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電源技術(shù)綜合區(qū)
關(guān)于電源濾波電感設(shè)計(jì)的問(wèn)題(boost中)
關(guān)于電源濾波電感設(shè)計(jì)的問(wèn)題(boost中)
1 鐵芯手冊(cè)中一般是給出在一定磁場(chǎng)強(qiáng)度Hm(單位是A/m)下的電感的
飽和磁通密度Bm,是不是就是說(shuō)在Hm下,鐵芯就飽和了?
2 如果1成立,那么在選擇鐵芯的時(shí)候是不是應(yīng)該保證 H= N*I/L < Hm ?
其中N為匝數(shù),I為最大電感電流,L為電感的等效長(zhǎng)度
也就說(shuō)是,只要保證H
3 看到Magnetics Inc. 的產(chǎn)品選型手冊(cè)中,是以LI^2來(lái)選擇鐵芯,不知
道和上述有什么關(guān)系
多謝指教
全部回復(fù)(14)
只看樓主
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現(xiàn)在還沒(méi)有回復(fù)呢,說(shuō)說(shuō)你的想法
transformer1
LV.10
2
2008-03-31 13:00
對(duì)于您的第一,二點(diǎn)我贊同您的說(shuō)法..
但要注意,如有 Air gap 就不一定.
對(duì)于您的第三點(diǎn): 其實(shí)LI^2也是根據(jù) 安培環(huán)路定律 來(lái)看其 "H"值的..
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xinggl
LV.2
3
2008-03-31 13:15
@transformer1
對(duì)于您的第一,二點(diǎn)我贊同您的說(shuō)法..但要注意,如有Airgap就不一定.對(duì)于您的第三點(diǎn):其實(shí)LI^2也是根據(jù)安培環(huán)路定律來(lái)看其"H"值的..
能具體講以下考察LI^2與考察H之間的關(guān)系嗎?
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transformer1
LV.10
4
2008-03-31 13:33
@xinggl
能具體講以下考察LI^2與考察H之間的關(guān)系嗎?
好..
稍晚些才能給您喔..
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xinggl
LV.2
5
2008-03-31 13:47
@transformer1
好.. 稍晚些才能給您喔..
多謝多謝,贊
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transformer1
LV.10
6
2008-03-31 19:17
@xinggl
多謝多謝,贊
因本人水平有限,回答是:
LI^2 和 H 有一個(gè)共同因素,那就是 電流"I"
LI^2 表示的意義有點(diǎn)類似于"AP"的概念,"H" 可表示為: H= NI/L ..在把兩者拉到同一起點(diǎn)來(lái)看...
也就是說(shuō)同一core, 如電流越大,則core的尺寸就會(huì)越大,則"H"值也就會(huì)越大..
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xinggl
LV.2
7
2008-04-01 10:04
@transformer1
因本人水平有限,回答是: LI^2和H有一個(gè)共同因素,那就是電流"I"LI^2表示的意義有點(diǎn)類似于"AP"的概念,"H"可表示為:H=NI/L..在把兩者拉到同一起點(diǎn)來(lái)看...也就是說(shuō)同一core,如電流越大,則core的尺寸就會(huì)越大,則"H"值也就會(huì)越大..
多謝transformer1
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transformer1
LV.10
8
2008-04-01 16:42
@mimosa
L*I^2=N*B*Ae*I=B*Ae*H*Le=Ae*Le*Bm^2/μ.(Bm是個(gè)建議的安全使用值)這樣L*I^2便跟體積(Ae*Le)和μ扯上關(guān)系了,可以用它來(lái)選擇最低要求的磁環(huán)了.我的水平也不怎樣,不知對(duì)不對(duì)呢?
好...
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mimosa
LV.4
9
2008-04-01 16:56
@transformer1
因本人水平有限,回答是: LI^2和H有一個(gè)共同因素,那就是電流"I"LI^2表示的意義有點(diǎn)類似于"AP"的概念,"H"可表示為:H=NI/L..在把兩者拉到同一起點(diǎn)來(lái)看...也就是說(shuō)同一core,如電流越大,則core的尺寸就會(huì)越大,則"H"值也就會(huì)越大..
L*I^2 =N*B*Ae*I =B*Ae*H*Le =Ae*Le*Bm^2/μ .(Bm是個(gè)建議的安全使用值)
這樣L*I^2便跟體積(Ae*Le)和μ 扯上關(guān)系了,可以用它來(lái)選擇最低要求的磁環(huán)了.
我的水平也不怎樣,不知對(duì)不對(duì)呢?
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xinggl
LV.2
10
2008-04-02 09:52
@mimosa
L*I^2=N*B*Ae*I=B*Ae*H*Le=Ae*Le*Bm^2/μ.(Bm是個(gè)建議的安全使用值)這樣L*I^2便跟體積(Ae*Le)和μ扯上關(guān)系了,可以用它來(lái)選擇最低要求的磁環(huán)了.我的水平也不怎樣,不知對(duì)不對(duì)呢?
謝謝
有一點(diǎn)疑惑,你給的公式從L*I^2的角度選擇了鐵芯(也就是選定了:Ae,le,μ,以及Bm),但從N*I=H*le=le*Bm/μ的角度是否能保證鐵芯不會(huì)飽和?
因?yàn)?
在這個(gè)公式(N*I=H*le=le*Bm/μ)里不涉及鐵芯的截面積,而在L*I^2 =N*B*Ae*I =B*Ae*H*Le =Ae*Le*Bm^2/μ中涉及到了鐵芯的截面積,直觀來(lái)看可以通過(guò)增大Ae來(lái)提高L*I^2的能力,但是否有可能在滿足了此公式的時(shí)候,鐵芯已經(jīng)飽和了?
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mimosa
LV.4
11
2008-04-02 10:48
@xinggl
謝謝有一點(diǎn)疑惑,你給的公式從L*I^2的角度選擇了鐵芯(也就是選定了:Ae,le,μ,以及Bm),但從N*I=H*le=le*Bm/μ的角度是否能保證鐵芯不會(huì)飽和?因?yàn)? 在這個(gè)公式(N*I=H*le=le*Bm/μ)里不涉及鐵芯的截面積,而在L*I^2=N*B*Ae*I=B*Ae*H*Le=Ae*Le*Bm^2/μ中涉及到了鐵芯的截面積,直觀來(lái)看可以通過(guò)增大Ae來(lái)提高L*I^2的能力,但是否有可能在滿足了此公式的時(shí)候,鐵芯已經(jīng)飽和了?
Bm是不飽和值,所以根據(jù)廠家的曲線來(lái)選,是不會(huì)飽和的.
因?yàn)槿绻阍龃驛e,即選大一點(diǎn)的磁環(huán),磁環(huán)的le也跟著增大啊.
N*I=H*le=le*Bm/μ 里,N*I不變下,le增大后,B不是反而更低嗎?
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xinggl
LV.2
12
2008-04-02 10:50
@mimosa
Bm是不飽和值,所以根據(jù)廠家的曲線來(lái)選,是不會(huì)飽和的.因?yàn)槿绻阍龃驛e,即選大一點(diǎn)的磁環(huán),磁環(huán)的le也跟著增大啊.N*I=H*le=le*Bm/μ里,N*I不變下,le增大后,B不是反而更低嗎?
具體的磁環(huán)的尺寸規(guī)格我不太了解
想當(dāng)然地認(rèn)為:
le不變的情況下,應(yīng)該可以使Ae增大吧
因?yàn)?
外徑0D
內(nèi)徑ID
高H
le=(OD+ID)/2
Ae=H*(OD-ID)/2
OD適當(dāng)增大,ID適當(dāng)減小
則可使le不變的情況下Ae增大
當(dāng)然如果磁環(huán)的尺寸規(guī)格中也許不存在這種情況
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mimosa
LV.4
13
2008-04-02 11:22
@xinggl
具體的磁環(huán)的尺寸規(guī)格我不太了解想當(dāng)然地認(rèn)為:le不變的情況下,應(yīng)該可以使Ae增大吧因?yàn)?外徑0D內(nèi)徑ID高Hle=(OD+ID)/2Ae=H*(OD-ID)/2OD適當(dāng)增大,ID適當(dāng)減小則可使le不變的情況下Ae增大當(dāng)然如果磁環(huán)的尺寸規(guī)格中也許不存在這種情況
你最后的一句是對(duì)的.
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xinggl
LV.2
14
2008-04-02 13:15
@mimosa
你最后的一句是對(duì)的.
多謝了
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selina1983
LV.4
15
2012-03-15 15:39
@xinggl
具體的磁環(huán)的尺寸規(guī)格我不太了解想當(dāng)然地認(rèn)為:le不變的情況下,應(yīng)該可以使Ae增大吧因?yàn)?外徑0D內(nèi)徑ID高Hle=(OD+ID)/2Ae=H*(OD-ID)/2OD適當(dāng)增大,ID適當(dāng)減小則可使le不變的情況下Ae增大當(dāng)然如果磁環(huán)的尺寸規(guī)格中也許不存在這種情況
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