BRD1261具有兩級裝置超溫保護(hù) ，單線狀態(tài)更新通信總線，適合電機(jī)驅(qū)動控制。

兩個橋式開關(guān)BRD1261C芯片U1和U2構(gòu)成單相逆變器，逆變器的輸出通過接頭J1和J2連接到單相無刷直流電機(jī)。

電容器C7和C8為集成低側(cè)控制器和柵極驅(qū)動器提供自電源去耦。

電路中的電阻R7、R8、R14和R16為集成的低側(cè)和高側(cè)功率FredFET設(shè)置逐周期電流限制電平。

將電流限制設(shè)置為默認(rèn)值的100%時，電阻阻值一般選擇44.2K。

使用325 VDC的直流輸入功率測量單相逆變器效率，效率整體測試都超過94%

利用BRD1261芯片實現(xiàn)橋接開關(guān)半橋的高集成度，實現(xiàn)電平監(jiān)控電機(jī)驅(qū)動器。

芯片內(nèi)部集成了兩個高壓N溝道功率FREDFET，以及下管和上管驅(qū)動器。

BRD1261提供獨特的瞬態(tài)相線電流輸出信號，簡化傳感器控制方案，元件少。

芯片的兩個FREDFET提供逐周期電流限流點，具有雙級熱過載保護(hù)

可以采用占板面積較小的表面貼裝inSOP-24C封裝， 裸焊盤可通過PCB實現(xiàn)散熱。

這個是demo板嗎？支持多大的負(fù)載？

這塊電路板看上去是不是可以做的更小

可否把單相電機(jī)的方案改成三相電機(jī)

很好的設(shè)計實例，感謝分享！

電路設(shè)計采完全自偏置方式，無需輔助電源 ，簡化了設(shè)計難度

器件集成了半橋級,效率高達(dá)99.2%,所以在額定連續(xù)RMS電流時不需要外接散熱器。

BRD1261C其裸焊盤能夠通過PCB進(jìn)行散熱，能夠支持具有更大RMS電流要求。

采用無傳感器磁場定向控制(FOC)方法，效率高，而且集成了許多基于硬件的故障保護(hù)和外部系統(tǒng)級監(jiān)測功能。

BRD1261采用IHB架構(gòu)將熱量均分到不同的器件上，可以減少系統(tǒng)中集中發(fā)熱的現(xiàn)象，用PCB進(jìn)行散熱降低了散熱成本。

傳統(tǒng)節(jié)能燈就是采用非隔離電源，采用絕緣塑料外殼防護(hù)

NMOS電流鏡的輸出電流控制功率MOSFET的占空比，實現(xiàn)閉合環(huán)路調(diào)節(jié)

根據(jù)介紹參數(shù)，這款器件的功耗做的很不錯，有效率高，所以散熱良好，無需散熱片

輸出端的任何假負(fù)載電阻和與偏置繞組相連的元件仍可代表變壓器的負(fù)載

輸出轉(zhuǎn)數(shù)是6380RPM,還支持二次脈沖細(xì)分提高精度嗎？

現(xiàn)在電機(jī)需要二次細(xì)分的多

群脈沖是指出現(xiàn)六次或多次連續(xù)脈沖，并隨后出現(xiàn)兩次或多次時序狀態(tài)變化

電源電路的自偏置，就是增加了一個反饋的正環(huán)路或者負(fù)環(huán)路，這樣可以實現(xiàn)偏電流源

在斷續(xù)模式下，輸出二極管沒有反向恢復(fù)過程，但是在實測波形中，原邊電流從零開始上升的過程中還是存在尖峰

電阻值確定OV/UV的閾值，且DCMAX開始呈雙斜率線性減少，提高了線電壓紋波抑制

軟啟動電路使漏極峰值電流和開關(guān)頻率從很低的起始值逐漸上升到全頻最大漏極峰值電流