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關(guān)于電源濾波電感設(shè)計的問題(boost中)

1 鐵芯手冊中一般是給出在一定磁場強(qiáng)度Hm(單位是A/m)下的電感的
  飽和磁通密度Bm,是不是就是說在Hm下,鐵芯就飽和了?

2 如果1成立,那么在選擇鐵芯的時候是不是應(yīng)該保證 H= N*I/L < Hm ?
  其中N為匝數(shù),I為最大電感電流,L為電感的等效長度
  也就說是,只要保證H
3 看到Magnetics Inc. 的產(chǎn)品選型手冊中,是以LI^2來選擇鐵芯,不知
  道和上述有什么關(guān)系

多謝指教
全部回復(fù)(14)
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2008-03-31 13:00
對于您的第一,二點(diǎn)我贊同您的說法..
但要注意,如有 Air gap 就不一定.
對于您的第三點(diǎn): 其實(shí)LI^2也是根據(jù) 安培環(huán)路定律 來看其 "H"值的..
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xinggl
LV.2
3
2008-03-31 13:15
@transformer1
對于您的第一,二點(diǎn)我贊同您的說法..但要注意,如有Airgap就不一定.對于您的第三點(diǎn):其實(shí)LI^2也是根據(jù)安培環(huán)路定律來看其"H"值的..
能具體講以下考察LI^2與考察H之間的關(guān)系嗎?
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2008-03-31 13:33
@xinggl
能具體講以下考察LI^2與考察H之間的關(guān)系嗎?
好..
  稍晚些才能給您喔..
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xinggl
LV.2
5
2008-03-31 13:47
@transformer1
好..  稍晚些才能給您喔..
多謝多謝,贊
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2008-03-31 19:17
@xinggl
多謝多謝,贊
因本人水平有限,回答是:
  LI^2 和 H 有一個共同因素,那就是 電流"I"
LI^2 表示的意義有點(diǎn)類似于"AP"的概念,"H" 可表示為: H= NI/L ..在把兩者拉到同一起點(diǎn)來看...
也就是說同一core, 如電流越大,則core的尺寸就會越大,則"H"值也就會越大..
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xinggl
LV.2
7
2008-04-01 10:04
@transformer1
因本人水平有限,回答是:  LI^2和H有一個共同因素,那就是電流"I"LI^2表示的意義有點(diǎn)類似于"AP"的概念,"H"可表示為:H=NI/L..在把兩者拉到同一起點(diǎn)來看...也就是說同一core,如電流越大,則core的尺寸就會越大,則"H"值也就會越大..
多謝transformer1
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2008-04-01 16:42
@mimosa
L*I^2=N*B*Ae*I=B*Ae*H*Le=Ae*Le*Bm^2/μ.(Bm是個建議的安全使用值)這樣L*I^2便跟體積(Ae*Le)和μ扯上關(guān)系了,可以用它來選擇最低要求的磁環(huán)了.我的水平也不怎樣,不知對不對呢?
好...
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mimosa
LV.4
9
2008-04-01 16:56
@transformer1
因本人水平有限,回答是:  LI^2和H有一個共同因素,那就是電流"I"LI^2表示的意義有點(diǎn)類似于"AP"的概念,"H"可表示為:H=NI/L..在把兩者拉到同一起點(diǎn)來看...也就是說同一core,如電流越大,則core的尺寸就會越大,則"H"值也就會越大..
L*I^2 =N*B*Ae*I =B*Ae*H*Le =Ae*Le*Bm^2/μ .(Bm是個建議的安全使用值)
這樣L*I^2便跟體積(Ae*Le)和μ 扯上關(guān)系了,可以用它來選擇最低要求的磁環(huán)了.
我的水平也不怎樣,不知對不對呢?
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xinggl
LV.2
10
2008-04-02 09:52
@mimosa
L*I^2=N*B*Ae*I=B*Ae*H*Le=Ae*Le*Bm^2/μ.(Bm是個建議的安全使用值)這樣L*I^2便跟體積(Ae*Le)和μ扯上關(guān)系了,可以用它來選擇最低要求的磁環(huán)了.我的水平也不怎樣,不知對不對呢?
謝謝
有一點(diǎn)疑惑,你給的公式從L*I^2的角度選擇了鐵芯(也就是選定了:Ae,le,μ,以及Bm),但從N*I=H*le=le*Bm/μ的角度是否能保證鐵芯不會飽和?
因?yàn)?
    在這個公式(N*I=H*le=le*Bm/μ)里不涉及鐵芯的截面積,而在L*I^2 =N*B*Ae*I =B*Ae*H*Le =Ae*Le*Bm^2/μ中涉及到了鐵芯的截面積,直觀來看可以通過增大Ae來提高L*I^2的能力,但是否有可能在滿足了此公式的時候,鐵芯已經(jīng)飽和了?
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mimosa
LV.4
11
2008-04-02 10:48
@xinggl
謝謝有一點(diǎn)疑惑,你給的公式從L*I^2的角度選擇了鐵芯(也就是選定了:Ae,le,μ,以及Bm),但從N*I=H*le=le*Bm/μ的角度是否能保證鐵芯不會飽和?因?yàn)?    在這個公式(N*I=H*le=le*Bm/μ)里不涉及鐵芯的截面積,而在L*I^2=N*B*Ae*I=B*Ae*H*Le=Ae*Le*Bm^2/μ中涉及到了鐵芯的截面積,直觀來看可以通過增大Ae來提高L*I^2的能力,但是否有可能在滿足了此公式的時候,鐵芯已經(jīng)飽和了?
Bm是不飽和值,所以根據(jù)廠家的曲線來選,是不會飽和的.
因?yàn)槿绻阍龃驛e,即選大一點(diǎn)的磁環(huán),磁環(huán)的le也跟著增大啊.

N*I=H*le=le*Bm/μ 里,N*I不變下,le增大后,B不是反而更低嗎?
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xinggl
LV.2
12
2008-04-02 10:50
@mimosa
Bm是不飽和值,所以根據(jù)廠家的曲線來選,是不會飽和的.因?yàn)槿绻阍龃驛e,即選大一點(diǎn)的磁環(huán),磁環(huán)的le也跟著增大啊.N*I=H*le=le*Bm/μ里,N*I不變下,le增大后,B不是反而更低嗎?
具體的磁環(huán)的尺寸規(guī)格我不太了解
想當(dāng)然地認(rèn)為:
le不變的情況下,應(yīng)該可以使Ae增大吧
因?yàn)?
外徑0D
內(nèi)徑ID
高H
le=(OD+ID)/2
Ae=H*(OD-ID)/2

OD適當(dāng)增大,ID適當(dāng)減小
則可使le不變的情況下Ae增大

當(dāng)然如果磁環(huán)的尺寸規(guī)格中也許不存在這種情況
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mimosa
LV.4
13
2008-04-02 11:22
@xinggl
具體的磁環(huán)的尺寸規(guī)格我不太了解想當(dāng)然地認(rèn)為:le不變的情況下,應(yīng)該可以使Ae增大吧因?yàn)?外徑0D內(nèi)徑ID高Hle=(OD+ID)/2Ae=H*(OD-ID)/2OD適當(dāng)增大,ID適當(dāng)減小則可使le不變的情況下Ae增大當(dāng)然如果磁環(huán)的尺寸規(guī)格中也許不存在這種情況
你最后的一句是對的.
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xinggl
LV.2
14
2008-04-02 13:15
@mimosa
你最后的一句是對的.
多謝了
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selina1983
LV.4
15
2012-03-15 15:39
@xinggl
具體的磁環(huán)的尺寸規(guī)格我不太了解想當(dāng)然地認(rèn)為:le不變的情況下,應(yīng)該可以使Ae增大吧因?yàn)?外徑0D內(nèi)徑ID高Hle=(OD+ID)/2Ae=H*(OD-ID)/2OD適當(dāng)增大,ID適當(dāng)減小則可使le不變的情況下Ae增大當(dāng)然如果磁環(huán)的尺寸規(guī)格中也許不存在這種情況
學(xué)習(xí)
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