SCALE-iDriver系列門極驅(qū)動(dòng)器IC可同時(shí)為IGBT、MOSFET和SiC MOSEFT提供驅(qū)動(dòng)，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V和1700 V驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的產(chǎn)品。
FluxLink技術(shù)可省去壽命相對較短的光電器件和相關(guān)補(bǔ)償電路，從而增強(qiáng)系統(tǒng)運(yùn)行的可靠性，同時(shí)降低系統(tǒng)的復(fù)雜度先進(jìn)的系統(tǒng)安全和保護(hù)功能（常用于中壓和高壓應(yīng)用）可增強(qiáng)產(chǎn)品可靠性創(chuàng)新的eSOP封裝具有9.5 mm爬電距離，并且相對漏電起痕指數(shù)(CTI)為600，可確保實(shí)現(xiàn)更大的工作電壓裕量和更高的系統(tǒng)可靠性碳化硅(SiC) MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器IC可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動(dòng)級，經(jīng)過設(shè)定后可支持不同的門極驅(qū)動(dòng)電壓，來滿足市售SiC MOSFET的需求AEC-Q100認(rèn)證汽車應(yīng)用SCALE-iDriver IC可在125°C結(jié)溫下提供8A驅(qū)動(dòng)，并且可在不使用推動(dòng)級的情況下支持輸出功率在數(shù)百千瓦以內(nèi)的600V、650V、750V和1200V IGBT和SiC逆變器設(shè)計(jì)
SIC1181KQ和SIC1182KQ是適合SiC MOSFET的單通道門極驅(qū)動(dòng)器。該器件利用Power Integrations革命性的固體絕緣FluxLink技術(shù)實(shí)現(xiàn)了加強(qiáng)絕緣。其峰值輸出驅(qū)動(dòng)電流可達(dá)±8A，可直接驅(qū)動(dòng)600A/800A（典型值）以下的開關(guān)器件。
該器件還具有原方和副方欠壓保護(hù)(UVLO)、帶溫度和過程補(bǔ)償輸出阻抗的軌到軌輸出等更多特性，可確保產(chǎn)品即使在嚴(yán)苛的條件下也能安全工作。
此外，這款門極驅(qū)動(dòng)器IC還具有AAC高級有源鉗位（關(guān)斷時(shí)）特性，可通過一個(gè)檢測管腳同時(shí)提供短路保護(hù)（開通時(shí)和開通過程中）和過壓限制。 對于具有電流檢測端子的SIC MOSFET，可實(shí)現(xiàn)可調(diào)過流檢測。
