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MOS問題求救

N-channel MOS 在GS并一個10K RES，請問這是為什么，我沒看懂
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ccps
LV.7
2
2011-01-05 08:46
mos關(guān)閉時為柵源之間的電容提供泄放電荷的通道，加快mos的關(guān)閉，還有就是防止靜電
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Davids14
LV.2
3
2011-01-05 09:50
@ccps
mos關(guān)閉時為柵源之間的電容提供泄放電荷的通道，加快mos的關(guān)閉，還有就是防止靜電

感恩，我在電源網(wǎng)提了好幾個問題，你是第一個回答我的人，謝謝

但是我有點疑問，我以前做低壓DC-DC buck電路時用到的MOS都沒有用這種方式，極間電容其實也很大（Ciss=1000pF +），并且開關(guān)頻率很高（300K）

現(xiàn)在做的推挽top式 頻率40K，有這個必要嗎，我不太覺得

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ccps
LV.7
4
2011-01-05 10:07
@Davids14
感恩，我在電源網(wǎng)提了好幾個問題，你是第一個回答我的人，謝謝但是我有點疑問，我以前做低壓DC-DCbuck電路時用到的MOS都沒有用這種方式，極間電容其實也很大（Ciss=1000pF+），并且開關(guān)頻率很高（300K）現(xiàn)在做的推挽top式頻率40K，有這個必要嗎，我不太覺得
在使用無靜電消除措施的焊接過程中，此電阻的作用不容忽視.如果有靜電措施了電阻就可有可無了
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Davids14
LV.2
5
2011-01-05 10:30
@ccps
在使用無靜電消除措施的焊接過程中，此電阻的作用不容忽視.如果有靜電措施了電阻就可有可無了
排長！你可以幫我看看這個問題嗎，現(xiàn)在2個MOS在上升沿都有這樣的shoulder，該怎么分析
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ccps
LV.7
6
2011-01-05 17:19
@Davids14
[圖片]排長！你可以幫我看看這個問題嗎，現(xiàn)在2個MOS在上升沿都有這樣的shoulder，該怎么分析
我也是個新手，具體怎么消除尖峰我也不清楚了，是不是吸收電路沒有做好~~
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Davids14
LV.2
7
2011-01-06 09:47
@ccps
[圖片]我也是個新手，具體怎么消除尖峰我也不清楚了，是不是吸收電路沒有做好~~
這個是Vgs開關(guān)的波形啊
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ccps
LV.7
8
2011-01-06 10:19
@Davids14
這個是Vgs開關(guān)的波形啊
哦，驅(qū)動信號波形，你的那條綠線是什么？
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Davids14
LV.2
9
2011-01-06 11:42
@ccps
哦，驅(qū)動信號波形，你的那條綠線是什么？
現(xiàn)在做的推挽top式 頻率40K， 這個是兩個MOS的波形，上升沿是其中一個MOS的開的時候的，綠線是另外一個MOS的
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2011-01-06 11:55
@Davids14
感恩，我在電源網(wǎng)提了好幾個問題，你是第一個回答我的人，謝謝但是我有點疑問，我以前做低壓DC-DCbuck電路時用到的MOS都沒有用這種方式，極間電容其實也很大（Ciss=1000pF+），并且開關(guān)頻率很高（300K）現(xiàn)在做的推挽top式頻率40K，有這個必要嗎，我不太覺得

是否要裝這個電阻，還有驅(qū)動電路有關(guān)，但裝上可以安全一點。

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心中有冰
LV.11
11
2011-01-07 08:56
@Davids14
[圖片]排長！你可以幫我看看這個問題嗎，現(xiàn)在2個MOS在上升沿都有這樣的shoulder，該怎么分析

你指的是黃線波形那個下垂點嗎

這個是MOSFET的米勒效應(yīng)引起的，從波形看你的驅(qū)動似乎不足

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Davids14
LV.2
12
2011-01-07 16:14
@心中有冰
你指的是黃線波形那個下垂點嗎這個是MOSFET的米勒效應(yīng)引起的，從波形看你的驅(qū)動似乎不足

感謝師長的回答，我也試過更換Rg，之前是10ohm，現(xiàn)在我又并了顆10ohm，Rg=5ohm左右，波形還是這樣的，驅(qū)動沒接什么，IC出來就只有這個Rg的。

另外我想問一下這個這個時間很短，算不算bug

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心中有冰
LV.11
13
2011-01-07 17:05
@Davids14
感謝師長的回答，我也試過更換Rg，之前是10ohm，現(xiàn)在我又并了顆10ohm，Rg=5ohm左右，波形還是這樣的，驅(qū)動沒接什么，IC出來就只有這個Rg的。另外我想問一下這個這個時間很短，算不算bug

這個是幾乎所有的MOSFET都有的一個特性

一般是個平臺，如果下垂驅(qū)動電路肯定有點問題，你看看驅(qū)動電壓是多高？

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Davids14
LV.2
14
2011-01-09 11:37
@心中有冰
這個是幾乎所有的MOSFET都有的一個特性一般是個平臺，如果下垂驅(qū)動電路肯定有點問題，你看看驅(qū)動電壓是多高？
驅(qū)動電壓如上圖，13V左右
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心中有冰
LV.11
15
2011-01-09 11:51
@Davids14
驅(qū)動電壓如上圖，13V左右

其實這跟MOSFET本身的Qgs是有關(guān)系的，你試著提高驅(qū)動電壓，看那個下垂的點是否能變平坦

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jazzezhao
LV.3
16
2011-01-24 15:30

日本SANKEN（三墾/三肯）在大陸市場推廣太陽能逆變器專用MOSFET。主要有以下規(guī)格：500V/42A、600V/34A和800V/31A。特征如下：

高耐圧MOS-FET
低RDS(on)品
VDSS　500V to  800V
High Reliability
TO-3P PKG

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