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INN3165設(shè)計(jì)的25W充電器

    InnoSwitch3-CE 是集成了650 V MOSFET、同步整流、FluxLink反饋的離線反激式恒壓/恒流準(zhǔn)諧振的開關(guān)電源集成電路，次級側(cè)提供輸出電壓、輸出電流，進(jìn)而感測和驅(qū)動(dòng)到提供同步整流的MOSFET，由于該產(chǎn)品兼具高集成度和卓越性能，所以表現(xiàn)出了很高的功率密度和效率特性，比較適合用來設(shè)計(jì)功率在65 W以內(nèi)的應(yīng)用場合，也適合用來設(shè)計(jì)充電器。

InnoSwitch3-CE 實(shí)物圖：

    INN3165C是InnoSwitch3-CE 產(chǎn)品系列中具有絕緣、安全等級集成反饋的AC/DC集成電路，該產(chǎn)品擁有極其快速的瞬態(tài)響應(yīng)，且與負(fù)載時(shí)序無關(guān)；它內(nèi)置了同步整流，以實(shí)現(xiàn)高效率。該產(chǎn)品輸入交流電壓范圍為85V-265V，滿載效率超過88%，最大輸出電流和最大輸出電壓分別為5A、5V，所以最大輸出功率可達(dá)25W，在實(shí)際應(yīng)用中最好不要滿載使用，最好是其額定的70-80%。電源的實(shí)現(xiàn)主要包括主MOSFET，初級側(cè)控制器和次級側(cè)控制器，一般次級感應(yīng)反饋系統(tǒng)上需要使用光電耦合器，該集成電路所采用的二級側(cè)控制器內(nèi)置了同步整流和Fluxlink技術(shù)，無需使用光電耦合器。此外空載輸入功率小于35 mW，線路輸入小于20 mW，且受變壓器變化影響比較小。

電路板性能指標(biāo)：

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2022-07-13 12:36

這類電源無需散熱片，電源設(shè)計(jì)更小、更輕便，體積更小型化。

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2022-07-13 12:37

5V的充電器都需要有電纜壓降補(bǔ)償功能，電纜壓降補(bǔ)償是減少總充電時(shí)間的關(guān)鍵要求。

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tabing_dt
LV.10
4
2022-07-13 12:50
@眼睛里的海
這類電源無需散熱片，電源設(shè)計(jì)更小、更輕便，體積更小型化。

不用散熱片的話，就要想辦法降低損耗，提高效率了，InnoSwitch3效率都比較高，有的都可以做到90%以上的效率。

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tabing_dt
LV.10
5
2022-07-13 12:50

具有多種設(shè)定的纜線壓降補(bǔ)償，滿足不同的額充電器應(yīng)用場合。

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ehi763
LV.6
6
2022-07-14 14:00
@tabing_dt
具有多種設(shè)定的纜線壓降補(bǔ)償，滿足不同的額充電器應(yīng)用場合。

該產(chǎn)品系列將初級和次級控制器以及符合安全標(biāo)準(zhǔn)的反饋機(jī)制集成到了單個(gè)集成電路中。

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ehi763
LV.6
7
2022-07-14 14:01
@眼睛里的海
5V的充電器都需要有電纜壓降補(bǔ)償功能，電纜壓降補(bǔ)償是減少總充電時(shí)間的關(guān)鍵要求。

主要是當(dāng)電源的額定功率越高，充電線有線損，導(dǎo)致電池終端電壓很低，電池可能充不飽的現(xiàn)象或者很慢。

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tabing_dt
LV.10
8
2022-07-18 13:03
@ehi763
該產(chǎn)品系列將初級和次級控制器以及符合安全標(biāo)準(zhǔn)的反饋機(jī)制集成到了單個(gè)集成電路中。

還集成了多項(xiàng)保護(hù)特性，包括輸入過壓及欠壓保護(hù)、輸出過壓及過流限制以及過溫關(guān)斷.

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tabing_dt
LV.10
9
2022-07-18 13:03

IC的內(nèi)部有個(gè)基準(zhǔn)電壓為1.266 V，閾值約為33 mV，這個(gè)閾值來檢測負(fù)載情況來減少損耗。

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2022-07-18 13:15
@tabing_dt
不用散熱片的話，就要想辦法降低損耗，提高效率了，InnoSwitch3效率都比較高，有的都可以做到90%以上的效率。

為了提高轉(zhuǎn)換效率和降低開關(guān)損耗，芯片可在初級開關(guān)的電壓接近其最小電壓時(shí)強(qiáng)制進(jìn)行開關(guān)。

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2022-07-18 13:15
@tabing_dt
IC的內(nèi)部有個(gè)基準(zhǔn)電壓為1.266V，閾值約為33mV，這個(gè)閾值來檢測負(fù)載情況來減少損耗。

一旦超過這些電阻上的電流檢測閾值，器件就會(huì)調(diào)整開關(guān)脈沖的數(shù)量，以保持固定的輸出電流。

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tabing_dt
LV.10
12
2022-07-19 12:54
@眼睛里的海
為了提高轉(zhuǎn)換效率和降低開關(guān)損耗，芯片可在初級開關(guān)的電壓接近其最小電壓時(shí)強(qiáng)制進(jìn)行開關(guān)。

這種工作模式不會(huì)檢測初級側(cè)的勵(lì)磁振蕩波谷的位置，而是使用正激引腳的峰值電壓來選通次級請求。

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tabing_dt
LV.10
13
2022-07-19 12:55
@ehi763
主要是當(dāng)電源的額定功率越高，充電線有線損，導(dǎo)致電池終端電壓很低，電池可能充不飽的現(xiàn)象或者很慢。

因此有必要根據(jù)負(fù)載電流的壓降比，對充電器進(jìn)行輸出電壓補(bǔ)償來加快充電。

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2022-07-19 13:01
@tabing_dt
還集成了多項(xiàng)保護(hù)特性，包括輸入過壓及欠壓保護(hù)、輸出過壓及過流限制以及過溫關(guān)斷.

輸出電流采用外部檢測的方式，可提供精確的恒流/恒壓調(diào)整率，從而提高設(shè)計(jì)靈活性。

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cmdz002
LV.5
15
2022-07-22 20:47

 INN3165C-H101-TL是一款I(lǐng)nnoSwitch™-CE系列CV/CC反激式轉(zhuǎn)換芯片。該器件集成650V MOSFET同步整流, FluxLink™反饋CV和CC可達(dá)65W。

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2022-07-23 13:51

效率最好有90%嗎

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聽聽1234
LV.5
17
2022-07-23 20:49

InnoSwitch3-CE 是集成了650 V MOSFET、同步整流、FluxLink反饋的離線反激式恒壓/恒流準(zhǔn)諧振的開關(guān)電源集成電路，

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cwm4610
LV.6
18
2022-07-25 13:38

方案是好的，但是實(shí)際制作的過程中需要注意的地方很多很多

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Fourier
LV.1
19
2022-07-26 19:57
@眼睛里的海
這類電源無需散熱片，電源設(shè)計(jì)更小、更輕便，體積更小型化。

無需散熱，會(huì)不會(huì)導(dǎo)致充電器工作的時(shí)候溫度過高，發(fā)燙

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hellbaron
LV.6
20
2022-07-27 13:49

這芯片得多少錢一個(gè)，挺貴的吧

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cwm4610
LV.6
21
2022-08-24 11:38

無需散熱片，電源設(shè)計(jì)更小、更輕便，體積更小型化。這是優(yōu)勢！

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紫蝶
LV.9
22
2022-09-24 18:49

樓主這個(gè)電路設(shè)計(jì)有電源原理圖嗎？參考學(xué)習(xí)下，最近做類似的設(shè)計(jì)。

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紫蝶
LV.9
23
2022-09-24 18:50

25w的功率輸出，5V電壓150mV的紋波是不是有點(diǎn)大了？這個(gè)系列的設(shè)計(jì)應(yīng)該沒這么大吧？

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2022-10-26 13:56

二級側(cè)控制器內(nèi)置了同步整流和Fluxlink技術(shù)無需使用光電耦合器，節(jié)省了外部光耦

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tabing_dt
LV.10
25
2023-02-09 20:23
@名字不好取
效率最好有90%嗎

為有更的高效率，在次級側(cè)采用同步整流驅(qū)動(dòng)，以功率MOSFET取代二級管，減低導(dǎo)通時(shí)間,減少損耗，電源可工作在DCM-CCM間平滑切換。

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opingss88
LV.10
26
2023-04-20 20:18
@ehi763
主要是當(dāng)電源的額定功率越高，充電線有線損，導(dǎo)致電池終端電壓很低，電池可能充不飽的現(xiàn)象或者很慢。

選擇磁芯時(shí)要綜合考慮繞線面積、磁芯截面積及磁芯表面積與體積的比例

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spowergg
LV.10
27
2023-04-25 20:07
@opingss88
選擇磁芯時(shí)要綜合考慮繞線面積、磁芯截面積及磁芯表面積與體積的比例

當(dāng)設(shè)計(jì)應(yīng)用需要較小的磁心截面積時(shí),可以選用BPD型的磁心產(chǎn)品。

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xxbw6868
LV.10
28
2023-04-25 20:33
@spowergg
當(dāng)設(shè)計(jì)應(yīng)用需要較小的磁心截面積時(shí),可以選用BPD型的磁心產(chǎn)品。

漏磁和漏感與磁芯結(jié)構(gòu)有直接關(guān)系.如果磁芯不需要?dú)庀?則盡可能采用封閉的環(huán)形和方框型結(jié)構(gòu)磁芯。

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紫蝶
LV.9
29
2023-05-15 11:31
@tabing_dt
具有多種設(shè)定的纜線壓降補(bǔ)償，滿足不同的額充電器應(yīng)用場合。

PI所用的是次級側(cè)的控制器同時(shí)控制三個(gè)開關(guān)，從而做到精準(zhǔn)的控制，實(shí)現(xiàn)效率最大化的設(shè)計(jì)

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opingss88
LV.10
30
2023-10-11 22:43
@tabing_dt
還集成了多項(xiàng)保護(hù)特性，包括輸入過壓及欠壓保護(hù)、輸出過壓及過流限制以及過溫關(guān)斷.

初級功率MOSFET的次級側(cè)控制可避免兩個(gè)MOSFET發(fā)生任何交越導(dǎo)通

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黑夜公爵
LV.10
31
2023-12-14 21:28

額外握手協(xié)議可以在次級側(cè)檢測到初級側(cè)提供多于所要求周期的情況下被調(diào)用

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