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怎樣降低肖特基二極管正向導通到反向恢復時的大電流脈沖

下圖是一個DC_DC升降壓電路的示意圖(PWM控制器和反饋電路未畫出,接IC的,可軟件調試),K1 K2位置是MOS管,D1 D2是肖特基二極管,L為22uH電感,輸入7-20V,頻率410KHz,輸出10.5V 200mA.



  問題:電源端啟動電流太大,峰值達14A(泰克鉗形電流表探頭測試),而我的MOS管的參數是額定2A峰值8A,顯然超出規(guī)格書參數(雖然只有數uS).測試波形如下(評印象畫的示意圖),上面是二極管反向電流,下面是電源端K1前的電流,那個尖峰達到14A.



  確認是對D2后面的電容充電產生的大電流脈沖,電容22uF則大電流脈沖持續(xù)45uS,現此電容已減小到2.2uF,大電流脈沖只有5個,總時間15uS內.

  如果在D1上串4.7uH電感,則電源尖峰電流小于8A,但K1與L間反峰壓達-40V,30V的MOS管會受不了.
  
  請幫忙看看有什么辦法!
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zy_1978
LV.4
2
2009-01-31 09:23
對于啟動電流大,可以加軟啟動電路啊.在D1上加電感不是解決的辦法.
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webmaster
LV.4
3
2009-02-01 09:21
研究一下
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2009-02-01 10:39
建議你依據輸出入最差條件把L設計成永遠在DCM-CRM之間就可以克服你的問題,通常這樣的結果L都是非常大的(兩個MOSFET的耐壓應該不會超過VIN+0.7或VOUT+0.7),以上提供參考.
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江津崽
LV.3
5
2009-02-01 18:08
@zy_1978
對于啟動電流大,可以加軟啟動電路啊.在D1上加電感不是解決的辦法.
這個DC_DC是軟件控制的,以前沒有做過,不曉得怎樣實現軟啟動,想試試調低PWM占空比,不曉得有效沒有
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江津崽
LV.3
6
2009-02-01 18:12
@peterchen0721
建議你依據輸出入最差條件把L設計成永遠在DCM-CRM之間就可以克服你的問題,通常這樣的結果L都是非常大的(兩個MOSFET的耐壓應該不會超過VIN+0.7或VOUT+0.7),以上提供參考.
410KHZ的頻率,從震蕩波形看,22UH比較好,47uH就有嚴重的間隙震蕩,但47H的啟動電流小些,小于8A的
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2009-02-02 13:43
@江津崽
410KHZ的頻率,從震蕩波形看,22UH比較好,47uH就有嚴重的間隙震蕩,但47H的啟動電流小些,小于8A的
那就是進入SKIP狀態(tài)(推測),電感值太高啦,還是建議你先找公式試算一下不要用試的,理論與實務一定要接近才不會有疑惑,其實真正難的是L的實際呈現,如何能確認在加載情形下L值是達到設計要求?當然閉環(huán)路的調整也深深影響電路的反應,所以如何確認跟排除是哪一個環(huán)節(jié)造成更是需要小心求證.以上提供參考.
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