假如線(xiàn)圈電流在IGBT的允許范圍內(nèi)的話(huà)，半橋電路燒IGBT是不是只在兩管同時(shí)導(dǎo)通時(shí)才有可能會(huì)發(fā)生。提鍋、檢鍋都不可能使其出現(xiàn)擊穿？
假如這樣的話(huà)，那提鍋、檢鍋的話(huà)就可以按照正常條件下驅(qū)動(dòng)IGBT。在這種情況下就可以進(jìn)行檢鍋啦？
半橋電磁爐燒IGBT
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@igbtsy
半橋、全橋一般不存在電壓擊穿，損壞IGBT只有三種情況；1.溫控動(dòng)作值設(shè)置過(guò)高，熱擊穿；2.過(guò)流保護(hù)動(dòng)作慢，過(guò)流造成瞬間過(guò)熱而損壞；3.驅(qū)動(dòng)不足，使管子經(jīng)過(guò)放大區(qū)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，管芯迅速過(guò)熱而損壞。
曾經(jīng)有過(guò)兩次半橋電路裝的H20T120管子，就是1200V單管電磁爐用的IGBT，最后都爆機(jī)了，現(xiàn)在還不知道什么原因，換600V的就都好了。
感覺(jué)也不是因?yàn)楣茏与娏饕?guī)格小，因?yàn)楫?dāng)時(shí)功率加的不大，我的電路是用2110驅(qū)動(dòng)的，剛加熱一下，2110輸出波幅度就降到10 V了，所以分析可能是驅(qū)動(dòng)不夠。
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@19841122051001
在半橋工作模式，是否可能由于干擾造成兩個(gè)管子同時(shí)導(dǎo)通，而將IGBT燒壞？
假設(shè)有干擾，上下管同時(shí)導(dǎo)通，也不應(yīng)當(dāng)燒IGBT，你的過(guò)流保護(hù)沒(méi)動(dòng)作嗎？
我經(jīng)歷過(guò)這樣的情況，門(mén)極驅(qū)動(dòng)工人插線(xiàn)時(shí)有一只管子極性接反，變成上下管子同時(shí)導(dǎo)通，一開(kāi)機(jī)過(guò)流保護(hù)就動(dòng)作，開(kāi)機(jī)多次均是這樣，經(jīng)過(guò)查找才發(fā)現(xiàn)這種可笑的低級(jí)錯(cuò)誤。插線(xiàn)腳換正過(guò)來(lái)一切就正常了。你的過(guò)流保護(hù)既要考慮每個(gè)橋臂中的過(guò)流，又要考慮上下管直通的過(guò)流。
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@igbtsy
假設(shè)有干擾，上下管同時(shí)導(dǎo)通，也不應(yīng)當(dāng)燒IGBT，你的過(guò)流保護(hù)沒(méi)動(dòng)作嗎？我經(jīng)歷過(guò)這樣的情況，門(mén)極驅(qū)動(dòng)工人插線(xiàn)時(shí)有一只管子極性接反，變成上下管子同時(shí)導(dǎo)通，一開(kāi)機(jī)過(guò)流保護(hù)就動(dòng)作，開(kāi)機(jī)多次均是這樣，經(jīng)過(guò)查找才發(fā)現(xiàn)這種可笑的低級(jí)錯(cuò)誤。插線(xiàn)腳換正過(guò)來(lái)一切就正常了。你的過(guò)流保護(hù)既要考慮每個(gè)橋臂中的過(guò)流，又要考慮上下管直通的過(guò)流。
假如機(jī)子沒(méi)母線(xiàn)互感器,如何檢測(cè)上下管直通呢?
業(yè)內(nèi)的感應(yīng)加熱機(jī)子,互感器一般加在三個(gè)地方.
一個(gè)是交流輸入的線(xiàn)上,一個(gè)是直流母線(xiàn),一個(gè)是高頻輸出.
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@my.mai
假如機(jī)子沒(méi)母線(xiàn)互感器,如何檢測(cè)上下管直通呢?業(yè)內(nèi)的感應(yīng)加熱機(jī)子,互感器一般加在三個(gè)地方.一個(gè)是交流輸入的線(xiàn)上,一個(gè)是直流母線(xiàn),一個(gè)是高頻輸出.
做單相3.5KW半橋電磁爐，遇到最難的問(wèn)題是：1、結(jié)構(gòu)沒(méi)做好，導(dǎo)致IGBT經(jīng)常過(guò)熱 ,整流橋橋采用800V 25A扁橋兩兩并聯(lián)，為解決單管IGBT（600V/75A）上下橋散熱問(wèn)題，上下橋IGBT的散熱器分開(kāi)(如放一塊散熱器上，IGBT底板則要加絕緣材料影響散熱)，上橋散熱器上面還有兩整流橋。 2、單相電壓低，理論上整流濾波后直流DC為310V左右，但在實(shí)際應(yīng)用中，不可能使用大容量電解電容，在3500W滿(mǎn)載的時(shí)候直流電壓為200V左右。IGBT基本工作在半負(fù)荷狀態(tài)。電流大，管壓降高是IGBT發(fā)熱的主要原因。3、IGBT共通的問(wèn)題，硬件電路中結(jié)構(gòu)選擇好，是可以避免的。
4、實(shí)際使用中，在絕大多數(shù)炸毀IGBT一般是在開(kāi)機(jī)的瞬間損壞為最多。采用CE檢測(cè)電路進(jìn)行檢測(cè)，雖然能報(bào)警停機(jī)，但I(xiàn)GBT損壞還是不能幸免，最后項(xiàng)目終止。
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@rtg_17
做單相3.5KW半橋電磁爐，遇到最難的問(wèn)題是：1、結(jié)構(gòu)沒(méi)做好，導(dǎo)致IGBT經(jīng)常過(guò)熱 ,整流橋橋采用800V25A扁橋兩兩并聯(lián)，為解決單管IGBT（600V/75A）上下橋散熱問(wèn)題，上下橋IGBT的散熱器分開(kāi)(如放一塊散熱器上，IGBT底板則要加絕緣材料影響散熱)，上橋散熱器上面還有兩整流橋。 2、單相電壓低，理論上整流濾波后直流DC為310V左右，但在實(shí)際應(yīng)用中，不可能使用大容量電解電容，在3500W滿(mǎn)載的時(shí)候直流電壓為200V左右。IGBT基本工作在半負(fù)荷狀態(tài)。電流大，管壓降高是IGBT發(fā)熱的主要原因。3、IGBT共通的問(wèn)題，硬件電路中結(jié)構(gòu)選擇好，是可以避免的。4、實(shí)際使用中，在絕大多數(shù)炸毀IGBT一般是在開(kāi)機(jī)的瞬間損壞為最多。采用CE檢測(cè)電路進(jìn)行檢測(cè)，雖然能報(bào)警停機(jī)，但I(xiàn)GBT損壞還是不能幸免，最后項(xiàng)目終止。
要想把感應(yīng)加熱產(chǎn)品做好,軟件工程師,硬件工程師,結(jié)構(gòu)工程師,缺一不可.
1 散熱,本身就是一個(gè)課程.要做好,真的不容易,需要大量的理論知識(shí),再加上實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù).風(fēng)冷,水冷,熱管...... IGBT掂絕緣片,散熱效果當(dāng)然打折扣了.風(fēng)量,風(fēng)速,風(fēng)道,散熱片高度,厚度,鱗片密度,間距,IGBT及整流橋的安裝位置等等,都有很大的關(guān)系.
2 教科書(shū)的220V橋式整流后電容濾波,電壓311V.空載的時(shí)候是的,滿(mǎn)負(fù)載,只有210V左右.
3 共通問(wèn)題,可以通過(guò)適當(dāng)延長(zhǎng)死區(qū)時(shí)間來(lái)避免,還有其它的方法.
4 檢測(cè)過(guò)流,有幾種方式,都有各自的優(yōu)缺點(diǎn).電流互感器,錳銅絲,霍爾,CE壓降,串聯(lián)電阻讀壓降等.最好就能幾個(gè)檢測(cè)手段互補(bǔ).
我不是做電磁加熱的,我不懂多少,各位見(jiàn)諒.
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@rtg_17
做單相3.5KW半橋電磁爐，遇到最難的問(wèn)題是：1、結(jié)構(gòu)沒(méi)做好，導(dǎo)致IGBT經(jīng)常過(guò)熱 ,整流橋橋采用800V25A扁橋兩兩并聯(lián)，為解決單管IGBT（600V/75A）上下橋散熱問(wèn)題，上下橋IGBT的散熱器分開(kāi)(如放一塊散熱器上，IGBT底板則要加絕緣材料影響散熱)，上橋散熱器上面還有兩整流橋。 2、單相電壓低，理論上整流濾波后直流DC為310V左右，但在實(shí)際應(yīng)用中，不可能使用大容量電解電容，在3500W滿(mǎn)載的時(shí)候直流電壓為200V左右。IGBT基本工作在半負(fù)荷狀態(tài)。電流大，管壓降高是IGBT發(fā)熱的主要原因。3、IGBT共通的問(wèn)題，硬件電路中結(jié)構(gòu)選擇好，是可以避免的。4、實(shí)際使用中，在絕大多數(shù)炸毀IGBT一般是在開(kāi)機(jī)的瞬間損壞為最多。采用CE檢測(cè)電路進(jìn)行檢測(cè)，雖然能報(bào)警停機(jī)，但I(xiàn)GBT損壞還是不能幸免，最后項(xiàng)目終止。
分析認(rèn)識(shí)到位了！所以低電壓不能用半橋，應(yīng)當(dāng)用全橋，即使用了全橋，220V/3.5KW的工作狀態(tài)遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有380V/8KW的工作狀態(tài)好。有的做半橋上下管用雙管并聯(lián)的方式，用了四只管子為何不改成全橋？比半橋好做多了，穩(wěn)定性也比半橋好多了，特別適合于沒(méi)有做過(guò)半橋的人去做。
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@igbtsy
分析認(rèn)識(shí)到位了！所以低電壓不能用半橋，應(yīng)當(dāng)用全橋，即使用了全橋，220V/3.5KW的工作狀態(tài)遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒(méi)有380V/8KW的工作狀態(tài)好。有的做半橋上下管用雙管并聯(lián)的方式，用了四只管子為何不改成全橋？比半橋好做多了，穩(wěn)定性也比半橋好多了，特別適合于沒(méi)有做過(guò)半橋的人去做。
單相要想把電磁爐功率做大，首當(dāng)其沖的應(yīng)該電在主電路下功夫的。單相整流（100HZ脈動(dòng)電壓）不加電解做直流母線(xiàn)電壓支撐的話(huà)，很難做好。當(dāng)然也有人把單相整流后做一級(jí)PFC，無(wú)疑成本高。其二大功率的PFC我相信能做好的企業(yè)還是不多吧？
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@igbtsy
半橋、全橋一般不存在電壓擊穿，損壞IGBT只有三種情況；1.溫控動(dòng)作值設(shè)置過(guò)高，熱擊穿；2.過(guò)流保護(hù)動(dòng)作慢，過(guò)流造成瞬間過(guò)熱而損壞；3.驅(qū)動(dòng)不足，使管子經(jīng)過(guò)放大區(qū)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，管芯迅速過(guò)熱而損壞。
IGBT驅(qū)動(dòng)電壓在13V可以嗎，我的半橋IGBT總是有一只上電一會(huì)兒后燒毀，另一只完好，60N100的管子，在220V單相，4KW，不會(huì)過(guò)壓吧？還是驅(qū)動(dòng)能力不足導(dǎo)致呢？
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@spt77
呵呵，沈工作全橋做順了！我覺(jué)得還是半橋簡(jiǎn)單些，簡(jiǎn)單的東東理論上講更容易做的可靠！
如果是高電壓小功率，半橋的優(yōu)點(diǎn)就突出了，我就做半橋。如果是低電壓或者是較大的功率，就應(yīng)當(dāng)是全橋。全橋與半橋都是用同一塊驅(qū)動(dòng)控制電路板板，均有二個(gè)脈沖變壓器完成驅(qū)動(dòng)，沒(méi)有全橋比半橋復(fù)雜之說(shuō)。半橋的缺點(diǎn)是為了防止上下管子的直通，過(guò)流保護(hù)的互感器中有直流分量。全橋不管是管子的上下直通還是橋臂中的過(guò)流，互感器中都不會(huì)有直流分量流過(guò)，這是全橋的優(yōu)點(diǎn)之一。
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@liningustb
IGBT驅(qū)動(dòng)電壓在13V可以嗎，我的半橋IGBT總是有一只上電一會(huì)兒后燒毀，另一只完好，60N100的管子，在220V單相，4KW，不會(huì)過(guò)壓吧？還是驅(qū)動(dòng)能力不足導(dǎo)致呢？
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