯示，MOS管漏極電位的升高會(huì)引起密勒平臺時(shí)間的

延長，未談及對抽取電流的影響；

可能是我理解得不夠充分，請指導(dǎo)！謝謝！

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2017_01_08補(bǔ)充：

抽取更多的電流，是指在buck電路續(xù)流階段？

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此外，按照版主的分析，驅(qū)動(dòng)芯片+自舉原理的驅(qū)動(dòng)方法只適用在低壓輸入的Buck電路中？

請版主指導(dǎo)~

自己量波形, 懶的打了

自舉電路不是萬能的, 用Choke去推反而較實(shí)在.....

嗯 謝謝版主 這個(gè)圖形不知來自什么資料 現(xiàn)在我驅(qū)動(dòng)芯片輸入端信號就像圖中所示，不是標(biāo)準(zhǔn)方波，頂部有些傾斜~

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2017_01_09晚補(bǔ)充，

其中版主15樓中圖片中的“SW”不曉得是何含義？

此外，我糾正一下，Buck低壓輸入時(shí)，用差分探頭觀察vgs波形，會(huì)發(fā)現(xiàn)vgs波形正常，頂部不傾斜，但上升沿有尖峰；

是當(dāng)我升壓，驅(qū)動(dòng)芯片損壞后，當(dāng)然此時(shí)vgs波形無，驅(qū)動(dòng)芯片輸入端的波形，不是標(biāo)準(zhǔn)方波，頂部有所傾斜，

且右下左上~

那我用看的就知道波形了.....

。。一直卡死在這里，沒有對策。。。

（1）還不想放棄這個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片自舉的方式。。

版主有沒有什么建議？在這個(gè)基礎(chǔ)上修改？

難道說我只能放棄這個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片+自舉的方式？

按照驅(qū)動(dòng)芯片datasheet上的參數(shù)來看，其至少能夠應(yīng)用在輸入為500V的Buck電路中~

（2）此外，版主上傳的圖，還不是很明白~

1). 因?yàn)槟闶褂冒胪椒绞揭訢iode落地, 因此, 當(dāng)輸出電流越大, VF只要一拉高, 則會(huì)因?yàn)槟芰酷尫挪煌耆? Peak 就會(huì)往上拉...

2). 自舉電路必須於下橋?qū)ㄡ徇M(jìn)行充電, 理論上自舉電容越大越好, 但是在頻率較高時(shí)會(huì)有充電的惰性, 所以通常電容大是用在頻率較低場合, 且當(dāng)Peak

(Mosfet_S)拉高後, 前後緣會(huì)出現(xiàn)尖峰, 很容易灌死Vs接腳, 且因?yàn)殡妷合陆翟斐傻匿h值電流會(huì)很高....

3)以下圖你參考看看吧....這種不怕尖峰..

另外你看我所畫的波形, 當(dāng)你閉迴路時(shí), 週期得到控制, 輸入電壓越高輸出保持, 表示Off期間對自舉電容充電時(shí)間加長, 你的波形就不會(huì)斜角的很厲害..

但是再使用二集體作續(xù)流時(shí), 依然會(huì)有Peak存在, 只是比較小而已....

首先，我對版主的指導(dǎo)表示感謝~從頭到尾都是版主在耐心講解~

我都不好意思再問了~

我再把帖子從頭到尾閱讀一下，實(shí)在不清楚的地方，還需麻煩版主，

請版主教誨~

版主好，關(guān)于版主12樓的闡述，我有些疑問，然后在13樓中繪制了一些圖，添加了一點(diǎn)資料，

請版主回復(fù)。。

請版主看一下16樓，我亦對于自己的疑問做了些補(bǔ)充~

15樓開環(huán)波形是以驅(qū)動(dòng)IC已經(jīng)給20V, 然後電壓從MOSFET_D端輸入, 然後緩慢上升........

1). 當(dāng)Vin , Vo , Ii ,Io, 都到達(dá)最高點(diǎn), 意味著續(xù)流二極體的電流也為最高點(diǎn), 因?yàn)檫L期 50:50 , 所以對於自舉電容而言, 並沒有因?yàn)檫L期改變而讓充電電荷變多或變少, 但, 反而是因?yàn)槔m(xù)流二極體VF的上昇, 而使充電電荷下降

2). 當(dāng)Mosfet D-S電壓一值上升, 會(huì)因?yàn)槊桌招?yīng)而使Ciss持續(xù)增大, 而自舉電容因?yàn)槟芰坎蛔? 

(註:米勒效應(yīng)為, 當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓後MOSFET就會(huì)進(jìn)入開通狀態(tài)。當(dāng)MOSFET開通後，Vds開始下降，Id開始上升，此時(shí)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)。但由於米勒效應(yīng)，Vgs會(huì)持續(xù)一段時(shí)間不再上升，此時(shí)Id已經(jīng)達(dá)到最大，而Vds還在繼續(xù)下降，直到米勒電容充滿電), 所以重點(diǎn)是你VDS一直在增加, ID也一直增加.. .......

在Get 持續(xù)抽取電流下VB對VS電壓往下降 Ig 往上升, 理論上在續(xù)流二極體端使用Mosfet當(dāng)同步整流, 那推動(dòng)方波前緣不應(yīng)該有尖波, 但是因?yàn)槭褂玫氖嵌O體因此在Mosfet導(dǎo)通初期被Peak往上帶, 且續(xù)流二極體與自舉充電兩個(gè)電流相反,因此在後緣會(huì)有一個(gè)往下尖波, 所以電壓越大電流越大, 尖波越大, 方波越斜, 雖然所使用的驅(qū)動(dòng)為4A,高耐壓, 但這跟整體操作無關(guān)......

方波斜度越斜, 到底瞬間抽多少電流誰知道....另一個(gè)是往下尖波以差動(dòng)探棒對VB與VS測量, 當(dāng)VS出現(xiàn)超過-0.3V Linear限制時(shí), 半導(dǎo)體很容易掛點(diǎn)

3). SW波形你會(huì)看到Low Active電流越小越接近地, 電流越大墊上來的電壓越高, 主要就是VF所引起的.......

4). 閉環(huán)路一經(jīng)說過了...

深夜回復(fù)，謝謝！?。?/div>