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電源技術(shù)綜合區(qū)
電源部分電路的分析
電源部分電路的分析
此為18.8v穩(wěn)壓電源的部分電路,好像是過流保護(hù),請幫忙分析一下是如何工作的,不勝感激!回復(fù)或者QQ:782345879聯(lián)系均可.謝過先!
補(bǔ)充:現(xiàn)有出現(xiàn)一問題 本來這是過流保護(hù)的 但是現(xiàn)在電流升到600毫安左右不變化了 而且還有輸出 三極管集電極處電壓在7V左右 還請各位幫忙分析一下 有什么想法盡管發(fā)表 錯對無所謂 大家一起討論一下
全部回復(fù)(24)
只看樓主
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現(xiàn)在還沒有回復(fù)呢,說說你的想法
caoyuangulang
LV.2
2
2008-10-14 10:56
好心的人還請幫幫忙啊...
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ytdfwangwei
LV.8
3
2008-10-14 11:13
你再看看你三極管有沒有接錯位置,這個圖紙是原來的圖紙還是你畫的時候你畫錯了,因該是利用R4上的壓降來限流吧
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hjjk
LV.6
4
2008-10-14 11:32
有過流和短路保護(hù),
R4為電流檢測電阻,358的-為電流檢測輸入,+為基準(zhǔn)電壓,“-”電壓大于+時,輸出高電壓,使P MOS內(nèi)阻增大至直關(guān)斷,從而實現(xiàn)限流,當(dāng)輸出電流增大,直到R4兩端壓降大于0.6V時,V56導(dǎo)通,使MOS關(guān)斷.
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luo3753
LV.5
5
2008-10-14 13:27
@hjjk
有過流和短路保護(hù),R4為電流檢測電阻,358的-為電流檢測輸入,+為基準(zhǔn)電壓,“-”電壓大于+時,輸出高電壓,使PMOS內(nèi)阻增大至直關(guān)斷,從而實現(xiàn)限流,當(dāng)輸出電流增大,直到R4兩端壓降大于0.6V時,V56導(dǎo)通,使MOS關(guān)斷.
“-”電壓大于+時,輸出高電壓!!!!
樓上的兄弟!!,這里是不是分析錯啦
反向輸入端大于正向輸入端時,輸出的是低電位才是對的吧?
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ytdfwangwei
LV.8
6
2008-10-14 14:12
@hjjk
有過流和短路保護(hù),R4為電流檢測電阻,358的-為電流檢測輸入,+為基準(zhǔn)電壓,“-”電壓大于+時,輸出高電壓,使PMOS內(nèi)阻增大至直關(guān)斷,從而實現(xiàn)限流,當(dāng)輸出電流增大,直到R4兩端壓降大于0.6V時,V56導(dǎo)通,使MOS關(guān)斷.
這個電路估計只限定與固定輸入固定輸出的才可以,限流保護(hù)是利用R4上的壓降來實現(xiàn),我剛才沒看清楚MOS管是9530,至于358那部分,我倒覺得可以稱之為反饋,要不怎么實現(xiàn)輸出穩(wěn)壓呢?
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caoyuangulang
LV.2
7
2008-10-14 14:20
@ytdfwangwei
這個電路估計只限定與固定輸入固定輸出的才可以,限流保護(hù)是利用R4上的壓降來實現(xiàn),我剛才沒看清楚MOS管是9530,至于358那部分,我倒覺得可以稱之為反饋,要不怎么實現(xiàn)輸出穩(wěn)壓呢?
多謝各位了...
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caoyuangulang
LV.2
8
2008-10-14 17:10
V56的三極管是不是多余的 可以去掉嗎
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power_sz
LV.7
9
2008-10-14 23:49
我敢肯定你這電路無法有輸出,即使有也是不可控的.原因是和MOSFET的
導(dǎo)通條件有關(guān).、、、
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caoyuangulang
LV.2
10
2008-10-15 08:33
@power_sz
我敢肯定你這電路無法有輸出,即使有也是不可控的.原因是和MOSFET的導(dǎo)通條件有關(guān).、、、
呵呵 我這是已經(jīng)投放市場的產(chǎn)品,只是想進(jìn)一步分析一下電路工作原理...
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caoyuangulang
LV.2
11
2008-10-18 11:21
不會吧 都沉了
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pads2005pcb
LV.7
12
2008-10-19 00:52
@caoyuangulang
不會吧都沉了
電路接方本身就有錯,按圖中接方是無法正常工作的,V52是增強(qiáng)型P溝道的MOSFET,型號為 IRF9530,其柵極接收了由于齊納二極管D4的正向電壓降因而略微為正值的反向柵極偏置電壓.V52的柵極至源極電壓變?yōu)樨?fù),MOSFET管才可以導(dǎo)通,本圖中不具備負(fù)壓差的產(chǎn)生條件,MOSFET管不導(dǎo)通,圖中MOSFET管的D與S接反. 因此,該電路不成立有功能的說法.
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caoyuangulang
LV.2
13
2008-10-19 20:12
@pads2005pcb
電路接方本身就有錯,按圖中接方是無法正常工作的,V52是增強(qiáng)型P溝道的MOSFET,型號為IRF9530,其柵極接收了由于齊納二極管D4的正向電壓降因而略微為正值的反向柵極偏置電壓.V52的柵極至源極電壓變?yōu)樨?fù),MOSFET管才可以導(dǎo)通,本圖中不具備負(fù)壓差的產(chǎn)生條件,MOSFET管不導(dǎo)通,圖中MOSFET管的D與S接反. 因此,該電路不成立有功能的說法.
系統(tǒng)上電 三極管截止 MOS管導(dǎo)通 系統(tǒng)正常工作 當(dāng)負(fù)載電流過大 三級管導(dǎo)通 MOS管關(guān)斷 無輸出 起到保護(hù)作用...
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yxdz
LV.7
14
2008-10-20 07:58
@caoyuangulang
系統(tǒng)上電三極管截止MOS管導(dǎo)通系統(tǒng)正常工作當(dāng)負(fù)載電流過大三級管導(dǎo)通MOS管關(guān)斷無輸出起到保護(hù)作用...
繼續(xù)啊,關(guān)注中
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hdzpc
LV.5
15
2008-10-20 09:38
@caoyuangulang
系統(tǒng)上電三極管截止MOS管導(dǎo)通系統(tǒng)正常工作當(dāng)負(fù)載電流過大三級管導(dǎo)通MOS管關(guān)斷無輸出起到保護(hù)作用...
有一點(diǎn)不太清楚,P溝道的MOS管導(dǎo)通的負(fù)壓差從何而來!
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xkw1
LV.9
16
2008-10-20 09:52
@hdzpc
有一點(diǎn)不太清楚,P溝道的MOS管導(dǎo)通的負(fù)壓差從何而來!
R7提供,相對FET而言,源對負(fù)電源就是負(fù)壓.
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yxdz
LV.7
17
2008-10-22 18:53
@xkw1
R7提供,相對FET而言,源對負(fù)電源就是負(fù)壓.
看你們的了,
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xkw1
LV.9
18
2008-10-23 00:02
先暫時拋開電壓反饋網(wǎng)絡(luò),MOS其實是三極管的闊流管,三極管現(xiàn)在工作在完全電流負(fù)反饋模式.電流負(fù)反饋和電壓負(fù)反饋在三極管集電極處線或.
在三極管BE間電壓達(dá)到0.5V以前;完全截止.三極管BE達(dá)到0.6V后;進(jìn)入線性區(qū).負(fù)載電流增大;三極管BE電壓上升---集電極電壓上升,MOSFET的G-S間電壓下降,MOSFET被抑制導(dǎo)通,電流取樣電阻電壓下降(BE電壓下降).這就是電路的電流負(fù)反饋做保護(hù)的工作過程.所以;該電路是截流保護(hù),不是關(guān)閉保護(hù).如果用小單向晶閘管代替PNP三極管的話,可以實現(xiàn)關(guān)閉保護(hù);上電恢復(fù)功能.
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ysun
LV.6
19
2008-10-23 19:42
@xkw1
先暫時拋開電壓反饋網(wǎng)絡(luò),MOS其實是三極管的闊流管,三極管現(xiàn)在工作在完全電流負(fù)反饋模式.電流負(fù)反饋和電壓負(fù)反饋在三極管集電極處線或.在三極管BE間電壓達(dá)到0.5V以前;完全截止.三極管BE達(dá)到0.6V后;進(jìn)入線性區(qū).負(fù)載電流增大;三極管BE電壓上升---集電極電壓上升,MOSFET的G-S間電壓下降,MOSFET被抑制導(dǎo)通,電流取樣電阻電壓下降(BE電壓下降).這就是電路的電流負(fù)反饋做保護(hù)的工作過程.所以;該電路是截流保護(hù),不是關(guān)閉保護(hù).如果用小單向晶閘管代替PNP三極管的話,可以實現(xiàn)關(guān)閉保護(hù);上電恢復(fù)功能.
無負(fù)載輸出12.6V左右,負(fù)載大于2mA輸出0v
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xkw1
LV.9
20
2008-10-24 11:40
@ysun
無負(fù)載輸出12.6V左右,負(fù)載大于2mA輸出0v
如果真是這樣的話,多半是管子開路或運(yùn)放接反了.
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LV.1
21
2008-10-24 15:51
@xkw1
先暫時拋開電壓反饋網(wǎng)絡(luò),MOS其實是三極管的闊流管,三極管現(xiàn)在工作在完全電流負(fù)反饋模式.電流負(fù)反饋和電壓負(fù)反饋在三極管集電極處線或.在三極管BE間電壓達(dá)到0.5V以前;完全截止.三極管BE達(dá)到0.6V后;進(jìn)入線性區(qū).負(fù)載電流增大;三極管BE電壓上升---集電極電壓上升,MOSFET的G-S間電壓下降,MOSFET被抑制導(dǎo)通,電流取樣電阻電壓下降(BE電壓下降).這就是電路的電流負(fù)反饋做保護(hù)的工作過程.所以;該電路是截流保護(hù),不是關(guān)閉保護(hù).如果用小單向晶閘管代替PNP三極管的話,可以實現(xiàn)關(guān)閉保護(hù);上電恢復(fù)功能.
xkw1分析的關(guān)于電流反饋的部分比較贊同
電壓反饋的效果呢,這里看不太懂
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caoyuangulang
LV.2
22
2008-11-30 20:12
@xkw1
先暫時拋開電壓反饋網(wǎng)絡(luò),MOS其實是三極管的闊流管,三極管現(xiàn)在工作在完全電流負(fù)反饋模式.電流負(fù)反饋和電壓負(fù)反饋在三極管集電極處線或.在三極管BE間電壓達(dá)到0.5V以前;完全截止.三極管BE達(dá)到0.6V后;進(jìn)入線性區(qū).負(fù)載電流增大;三極管BE電壓上升---集電極電壓上升,MOSFET的G-S間電壓下降,MOSFET被抑制導(dǎo)通,電流取樣電阻電壓下降(BE電壓下降).這就是電路的電流負(fù)反饋做保護(hù)的工作過程.所以;該電路是截流保護(hù),不是關(guān)閉保護(hù).如果用小單向晶閘管代替PNP三極管的話,可以實現(xiàn)關(guān)閉保護(hù);上電恢復(fù)功能.
實踐證明此電路在從新上電后能夠正常輸出 我也是這樣分析的 我要是想改進(jìn)為電流降到保護(hù)值之下后系統(tǒng)自動恢復(fù)輸出 去掉358應(yīng)該是可以的吧 為什么不行 請指教
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lajiaoxiaoxin
LV.1
23
2008-12-04 14:26
正常輸出等于輸入電壓,當(dāng)負(fù)載電流達(dá)到600mA左右的時候開始限流,也就說電流不會超過600mA,具體準(zhǔn)確值要看你的9012參數(shù).限流后輸出電壓下降,當(dāng)下降到基準(zhǔn)電壓以下時,358翻轉(zhuǎn),mos管鎖死
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caoyuangulang
LV.2
24
2008-12-04 21:07
@lajiaoxiaoxin
正常輸出等于輸入電壓,當(dāng)負(fù)載電流達(dá)到600mA左右的時候開始限流,也就說電流不會超過600mA,具體準(zhǔn)確值要看你的9012參數(shù).限流后輸出電壓下降,當(dāng)下降到基準(zhǔn)電壓以下時,358翻轉(zhuǎn),mos管鎖死
前輩能否說的詳細(xì)點(diǎn) 比方說電流超過600后 為什么輸出就變小了
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facts
LV.3
25
2008-12-05 11:04
@caoyuangulang
V56的三極管是不是多余的可以去掉嗎
V56起到過載和短路限流作用
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