BRD1261具有兩級裝置超溫保護 ，單線狀態(tài)更新通信總線，適合電機驅(qū)動控制。

兩個橋式開關BRD1261C芯片U1和U2構成單相逆變器，逆變器的輸出通過接頭J1和J2連接到單相無刷直流電機。

電容器C7和C8為集成低側(cè)控制器和柵極驅(qū)動器提供自電源去耦。

電路中的電阻R7、R8、R14和R16為集成的低側(cè)和高側(cè)功率FredFET設置逐周期電流限制電平。

將電流限制設置為默認值的100%時，電阻阻值一般選擇44.2K。

使用325 VDC的直流輸入功率測量單相逆變器效率，效率整體測試都超過94%

利用BRD1261芯片實現(xiàn)橋接開關半橋的高集成度，實現(xiàn)電平監(jiān)控電機驅(qū)動器。

芯片內(nèi)部集成了兩個高壓N溝道功率FREDFET，以及下管和上管驅(qū)動器。

BRD1261提供獨特的瞬態(tài)相線電流輸出信號，簡化傳感器控制方案，元件少。

芯片的兩個FREDFET提供逐周期電流限流點，具有雙級熱過載保護

可以采用占板面積較小的表面貼裝inSOP-24C封裝， 裸焊盤可通過PCB實現(xiàn)散熱。

這個是demo板嗎？支持多大的負載？

這塊電路板看上去是不是可以做的更小

可否把單相電機的方案改成三相電機

很好的設計實例，感謝分享！

電路設計采完全自偏置方式，無需輔助電源 ，簡化了設計難度

器件集成了半橋級,效率高達99.2%,所以在額定連續(xù)RMS電流時不需要外接散熱器。

BRD1261C其裸焊盤能夠通過PCB進行散熱，能夠支持具有更大RMS電流要求。

采用無傳感器磁場定向控制(FOC)方法，效率高，而且集成了許多基于硬件的故障保護和外部系統(tǒng)級監(jiān)測功能。

BRD1261采用IHB架構將熱量均分到不同的器件上，可以減少系統(tǒng)中集中發(fā)熱的現(xiàn)象，用PCB進行散熱降低了散熱成本。

傳統(tǒng)節(jié)能燈就是采用非隔離電源，采用絕緣塑料外殼防護

NMOS電流鏡的輸出電流控制功率MOSFET的占空比，實現(xiàn)閉合環(huán)路調(diào)節(jié)

根據(jù)介紹參數(shù)，這款器件的功耗做的很不錯，有效率高，所以散熱良好，無需散熱片

輸出端的任何假負載電阻和與偏置繞組相連的元件仍可代表變壓器的負載

輸出轉(zhuǎn)數(shù)是6380RPM,還支持二次脈沖細分提高精度嗎？

現(xiàn)在電機需要二次細分的多

群脈沖是指出現(xiàn)六次或多次連續(xù)脈沖，并隨后出現(xiàn)兩次或多次時序狀態(tài)變化

電源電路的自偏置，就是增加了一個反饋的正環(huán)路或者負環(huán)路，這樣可以實現(xiàn)偏電流源

在斷續(xù)模式下，輸出二極管沒有反向恢復過程，但是在實測波形中，原邊電流從零開始上升的過程中還是存在尖峰

電阻值確定OV/UV的閾值，且DCMAX開始呈雙斜率線性減少，提高了線電壓紋波抑制

軟啟動電路使漏極峰值電流和開關頻率從很低的起始值逐漸上升到全頻最大漏極峰值電流