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開關(guān)電容拓?fù)?/h1>
開關(guān)電容拓?fù)錇槭裁纯梢詫崿F(xiàn)軟開關(guān)，大家指點一下，LTC7820 號稱可以達到99%效率。

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紫蝶
LV.9
2
2018-06-14 16:41
有這么高的效率嗎？
0
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jianyedin
LV.9
3
2018-06-14 16:43
沒聽過‘開關(guān)電容’
0
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2018-06-14 18:14

這電路, 當(dāng)D=0.5 , RL = Vr 時, 電容對負(fù)載為全功率轉(zhuǎn)移, 沒有損失

控制IC以電容轉(zhuǎn)移, 由於電容為電流超前電壓滯後, 所以做降壓最適合, 省了電感的磁損與銅損

以接近0.5週期對電容充電

以接近0.5對負(fù)載放電

清空殘餘電荷, 你說這樣效率高不高?

0
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2018-06-15 08:40
@juntion
[圖片]這電路,當(dāng)D=0.5,RL=Vr時,電容對負(fù)載為全功率轉(zhuǎn)移,沒有損失控制IC以電容轉(zhuǎn)移,由於電容為電流超前電壓滯後,所以做降壓最適合,省了電感的磁損與銅損[圖片]以接近0.5週期對電容充電[圖片]以接近0.5對負(fù)載放電[圖片]清空殘餘電荷,你說這樣效率高不高?
這電路有意思，坐等學(xué)習(xí)。
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abcf
LV.2
6
2018-06-15 16:12
@juntion
[圖片]這電路,當(dāng)D=0.5,RL=Vr時,電容對負(fù)載為全功率轉(zhuǎn)移,沒有損失控制IC以電容轉(zhuǎn)移,由於電容為電流超前電壓滯後,所以做降壓最適合,省了電感的磁損與銅損[圖片]以接近0.5週期對電容充電[圖片]以接近0.5對負(fù)載放電[圖片]清空殘餘電荷,你說這樣效率高不高?
但是MOSFET 的損耗和BUCK 電路上管基本一樣吧，感覺MOSFET 沒有軟開關(guān)，只是少了電感損耗。
0
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jrc961
LV.3
7
2018-06-16 15:05

有“開關(guān)電容拓?fù)洹眴幔?/span>

前幾樓的，那不是buck電路嗎，并且還不是軟開關(guān)的，還有波紋大？

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2018-06-17 00:47
@abcf
但是MOSFET的損耗和BUCK電路上管基本一樣吧，感覺MOSFET沒有軟開關(guān)，只是少了電感損耗。
這跟你的mos_RDSon有關(guān)系，越大電流效率略差(I^R乘積)，另一個是電容儲能, 好處主要是電容儲能沒有飽和問題，一般，用做Boost效率就差更多...... 
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