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整改LED電源的EMI 傳導(dǎo)測試的方法

我用L6562做的一款LED電源,在EMI測試傳導(dǎo)總是過不了,急啊,都測第五次了。

請高手指點(diǎn)啊。

電路如是:L6562 

測試傳導(dǎo)圖: 

 

現(xiàn)在的情況是,諧波電流在18%左右,我懷疑這個數(shù)值大了點(diǎn),經(jīng)過整改但效果沒有得到改善,諧波電流值一值沒有下來,是否是我的整改方法不對,還是電路本身參數(shù)選取不當(dāng)所造成的呢,期待您的解答!謝謝!

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jsandypp
LV.2
2
2010-07-24 17:31

這是傳導(dǎo)圖,請幫忙分析。

在50K-60K,100K-1MHz這兩段,如何改善?

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sunjoy
LV.5
3
2010-07-24 17:37
@jsandypp
[圖片]這是傳導(dǎo)圖,請幫忙分析。在50K-60K,100K-1MHz這兩段,如何改善?

你的PFC電感多大,建議你改一下電感的感量,調(diào)整一下PFC的開關(guān)頻率,讓其與EMI電路產(chǎn)生相互諧振,從而避開EMI的開擾

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懶人
LV.7
4
2010-07-27 16:35
@jsandypp
[圖片]這是傳導(dǎo)圖,請幫忙分析。在50K-60K,100K-1MHz這兩段,如何改善?
把共模電感換成工字型電感,再調(diào)整下濾波電容。應(yīng)該會好!
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2010-07-28 11:41
我現(xiàn)在也在搞,也是6562單激PFC30W的,不過比你的好些,我的只是在0。15MHZ那里超了5db其它都不超很好,改了好久都改不好,誰能指點(diǎn)下呀
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ditozy
LV.4
6
2010-07-28 13:21
@懶人
把共模電感換成工字型電感,再調(diào)整下濾波電容。應(yīng)該會好!
這個應(yīng)該可以的
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jsandypp
LV.2
7
2010-07-28 14:57
@懶人
把共模電感換成工字型電感,再調(diào)整下濾波電容。應(yīng)該會好!

你的意思,就是加差模電感,對嗎?

另新進(jìn)展:我在整流后加LC濾波,傳導(dǎo)PASS,有8dB的余量。

我這個方案是做全電壓的,之前全電壓恒流輸出,但加LC后,在120V以下,電路不能恒定,不知是什么原因?

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sunjoy
LV.5
8
2010-07-28 22:28
@風(fēng)起云涌
我現(xiàn)在也在搞,也是6562單激PFC30W的,不過比你的好些,我的只是在0。15MHZ那里超了5db其它都不超很好,改了好久都改不好,誰能指點(diǎn)下呀

你先加大X電容試試(猛加大一點(diǎn))好看效果,如果還是壓不下來,那估計是你的開關(guān)頻率剛好在75K左右,你就要調(diào)一下電感了

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林建良
LV.7
9
2010-07-28 22:54
@風(fēng)起云涌
我現(xiàn)在也在搞,也是6562單激PFC30W的,不過比你的好些,我的只是在0。15MHZ那里超了5db其它都不超很好,改了好久都改不好,誰能指點(diǎn)下呀

15MHZ是開關(guān)MOSFET or Diode 的Ring造成

1. 30W使用4~6A MOSFET一般Gate電阻為30~68 ohm

2. 輸出使用共模直接由3MHz以後全砍掉

3. 若使用變壓器內(nèi)部隔離銅箔接地,則Layout不要直接到Y(jié)-CAP, Layout順序建議如下:

變壓器地-->VCC CAP負(fù) -->IC地-->Current sensor地 -->Bulk CAP地 --> Bridge

次級地-->(次級共模 option) --> 輸出電容地 -->變壓器次級地 --> Y-CAP --> Bridge

 

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2010-07-29 08:16
@林建良
15MHZ是開關(guān)MOSFETorDiode的Ring造成1.30W使用4~6AMOSFET一般Gate電阻為30~68ohm2.輸出使用共模直接由3MHz以後全砍掉3.若使用變壓器內(nèi)部隔離銅箔接地,則Layout不要直接到Y(jié)-CAP,Layout順序建議如下:變壓器地-->VCCCAP負(fù)-->IC地-->Currentsensor地-->BulkCAP地-->Bridge次級地-->(次級共模option)-->輸出電容地-->變壓器次級地-->Y-CAP--> Bridge 
昨天我又用模擬電阻測了下,EMI和上面那兄弟的波形差不多,用LED做負(fù)載測就只有0。15MHZ那里超,還有前面的共模電感,X電容,MOS那里加磁珠,Y電容加大,回路吸收那里也改過,效果不大,現(xiàn)在沒什么辦法了,我想會不會是這IC本身不行,ST的工程師出來說說……
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jsandypp
LV.2
11
2010-07-29 08:26
@風(fēng)起云涌
昨天我又用模擬電阻測了下,EMI和上面那兄弟的波形差不多,用LED做負(fù)載測就只有0。15MHZ那里超,還有前面的共模電感,X電容,MOS那里加磁珠,Y電容加大,回路吸收那里也改過,效果不大,現(xiàn)在沒什么辦法了,我想會不會是這IC本身不行,ST的工程師出來說說……
你在橋堆后加一個電感,就可以解決了。
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2010-07-29 09:16
@jsandypp
你在橋堆后加一個電感,就可以解決了。

我試過,加一個工字電感在橋堆的負(fù)級那里,會好很多,加在正級就沒多大效果了,但總體也還是不太理想,

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ditozy
LV.4
13
2010-07-29 10:22
@jsandypp
你的意思,就是加差模電感,對嗎?另新進(jìn)展:我在整流后加LC濾波,傳導(dǎo)PASS,有8dB的余量。我這個方案是做全電壓的,之前全電壓恒流輸出,但加LC后,在120V以下,電路不能恒定,不知是什么原因?

整流后用電感濾波會可以的,電感引起的插入損耗可以并聯(lián)適當(dāng)電阻可以消除。

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林建良
LV.7
14
2010-07-29 10:29
@風(fēng)起云涌
我試過,加一個工字電感在橋堆的負(fù)級那里,會好很多,加在正級就沒多大效果了,但總體也還是不太理想,

150KHz可以用X-CAP砍,但容量加到0.22uF會造成PFC下降

我有一次一直加零件總是怪怪的

最後發(fā)現(xiàn)我原本Power Module漏在鋁殼外測量,後來塞進(jìn)去鋁殼內(nèi)測量就PASS了

雖然外面鋁殼沒接地,但一樣有效果,最後那些被硬追加的東西都一個一個拔掉,爽!!

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jsandypp
LV.2
15
2010-07-29 13:45
@風(fēng)起云涌
我試過,加一個工字電感在橋堆的負(fù)級那里,會好很多,加在正級就沒多大效果了,但總體也還是不太理想,

我好像沒遇到你說的這種情況,我在橋堆后加一個電感,與濾波電容組成LC濾波,效果很好啊。對了,前提是對10K-1MHz有改善。

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jsandypp
LV.2
16
2010-07-29 13:48
@林建良
150KHz可以用X-CAP砍,但容量加到0.22uF會造成PFC下降我有一次一直加零件總是怪怪的最後發(fā)現(xiàn)我原本PowerModule漏在鋁殼外測量,後來塞進(jìn)去鋁殼內(nèi)測量就PASS了雖然外面鋁殼沒接地,但一樣有效果,最後那些被硬追加的東西都一個一個拔掉,爽!!
你說的情況我之前好像也有遇到過。但沒太弄明白原因,可以分析一下?
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ruixue16
LV.3
17
2010-07-29 16:00
@風(fēng)起云涌
我試過,加一個工字電感在橋堆的負(fù)級那里,會好很多,加在正級就沒多大效果了,但總體也還是不太理想,

你可以把電感量加大一點(diǎn),就可以啦!同步也可以把電容再稍加大一點(diǎn)配合整流後的電感一起使用.可以解決EMI的問題.

 

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2010-07-29 17:07
@林建良
150KHz可以用X-CAP砍,但容量加到0.22uF會造成PFC下降我有一次一直加零件總是怪怪的最後發(fā)現(xiàn)我原本PowerModule漏在鋁殼外測量,後來塞進(jìn)去鋁殼內(nèi)測量就PASS了雖然外面鋁殼沒接地,但一樣有效果,最後那些被硬追加的東西都一個一個拔掉,爽!!

現(xiàn)在過了,搞了一下午,我又加了一級共模進(jìn)去,接下來是要改板了,我做的是90V300mA的LED電源

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2010-07-29 17:11
@ruixue16
你可以把電感量加大一點(diǎn),就可以啦!同步也可以把電容再稍加大一點(diǎn)配合整流後的電感一起使用.可以解決EMI的問題. 
現(xiàn)在過了,在告訴大家一個經(jīng)驗(yàn),布板時共模要隔直流越遠(yuǎn)越好,我多加了一級共模已經(jīng)過了
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jsandypp
LV.2
20
2010-07-29 18:45
@風(fēng)起云涌
現(xiàn)在過了,在告訴大家一個經(jīng)驗(yàn),布板時共模要隔直流越遠(yuǎn)越好,我多加了一級共模已經(jīng)過了
你用兩級共模,電感量多大?我試過在前面加兩個差模電感,效果也很好,但有同事說這樣有個隱患,差模電量會發(fā)生飽和現(xiàn)象,且功耗增加,不知大家有什么建議?
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林建良
LV.7
21
2010-07-30 02:57
@jsandypp
你說的情況我之前好像也有遇到過。但沒太弄明白原因,可以分析一下?

大家都知道共模的原理就是外面感應(yīng)進(jìn)來的EMI noise會因?yàn)閮扇?shù)相位而相抵消

換過來說,差模沒有這特色,所以很怕被干擾

也就是發(fā)射Noise的MOSFET & Transformer 直接射到差模上而由AC Line發(fā)射到天線

因此使用差模做EMI對策雖然省空間省錢,但是差模Layout位置距離MOSFET & Transformer最好超過15公分,差不多是35X19mm的E27 PCB

而MOSFET在中央位置; Transformer在右半邊;那麼差模要退到左邊PCB邊緣上

另外走線的Trace也要小心,若Trace太靠近則那根Trace還要再浪費(fèi)一個差模

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zhezhong
LV.1
22
2010-07-31 17:27
@jsandypp
[圖片]這是傳導(dǎo)圖,請幫忙分析。在50K-60K,100K-1MHz這兩段,如何改善?
你好,加大差模電感試試。我也有塊電源板就是這樣過傳導(dǎo)的。
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林建良
LV.7
23
2010-07-31 21:01
@jsandypp
你用兩級共模,電感量多大?我試過在前面加兩個差模電感,效果也很好,但有同事說這樣有個隱患,差模電量會發(fā)生飽和現(xiàn)象,且功耗增加,不知大家有什么建議?

差模Layout位置距離MOSFET & Transformer最好超過15公分

另外走線的Trace太靠近則那根Trace還要再浪費(fèi)一個差模

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北辰one
LV.1
24
2013-11-08 14:36
@林建良
差模Layout位置距離MOSFET&Transformer最好超過15公分另外走線的Trace太靠近則那根Trace還要再浪費(fèi)一個差模
增加
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北辰one
LV.1
25
2013-11-08 14:40
@北辰one
增加
1.增加差模濾波器;2.調(diào)整變壓器感量,使工作頻率的2倍小于150K
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