反激式架構(gòu)開關(guān)電源EMI效果相對較差,尤其(斷續(xù)模式)情形,反激MOS管在開通、關(guān)斷時具有很寬的頻譜份量,開關(guān)頻率及諧波本身就是較強的干擾源。
從理論上講反激變壓器可以隔離初次級之間的耦合,實際上由于繞組之間的寄生電容的存在,以及原副邊寄生電容的存在,初次級之間存在容性耦合。由于變壓器漏感的存在,初次級線圈之間也存在互感,即感性耦合,初次級之間的高頻耦合如下圖紅色標注所示。
反激式架構(gòu)開關(guān)電源EMI效果相對較差,尤其(斷續(xù)模式)情形,反激MOS管在開通、關(guān)斷時具有很寬的頻譜份量,開關(guān)頻率及諧波本身就是較強的干擾源。
從理論上講反激變壓器可以隔離初次級之間的耦合,實際上由于繞組之間的寄生電容的存在,以及原副邊寄生電容的存在,初次級之間存在容性耦合。由于變壓器漏感的存在,初次級線圈之間也存在互感,即感性耦合,初次級之間的高頻耦合如下圖紅色標注所示。