我用L6562做的一款LED電源,在EMI測試傳導(dǎo)總是過不了,急啊,都測第五次了。
請高手指點(diǎn)啊。
電路如是:L6562
現(xiàn)在的情況是,諧波電流在18%左右,我懷疑這個數(shù)值大了點(diǎn),經(jīng)過整改但效果沒有得到改善,諧波電流值一值沒有下來,是否是我的整改方法不對,還是電路本身參數(shù)選取不當(dāng)所造成的呢,期待您的解答!謝謝!
我用L6562做的一款LED電源,在EMI測試傳導(dǎo)總是過不了,急啊,都測第五次了。
請高手指點(diǎn)啊。
電路如是:L6562
現(xiàn)在的情況是,諧波電流在18%左右,我懷疑這個數(shù)值大了點(diǎn),經(jīng)過整改但效果沒有得到改善,諧波電流值一值沒有下來,是否是我的整改方法不對,還是電路本身參數(shù)選取不當(dāng)所造成的呢,期待您的解答!謝謝!
15MHZ是開關(guān)MOSFET or Diode 的Ring造成
1. 30W使用4~6A MOSFET一般Gate電阻為30~68 ohm
2. 輸出使用共模直接由3MHz以後全砍掉
3. 若使用變壓器內(nèi)部隔離銅箔接地,則Layout不要直接到Y(jié)-CAP, Layout順序建議如下:
變壓器地-->VCC CAP負(fù) -->IC地-->Current sensor地 -->Bulk CAP地 --> Bridge
次級地-->(次級共模 option) --> 輸出電容地 -->變壓器次級地 --> Y-CAP --> Bridge
大家都知道共模的原理就是外面感應(yīng)進(jìn)來的EMI noise會因?yàn)閮扇?shù)相位而相抵消
換過來說,差模沒有這特色,所以很怕被干擾
也就是發(fā)射Noise的MOSFET & Transformer 直接射到差模上而由AC Line發(fā)射到天線
因此使用差模做EMI對策雖然省空間省錢,但是差模Layout位置距離MOSFET & Transformer最好超過15公分,差不多是35X19mm的E27 PCB
而MOSFET在中央位置; Transformer在右半邊;那麼差模要退到左邊PCB邊緣上
另外走線的Trace也要小心,若Trace太靠近則那根Trace還要再浪費(fèi)一個差模