igbt和mosfet不一樣,由于igbt存在電流脫尾,因此igbt頻率不能太高,同時(shí)igbt不能加負(fù)壓加速關(guān)斷,不象mosfet可以加負(fù)壓加速關(guān)斷.此外,igbt還有個(gè)電流擎住效應(yīng).

答得好!

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/28/1114570688.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

IGBT通常用在大功率場(chǎng)合,而MOSFET用在中小功率場(chǎng)合.另外,IGBT的通態(tài)壓降比MOSFET的小

國(guó)外有用MOSFET做到1000KW 1MHZ的,主要是速度上的差別.

兩個(gè)觀點(diǎn)我都不認(rèn)同

3842+10N60只能做小功率電源,不宜用IGBT替代MOSFET,主要是IGBT的開(kāi)關(guān)損耗太大,小功率電源往往沒(méi)有良好的散熱條件.
IGBT與MOSFET的不同之處很多,三言兩語(yǔ)難于說(shuō)全.
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我支持!

只有設(shè)計(jì)得當(dāng)就好了

大家說(shuō)說(shuō)mosfet與igbt的區(qū)別吧

兄臺(tái),你畫(huà)圖的功夫?qū)嵲谑橇钗覈@為觀止啊,^_^!
這樣的解釋很好,等效原理很一目了然,只是可能結(jié)構(gòu)上來(lái)說(shuō)是模糊了一點(diǎn)!!

兄臺(tái)好像你的說(shuō)法有點(diǎn)問(wèn)題吧??
IGBT可以加負(fù)壓關(guān)斷的,而且一般是推薦加負(fù)壓關(guān)斷來(lái)提高抗干擾能力的!!

一個(gè)是正溫度系數(shù)的電阻性質(zhì),隨電流溫度的增大而端電壓增大
另一個(gè)是壓降性的,在一定電流范圍內(nèi)壓降隨電流變化不大,且隨溫度的升高而壓降降低,驅(qū)動(dòng)一般得有負(fù)壓支持

我是說(shuō)igbt不能加負(fù)壓“加速”關(guān)斷!

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙級(jí)型晶體管,實(shí)質(zhì)是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管.三個(gè)級(jí)分別稱為:E(發(fā)射極),C(集電極),G(柵極).
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Fied Effection Transistor),三個(gè)級(jí)分別稱為:D(漏極),S(源極),G(柵極).

MOSFET的耐壓隨溫度的升高而升高,最大允許電流則降低
IGBT則可能相反

IGBT的最大允許電流也可能是隨溫度的升高而下降的,耐壓也會(huì)下降

低壓大電流下,基本都用MOS,高壓下MOS的通態(tài)電阻無(wú)法做小,而IGBT的通態(tài)壓降相對(duì)不變,在高壓下,損耗相對(duì)小

IGBT的耐壓容易做高而MOSFET不容易做高,但電流容易做大

希望大家批評(píng)指正

igbt的電流容量可以做得比mosfet要大

MOSFET的電阻溫度系數(shù)還不小

時(shí)間倉(cāng)促而為,省掉了轉(zhuǎn)換過(guò)程,什么東西都是畫(huà)的描述也不清楚.當(dāng)然可能也沒(méi)這個(gè)必要.

接受,謝謝指正

其實(shí)除去從結(jié)構(gòu)的角度來(lái)探討,你的圖很能解釋了!!
只是我覺(jué)得讓我在畫(huà)圖板上能畫(huà)出來(lái)確實(shí)有點(diǎn)困難,所以兄臺(tái)鼠標(biāo)用得很順啊,^_^!!

霍霍還沒(méi)睡啊你在哪里工作

一般軟開(kāi)關(guān)電路采用IGBT比較合適,頻率也可做高.

^_^,不好意思可能是我誤解了你的意思了!!
還有,我想問(wèn)問(wèn)我的IGBT關(guān)斷時(shí)出現(xiàn)非常大的尖峰電壓,采用RCD吸收好像效果不是很好,能給點(diǎn)建議嗎??謝謝!!

^_^,小弟在常州工作,兄臺(tái)你呢??

深圳呢