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關(guān)于LLC死區(qū)時間的討論?。?！

關(guān)于LLC死區(qū)時間的問題，不知他在電路中具體影響到哪個因素，我現(xiàn)在開關(guān)頻率為240K，最先死區(qū)取得是120ns,現(xiàn)在因為怕管子來不及反應(yīng)，當(dāng)然也是聽了有些工程師的建議，把死區(qū)時間調(diào)大了一些，調(diào)到260  ns ,我從仿真下來看的話電流有效值和輸出電壓平均值也沒有什么差異，但是死區(qū)對電路的影響，我能想到的跟ZVS有關(guān)外，不知與效率等等的因素關(guān)系大不大？？

還有就是我的LLC隨著負(fù)載加重，諧振頻率會變小，這個一直沒想明白，諧振頻率理應(yīng)不是應(yīng)該不變的嘛，不知誰可以作出個明確的解釋呢？？

期待中。。。

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zero3210
LV.7
2
2010-11-01 11:44
兄弟 你死區(qū)時間是通過什么調(diào)節(jié)的
0
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2010-11-01 13:31
@zero3210
兄弟你死區(qū)時間是通過什么調(diào)節(jié)的

是通過外面的電阻調(diào)節(jié)的

我用的是TI的UCC25600芯片

可以比較大的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)死區(qū)時間

0
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zero3210
LV.7
4
2010-11-01 15:21
@simonjimmy
是通過外面的電阻調(diào)節(jié)的我用的是TI的UCC25600芯片可以比較大的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)死區(qū)時間
學(xué)習(xí)了 謝謝
0
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2010-11-01 17:02
@zero3210
學(xué)習(xí)了謝謝
0
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2010-11-01 17:55

死區(qū)時間調(diào)大，原邊有效值電流會增大，但一般死區(qū)都很小，相對于開關(guān)周期來說幾乎可以忽略，所以基本上看不到什么反應(yīng)。死區(qū)太小的話，有可能會實現(xiàn)不了軟開關(guān)。

不知道你怎么看到的諧振頻率，LLC的諧振頻率是不會隨負(fù)載變化的，你看到變化的是開關(guān)頻率吧。

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2010-11-01 19:38
@fly
死區(qū)時間調(diào)大，原邊有效值電流會增大，但一般死區(qū)都很小，相對于開關(guān)周期來說幾乎可以忽略，所以基本上看不到什么反應(yīng)。死區(qū)太小的話，有可能會實現(xiàn)不了軟開關(guān)。不知道你怎么看到的諧振頻率，LLC的諧振頻率是不會隨負(fù)載變化的，你看到變化的是開關(guān)頻率吧。

恩  我的死區(qū)時間從150ns增大到260ns從仿真的角度看對原邊有效值的影響是很小的

是這樣的  在輕載的時候  通過設(shè)定開關(guān)頻率我讓LLC工作在諧振點（這個可以從原邊的電流波形去判斷），然后我加載至滿載，我的開關(guān)頻率保持不變，但是這個時候的原邊電流的波形看起來就是大于諧振點的情況了。。。而且增益也下降了，在諧振點處增益不是不隨負(fù)載變化的么？？

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2010-11-02 14:49
@simonjimmy
恩 我的死區(qū)時間從150ns增大到260ns從仿真的角度看對原邊有效值的影響是很小的是這樣的 在輕載的時候 通過設(shè)定開關(guān)頻率我讓LLC工作在諧振點（這個可以從原邊的電流波形去判斷），然后我加載至滿載，我的開關(guān)頻率保持不變，但是這個時候的原邊電流的波形看起來就是大于諧振點的情況了。。。而且增益也下降了，在諧振點處增益不是不隨負(fù)載變化的么？？
在諧振點處增益不是不隨負(fù)載變化是理論上是這樣，但是當(dāng)負(fù)載不同的時候，副邊的壓降也是不同的，你所需要的增益也是變化的，頻率當(dāng)然是變化的
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2011-11-04 20:56
@fly
在諧振點處增益不是不隨負(fù)載變化是理論上是這樣，但是當(dāng)負(fù)載不同的時候，副邊的壓降也是不同的，你所需要的增益也是變化的，頻率當(dāng)然是變化的
死間時間跟效率有關(guān)系嗎？？
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guojiyan_28
LV.1
10
2011-11-16 16:48
@fly
死區(qū)時間調(diào)大，原邊有效值電流會增大，但一般死區(qū)都很小，相對于開關(guān)周期來說幾乎可以忽略，所以基本上看不到什么反應(yīng)。死區(qū)太小的話，有可能會實現(xiàn)不了軟開關(guān)。不知道你怎么看到的諧振頻率，LLC的諧振頻率是不會隨負(fù)載變化的，你看到變化的是開關(guān)頻率吧。

死區(qū)時間太小，則原邊勵磁電流增大，否則抽不走M(jìn)OS管輸出電容的電荷，實現(xiàn)不了ZVS，所以死區(qū)時間不易太小，F(xiàn)LY團(tuán)長，您說對嗎？

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yopoo
LV.2
11
2012-01-10 23:02
@guojiyan_28
死區(qū)時間太小，則原邊勵磁電流增大，否則抽不走M(jìn)OS管輸出電容的電荷，實現(xiàn)不了ZVS，所以死區(qū)時間不易太小，F(xiàn)LY團(tuán)長，您說對嗎？

嗯，ZVS的條件就是諧振電流將DS電容電荷抽走體二極管打通，電流與死區(qū)時間的積分，

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gongzijun
LV.1
12
2013-03-23 16:42
@fly
死區(qū)時間調(diào)大，原邊有效值電流會增大，但一般死區(qū)都很小，相對于開關(guān)周期來說幾乎可以忽略，所以基本上看不到什么反應(yīng)。死區(qū)太小的話，有可能會實現(xiàn)不了軟開關(guān)。不知道你怎么看到的諧振頻率，LLC的諧振頻率是不會隨負(fù)載變化的，你看到變化的是開關(guān)頻率吧。

死區(qū)時間我覺得要去的平衡，太小了，不能把MOS上電容的電荷抽完。太大了會導(dǎo)致抽MOS上電容的能量耗干，就是抽走了管子還沒有開通，這時候電又會充起來。也就是所說的欠諧振和過諧振，這樣不能形成ZVS

其次，太大了，影響效率。太小了有直通的危險

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2013-04-17 12:04
@gongzijun
死區(qū)時間我覺得要去的平衡，太小了，不能把MOS上電容的電荷抽完。太大了會導(dǎo)致抽MOS上電容的能量耗干，就是抽走了管子還沒有開通，這時候電又會充起來。也就是所說的欠諧振和過諧振，這樣不能形成ZVS其次，太大了，影響效率。太小了有直通的危險

我現(xiàn)在設(shè)置的死區(qū)時間是200ns，從saber仿真上看  直通了，要改死區(qū)時間，怎么弄呢？

現(xiàn)在實現(xiàn)不了ZVS  干著急

能幫我一下么

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nykyd
LV.1
14
2013-10-20 14:37
請問你的死區(qū)時間是怎么設(shè)置的，我想用vpulse實現(xiàn)pwm，但死區(qū)時間不會設(shè)置，能給解答下嗎？
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井立超
LV.1
15
2017-05-19 16:00
@nykyd
請問你的死區(qū)時間是怎么設(shè)置的，我想用vpulse實現(xiàn)pwm，但死區(qū)時間不會設(shè)置，能給解答下嗎？
應(yīng)用中 MOS 管兩端存在寄生電容，為實現(xiàn)開關(guān) MOS 管的 ZVS 導(dǎo)通，寄生電容內(nèi)的電量必須在死區(qū)時間內(nèi)釋放完畢
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