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反激電源原副邊高頻耦合環(huán)路

反激式架構(gòu)開關(guān)電源EMI效果相對較差,尤其(斷續(xù)模式)情形,反激MOS管在開通、關(guān)斷時具有很寬的頻譜份量,開關(guān)頻率及諧波本身就是較強的干擾源。

從理論上講反激變壓器可以隔離初次級之間的耦合,實際上由于繞組之間的寄生電容的存在,以及原副邊寄生電容的存在,初次級之間存在容性耦合。由于變壓器漏感的存在,初次級線圈之間也存在互感,即感性耦合,初次級之間的高頻耦合如下圖紅色標注所示。

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天晴朗
LV.6
2
2024-04-22 15:44

理論上講反激變壓器可以隔離初次級之間的耦合

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新月GG
LV.10
3
2024-04-23 20:23
@天晴朗
理論上講反激變壓器可以隔離初次級之間的耦合

變壓器的分布電容會影響初次級之間的耦合。

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沈夜
LV.8
4
2024-04-23 23:32

EMI如何在反激式架構(gòu)開關(guān)電源中有效抑制?

0
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千影
LV.6
5
2024-04-23 23:45

初次級之間的耦合對EMI影響如何減少?

0
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旻旻旻
LV.8
6
2024-04-24 17:00

反激電源的關(guān)鍵器件,注意 PCB布局和走線一定要合理

0
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htwdb
LV.8
7
2024-04-25 14:05

初次級線圈之間也存在互感會影響反饋控制電路嗎?

0
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XHH9062
LV.9
8
2024-04-25 19:04

如何消除這類的干擾呢

0
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2024-04-25 23:13

開關(guān)電源的干擾無法避免

0
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天晴朗
LV.6
10
2024-04-25 23:40

初次級線圈之間也存在互感,即感性耦合

0
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2024-04-26 00:02

學(xué)習(xí)到了,有用的知識

0
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only one
LV.8
12
2024-04-26 23:30

從理論上講反激變壓器可以隔離初次級之間的耦合,實際上由于繞組之間的寄生電容的存在,還有其他原因

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CDJ01
LV.5
13
2024-05-26 23:59

怎么減小原副邊的寄生電容

0
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cwm4610
LV.6
14
2024-06-24 13:40

反激變壓器設(shè)計還是需要變壓器來穩(wěn)固,主次變壓寄生電容還是呀要考慮

0
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方笑塵MK
LV.8
15
2024-12-07 14:40

反激變壓器的初次級繞組之間存在寄生電容,這是由于繞組之間的絕緣材料(介電材料)造成的電容效應(yīng)

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旻旻旻
LV.8
16
04-26 21:54

使用屏蔽罩或屏蔽材料覆蓋MOSFET和變壓器,減少電磁輻射

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方笑塵MK
LV.8
17
05-14 08:36

原邊繞組應(yīng)從連接MOSFET漏極的腳開始繞制,外層繞組可以屏蔽漏極的電場

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方笑塵MK
LV.8
18
07-16 17:48

要想降低容性耦合,可以在輸入/輸出端加共模電感(如2mH@1MHz),配合Y電容

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dy-MZJ9CapR
LV.3
19
07-25 14:08

在實際工作中,當(dāng)測試EMC傳導(dǎo)不合格可以在初次級之間增加兩個小的陶瓷電容,這樣可以過,但不知到為什么。

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CDJ01
LV.5
20
07-25 21:13

減小共模干擾可以降低漏感,優(yōu)化pcb減小開關(guān)回路,加吸收電路

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