上管選擇MOSFET采用電容驅(qū)動方式,GDR1的驅(qū)動電壓比VCV1高5V,GDR2的驅(qū)動電壓比VCV2高5V。
電容驅(qū)動方式得益于使用電容CDR進行的輕松電平轉(zhuǎn)換。當(dāng)其中一個開關(guān)長時間處于導(dǎo)通狀態(tài)時,需要一個正常刷新周期以使CDR充滿電荷,否則CDR上的電荷會緩慢泄漏。啟動期間也需要刷新,以使CDR在上拉輸出時跟隨輸出電壓。必要時,控制器將關(guān)斷選擇MOSFET,然后再導(dǎo)通,以執(zhí)行刷新周期。
CDR的最佳電容值取決于選擇MOSFET的柵極電荷。 柵極電荷(在5 V柵極電壓下)必須比CDR電容中的電荷小得多。 CDR電容的典型值為100nF。 CDR電容值較大時,刷新時間可能不足,并且在啟動期間電容將無法跟隨輸出。因此,必須為選擇MOSFET選擇低柵極電荷器件,以盡量減小所需的CDR電容值以及降低驅(qū)動MOSFET的能耗。