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InnoSwitch-CP——Off-Line CV/CC Flyback Switcher IC with Integrated 650 V MOSFET

InnoSwitch-CP

Off-Line CV/CC Flyback Switcher IC with Integrated 650 V MOSFET

Typical Application/Performance


數(shù)據(jù)手冊(cè):

集成650 V MOSFET的恒壓/恒流離線反激式開(kāi)關(guān)電源IC (2.04 MB)

innoswitch-cp_family_datasheetCN.pdf

產(chǎn)品詳情:

InnoSwitch?-CP系列IC可極大簡(jiǎn)化低壓大電流電源的開(kāi)發(fā)和制造,尤其是那些采用緊湊外殼或需要滿足高效率要求的電源。InnoSwitch-CP的架構(gòu)極具革新性,因?yàn)樵撈骷瑫r(shí)將初級(jí)和次級(jí)控制器以及檢測(cè)元件和符合安全標(biāo)準(zhǔn)的反饋機(jī)制集成到了單個(gè)IC中。

由于元件間距更為緊湊并且創(chuàng)新地采用了集成通訊鏈路,因此能夠?qū)Υ渭?jí)側(cè)同步整流MOSFET進(jìn)行精確控制以及對(duì)初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)進(jìn)行優(yōu)化,從而在整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)維持高效率。此外,鏈路的最低DC偏置要求使得系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)低于10 mW的空載功耗。

產(chǎn)品特色

高度集成,外形緊湊

  • 集成了反激式控制器、650 V MOSFET、次級(jí)側(cè)檢測(cè)和同步整流驅(qū)動(dòng)器
  • 可提供恒功率,使充電時(shí)間縮至最短
  • 可優(yōu)化變壓器及外圍元件
  • 反饋方式采用內(nèi)部集成的FluxLink?技術(shù),且滿足HIPOT(高壓絕緣)要求
  • 優(yōu)異的恒壓(CV)精度,不受變壓器及電路板元件差異的影響

EcoSmart?– 高效節(jié)能

  • 在230 VAC下空載功耗<10 mW(由變壓器偏置繞組供電)
  • 輕松滿足全球所有能效標(biāo)準(zhǔn)

先進(jìn)的保護(hù)/安全特性

  • 初級(jí)檢測(cè)輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)
  • 次級(jí)檢測(cè)輸出過(guò)沖箝位
  • 次級(jí)檢測(cè)輸出過(guò)流保護(hù)(OCP)(輸出電壓降至零時(shí)仍能工作)
  • 遲滯熱關(guān)斷保護(hù)
  • 對(duì)輸入電壓進(jìn)行監(jiān)測(cè),以便進(jìn)行精確的電壓緩升/跌落保護(hù)和過(guò)壓保護(hù)

完全滿足安規(guī)要求

  • 生產(chǎn)時(shí)100%的產(chǎn)品進(jìn)行6 kV DC時(shí)間為1秒的HIPOT合規(guī)性測(cè)試
  • 加強(qiáng)絕緣
  • 絕緣強(qiáng)度 >3,500 VAC
  • 通過(guò)UL1577和TUV (EN60950)安全認(rèn)證
  • 符合EN61000-4-8 (100 A/m)和EN61000-4-9 (1000 A/m)標(biāo)準(zhǔn)

綠色封裝

  • 無(wú)鹵素且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用

  • QC 3.0及USB PD(供電設(shè)備)充電器
輸出功率:


111

注釋:

  1. 最小連續(xù)輸出功率是在典型的特定尺寸無(wú)風(fēng)冷密閉適配器中、環(huán)境溫度為40°C的條件下測(cè)量得到的。最大輸出功率取決于設(shè)計(jì)。前提條件是封裝溫度必須< = 125°C。
  2. 最小峰值功率。
  3. 封裝: K: eSOP-R16B.
產(chǎn)品資料:


packageinfo.pdf

設(shè)計(jì)范例:

der494.pdf

der567.pdf

產(chǎn)品圖片:


全部回復(fù)(26)
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lingyan
LV.8
2
2017-04-26 19:40
學(xué)習(xí)了
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這個(gè)我資料我前面下載過(guò)。
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2017-06-04 21:14
@原來(lái)會(huì)員名可以很長(zhǎng)的
這個(gè)我資料我前面下載過(guò)。
InnoSwitch是利用PluxLink實(shí)現(xiàn)初級(jí)和次級(jí)的交互,這樣直接輸出電壓和電流可以進(jìn)行精確的控制
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wyhl
LV.8
5
2017-07-05 17:29
@wengnaibing
InnoSwitch是利用PluxLink實(shí)現(xiàn)初級(jí)和次級(jí)的交互,這樣直接輸出電壓和電流可以進(jìn)行精確的控制
Inn2215設(shè)計(jì)IPAD等適配器很不錯(cuò)的方案選擇,還可支持快充設(shè)備充電。
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2017-07-11 21:01
@wyhl
Inn2215設(shè)計(jì)IPAD等適配器很不錯(cuò)的方案選擇,還可支持快充設(shè)備充電。
支持快充設(shè)備充電還需要搭配CHY的芯片,功率比較小,最大只能做到25W
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謝厚林
LV.12
7
2017-08-07 08:55
@wengnaibing
InnoSwitch是利用PluxLink實(shí)現(xiàn)初級(jí)和次級(jí)的交互,這樣直接輸出電壓和電流可以進(jìn)行精確的控制
fluxlink磁耦合技術(shù)
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2017-08-13 06:34
Innoswitch-cp采用外部電阻實(shí)現(xiàn)精確的功率控制,電纜補(bǔ)償300mV.
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2017-08-13 06:36
@謝厚林
fluxlink磁耦合技術(shù)
FLuxLink磁耦合技術(shù),無(wú)需光耦即可實(shí)現(xiàn)隔離,這樣系統(tǒng)電路既具有次級(jí)側(cè)控制的優(yōu)勢(shì),穩(wěn)定性也可以提供。
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2017-09-29 17:19
@大海的兒子
Innoswitch-cp采用外部電阻實(shí)現(xiàn)精確的功率控制,電纜補(bǔ)償300mV.
學(xué)習(xí)了?。?!
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wangshujun
LV.8
11
2017-10-26 10:48
這個(gè)系列的價(jià)格如何,芯片現(xiàn)貨好買不
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k8882002
LV.9
12
2017-11-09 19:24
@wangshujun
這個(gè)系列的價(jià)格如何,芯片現(xiàn)貨好買不
InnoSwitch已經(jīng)出InnoSwitch3了,在任何輸入電壓及負(fù)載條件下均可提供94%以上的效率,空載功耗也能做到小于20mW
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k8882002
LV.9
13
2017-11-09 19:25
@大海的兒子
FLuxLink磁感耦合技術(shù),無(wú)需光耦即可實(shí)現(xiàn)隔離,這樣系統(tǒng)電路既具有次級(jí)側(cè)控制的優(yōu)勢(shì),穩(wěn)定性也可以提供。
耦合技術(shù)在體積、功耗、使用方面都有著光耦無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)
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k8882002
LV.9
14
2017-11-09 19:26
@wengnaibing
支持快充設(shè)備充電還需要搭配CHY的芯片,功率比較小,最大只能做到25W
可以選InnoSwitch3了,這個(gè)系列有的芯片最大可以做到65W的功率。
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k8882002
LV.9
15
2017-11-09 19:28
@wengnaibing
支持快充設(shè)備充電還需要搭配CHY的芯片,功率比較小,最大只能做到25W
InnoSwitch+CHY103支持快充QC3.0,QC3.0快充已經(jīng)很普及了,很多手機(jī)充電器都在使用,目前快充已經(jīng)發(fā)展到了QC4.0
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tabing_dt
LV.10
16
2018-01-06 21:32
@謝厚林
fluxlink磁耦合技術(shù)
磁耦合隔離電路設(shè)計(jì) 在電路設(shè)計(jì)中,數(shù)字信號(hào)的隔離傳輸電路是比較常用的電路
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tabing_dt
LV.10
17
2018-01-06 21:34
@大海的兒子
Innoswitch-cp采用外部電阻實(shí)現(xiàn)精確的功率控制,電纜補(bǔ)償300mV.
InnoSwitch?-CP采用的恒功率輸出技術(shù),可以搭配QC3.0或者USB-PD自適應(yīng)電壓協(xié)議。
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tabing_dt
LV.10
18
2018-01-06 21:37
@k8882002
InnoSwitch已經(jīng)出InnoSwitch3了,在任何輸入電壓及負(fù)載條件下均可提供94%以上的效率,空載功耗也能做到小于20mW
19V輸出的空載功耗小于30mW,5V輸出的空載功耗更是低于20mW,網(wǎng)上看到的,希望后面有機(jī)會(huì)試一下看能不能做到這么小的空載功耗。
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2018-01-10 21:59
@大海的兒子
Innoswitch-cp采用外部電阻實(shí)現(xiàn)精確的功率控制,電纜補(bǔ)償300mV.
Innoswitch芯片一般都有電纜補(bǔ)償版本和不帶電纜補(bǔ)償兩個(gè)版本的型號(hào)可供選擇。
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2018-01-26 09:19
mark一下
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trllgh
LV.9
21
2018-06-09 19:51
@k8882002
InnoSwitch+CHY103支持快充QC3.0,QC3.0快充已經(jīng)很普及了,很多手機(jī)充電器都在使用,目前快充已經(jīng)發(fā)展到了QC4.0
相對(duì)QC2.0來(lái)說(shuō),QC3.0會(huì)使手機(jī)充電的時(shí)候發(fā)熱降低,目前手機(jī)充電方案大部分還是用QC3.0比較多。
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trllgh
LV.9
22
2018-06-09 19:53
@k8882002
InnoSwitch+CHY103支持快充QC3.0,QC3.0快充已經(jīng)很普及了,很多手機(jī)充電器都在使用,目前快充已經(jīng)發(fā)展到了QC4.0
InnoSwitch-CP的恒功率輸出可以為QC3.0應(yīng)用提供最佳的充電性能。
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trllgh
LV.9
23
2018-06-09 20:31
@k8882002
InnoSwitch+CHY103支持快充QC3.0,QC3.0快充已經(jīng)很普及了,很多手機(jī)充電器都在使用,目前快充已經(jīng)發(fā)展到了QC4.0
CHY103完全支持QC3.0的協(xié)議,它是物理型接口的IC,同時(shí)可以兼容QC2.0、QC3.0。
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spowergg
LV.10
24
2018-06-09 20:41
@k8882002
磁感耦合技術(shù)在體積、功耗、使用方面都有著光耦無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)
磁耦是基于芯片級(jí)的變壓器隔離技術(shù),沒(méi)有經(jīng)光耦的光電轉(zhuǎn)換過(guò)程
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dbg_ux
LV.9
25
2018-06-09 20:59
@tabing_dt
磁耦合隔離電路設(shè)計(jì)在電路設(shè)計(jì)中,數(shù)字信號(hào)的隔離傳輸電路是比較常用的電路
磁耦合隔離的話更可靠,體積遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)的光電耦合器件
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dbg_ux
LV.9
26
2018-06-09 21:00
@tabing_dt
19V輸出的空載功耗小于30mW,5V輸出的空載功耗更是低于20mW,網(wǎng)上看到的,希望后面有機(jī)會(huì)試一下看能不能做到這么小的空載功耗。
InnoSwitch3的空載功耗30mW確實(shí)很低,基本上不耗電了,充電器插在插座上都不用拔了。
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謝厚林
LV.12
27
2018-07-05 13:45
@dbg_ux
InnoSwitch3的空載功耗30mW確實(shí)很低,基本上不耗電了,充電器插在插座上都不用拔了。
InnoSwitch-EP確實(shí)不適合做充電器,適合在家電電源上使用
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