1.圖中的高端驅(qū)動(dòng)MOS電路在關(guān)閉階段應(yīng)該是光耦輸出為低嗎?
2.三相逆變拓?fù)渲?,為什么要檢測(cè)濾波網(wǎng)絡(luò)中的直流分量,有實(shí)際的物理意義嗎?
光耦導(dǎo)通時(shí)第一個(gè)MOS管可以導(dǎo)通嗎?怎么保證Vgs電壓大于閾值???怎么感覺G和S電位一樣???