關(guān)于LLC死區(qū)時(shí)間的問題，不知他在電路中具體影響到哪個(gè)因素，我現(xiàn)在開關(guān)頻率為240K，最先死區(qū)取得是120ns,現(xiàn)在因?yàn)榕鹿茏觼聿患胺磻?yīng)，當(dāng)然也是聽了有些工程師的建議，把死區(qū)時(shí)間調(diào)大了一些，調(diào)到260 ns ,我從仿真下來看的話電流有效值和輸出電壓平均值也沒有什么差異，但是死區(qū)對(duì)電路的影響，我能想到的跟ZVS有關(guān)外，不知與效率等等的因素關(guān)系大不大？？
還有就是我的LLC隨著負(fù)載加重，諧振頻率會(huì)變小，這個(gè)一直沒想明白，諧振頻率理應(yīng)不是應(yīng)該不變的嘛，不知誰可以作出個(gè)明確的解釋呢？？
期待中。。。
恩 我的死區(qū)時(shí)間從150ns增大到260ns從仿真的角度看對(duì)原邊有效值的影響是很小的
是這樣的 在輕載的時(shí)候 通過設(shè)定開關(guān)頻率我讓LLC工作在諧振點(diǎn)（這個(gè)可以從原邊的電流波形去判斷），然后我加載至滿載，我的開關(guān)頻率保持不變，但是這個(gè)時(shí)候的原邊電流的波形看起來就是大于諧振點(diǎn)的情況了。。。而且增益也下降了，在諧振點(diǎn)處增益不是不隨負(fù)載變化的么？？
死區(qū)時(shí)間太小，則原邊勵(lì)磁電流增大，否則抽不走M(jìn)OS管輸出電容的電荷，實(shí)現(xiàn)不了ZVS，所以死區(qū)時(shí)間不易太小，F(xiàn)LY團(tuán)長(zhǎng)，您說對(duì)嗎？
死區(qū)時(shí)間我覺得要去的平衡，太小了，不能把MOS上電容的電荷抽完。太大了會(huì)導(dǎo)致抽MOS上電容的能量耗干，就是抽走了管子還沒有開通，這時(shí)候電又會(huì)充起來。也就是所說的欠諧振和過諧振，這樣不能形成ZVS
其次，太大了，影響效率。太小了有直通的危險(xiǎn)
我現(xiàn)在設(shè)置的死區(qū)時(shí)間是200ns，從saber仿真上看 直通了，要改死區(qū)時(shí)間，怎么弄呢？
現(xiàn)在實(shí)現(xiàn)不了ZVS 干著急
能幫我一下么
