選擇 熔斷器熔斷時(shí)間t與熔斷電流I大小有關(guān)，其規(guī)律是與電流平方成反比。，稱為熔斷器秒-安特性曲線。 各種電器設(shè)備（包括電網(wǎng)）都有一定過(guò)載能力，當(dāng)過(guò)載較輕時(shí)可以允許較長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行，而超過(guò)某一過(guò)載倍數(shù)時(shí)，相應(yīng)要求熔斷器一定時(shí)間內(nèi)熔斷。選擇熔斷器保護(hù)過(guò)載和短路，必須了解用電設(shè)備過(guò)載特性，使這一特性恰當(dāng)處熔斷器秒-安特性保護(hù)范圍之內(nèi)。 熔斷電流Io熔斷時(shí)間理論上是無(wú)限大，稱為最小融化電流或臨界電流，即熔體電流小于臨界值就不會(huì)熔斷。選擇熔體額定電流Ie應(yīng)小于Io；通常取Io與Ie比值為1.5～2.0，稱作熔化系數(shù)。該系數(shù)反映熔斷器過(guò)載時(shí)不同保護(hù)特性，如要使熔斷器能保護(hù)小過(guò)載電流，融化系數(shù)就應(yīng)該低些；避免電動(dòng)機(jī)起動(dòng)時(shí)短時(shí)過(guò)電流使熔體熔化，融化系數(shù)就應(yīng)高些。 快速熔器電流能力滿足系統(tǒng)短路電流要求后，發(fā)生短路故障時(shí)可以隔離故障電流，但能否保護(hù)所串聯(lián)半導(dǎo)體器件則必須分析二者I2t值。當(dāng)快速熔斷器I2t值小于半導(dǎo)體器件I2t值時(shí)，才能對(duì)半導(dǎo)體器件起到保護(hù)作用。短路故障時(shí)I2t值分為兩個(gè)階段，即弧前I2t和熔斷I2t。熔體金屬?gòu)墓虘B(tài)轉(zhuǎn)為液態(tài)時(shí)間是弧前時(shí)間， 大約1.0～2.0ms，可以認(rèn)為是絕熱過(guò)程，此時(shí)間段快速熔斷器產(chǎn)生電流時(shí)間積分可以認(rèn)為是一定值，由設(shè)計(jì)來(lái)確定?；∏癐2t值不同材料其值同，每一種材料它是一個(gè)常數(shù)。當(dāng)熔體金屬變?yōu)檎魵鈺r(shí)電弧始燃，燃弧過(guò)程中電流由限流值降至零，此階段I2t即為熔斷I2t，它是一個(gè)變量。這一過(guò)程主要依靠填料被腐蝕而吸收能量。 設(shè)計(jì)快速熔斷器時(shí)，為滿足半導(dǎo)體器件不斷提高額定電流，要采取許多措施，而不能簡(jiǎn)單用算術(shù)方法來(lái)選擇快速熔斷器。實(shí)驗(yàn)證明，當(dāng)額定電流增加1倍時(shí)，快速熔斷器I2t值是原來(lái)4 倍，而半導(dǎo)體器件I2t值增加要小多。要使快速熔斷器降低I2t值有較大難度，多方面采取措施，如合理熔片分布、縮短熔體長(zhǎng)度、減小電弧柵和提高滅弧材料熄弧能力等。I2t值是精選快速熔斷器重要指標(biāo)之一。 3.5 絕緣電阻 快速熔斷器分?jǐn)嗪蠼^緣電阻指標(biāo)由經(jīng)驗(yàn)證明是很重要。20世紀(jì)90年代大量產(chǎn)品中加入了鉀鹽、鈉鹽，鈉鹽可以提高電弧柵分?jǐn)嗄芰?。而制造較差快速熔斷器分?jǐn)嗪蠼^緣電阻大多低于0.3MΩ，有漏電現(xiàn)象，特殊情況下切斷故障后經(jīng)一段時(shí)間又重燃，這將引起更大故障。質(zhì)量好快速熔斷器（加入了鉀鹽、鈉鹽）分?jǐn)嗪髴?yīng)形成0.5MΩ以上絕緣電阻?？焖偃蹟嗥鞣?jǐn)?0min后能達(dá)到大于1～30MΩ絕緣電阻，可認(rèn)為有良好可靠性。 另外，使用快速熔斷器時(shí)還要考慮其壽命及可靠性；分?jǐn)嗪蠼^緣電阻指標(biāo)（＞0.5MΩ）；盡量低暫態(tài)恢復(fù)電壓；不使用有隱形故障產(chǎn)品等。