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請教,鋰電池保護(hù)電路短路保護(hù)后的開路電壓不為零?

S-8232+5N20,測試短路的保護(hù)的時(shí)候發(fā)現(xiàn)保護(hù)掉后開路電壓為0.5左右,這是為什么呢?謝謝
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zzmws
LV.5
2
2005-11-23 09:08
You could add a resistor(2M) to the gate and source and then a capacitor(0.1u) between drain and source.
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winter
LV.4
3
2005-11-23 09:27
@zzmws
Youcouldaddaresistor(2M)tothegateandsourceandthenacapacitor(0.1u)betweendrainandsource.
謝謝,您的意思是這種現(xiàn)象是由MOS的內(nèi)部電容效應(yīng)引起的嗎?
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2005-11-23 17:51
@zzmws
Youcouldaddaresistor(2M)tothegateandsourceandthenacapacitor(0.1u)betweendrainandsource.
能解釋下為什么這樣嗎?有人說要加那個(gè)電阻是為了使MOS不宜被燒壞,請問是有理論根據(jù)還是經(jīng)驗(yàn)?
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電大的
LV.2
5
2005-11-24 12:38
會(huì)不會(huì)是FET的漏電造成的呢?
如果你用數(shù)字表來測試,其輸入阻抗在1M以上,
這個(gè)0.5v的短路電流有多大呢?如果只有uA級(jí)就沒有理會(huì)的必要了.
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winter
LV.4
6
2005-11-24 13:46
@電大的
會(huì)不會(huì)是FET的漏電造成的呢?如果你用數(shù)字表來測試,其輸入阻抗在1M以上,這個(gè)0.5v的短路電流有多大呢?如果只有uA級(jí)就沒有理會(huì)的必要了.
數(shù)字表的內(nèi)阻是10M ohm的,0.5V的短路電流我沒有測量
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liuxr
LV.4
7
2005-11-24 18:18
S-8542也有同樣的問題.
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zzmws
LV.5
8
2005-11-28 09:56
@winter
謝謝,您的意思是這種現(xiàn)象是由MOS的內(nèi)部電容效應(yīng)引起的嗎?
Perhaps you can believe it as your opinion.But exactly the reason is the procdure of the wafer,which can not be resolved in the world.
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