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保險(xiǎn)絲怎么取值呢?

請(qǐng)教一下各位高手:

       小弟我現(xiàn)在正在設(shè)計(jì)一款12V/4.2A的電源,不知道這個(gè)保險(xiǎn)絲怎么著手?懇請(qǐng)大俠們不吝指教。

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2011-08-02 18:10
取5A的保險(xiǎn)絲
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2011-08-02 20:44
@隱形專家
取5A的保險(xiǎn)絲

為什么要這樣取值呢?謝謝

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2011-08-02 22:44
@abc5313012
為什么要這樣取值呢?謝謝

經(jīng)驗(yàn)吧,5A可以試一下,小一點(diǎn)還有2.5A,做出來(lái)后再做一下浪涌測(cè)試,算一下保險(xiǎn)絲的I2t是否滿足設(shè)計(jì)要求。

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2011-08-02 22:59
@abc5313012
為什么要這樣取值呢?謝謝

這個(gè)要根據(jù)你保險(xiǎn)絲的作用來(lái)取,也并不一定要5A,(偷懶起見(jiàn),以下名詞憑記憶來(lái)寫,懶得查證)

選保險(xiǎn)絲主要關(guān)注的參數(shù)有,額定電流,額定電壓,熔斷時(shí)間和電流對(duì)應(yīng)關(guān)系,熔斷能量I2T(或A2T),interrupte current(這個(gè)好像是叫分?jǐn)嚯娏鬟€是什么的),還有是快斷還是慢斷的(其實(shí)看I2T就知道)。

保險(xiǎn)絲的用處,1-防止故障后發(fā)生繼發(fā)性危害,比如短路發(fā)生后發(fā)生起火過(guò)熱危險(xiǎn),2-防止過(guò)載,3  晶體元件保護(hù)等。

這就要求保險(xiǎn)絲在不該斷的時(shí)候不要斷,該斷的時(shí)候一定要斷。

在正常工作的一些極端情況下都不能斷,但是異常狀態(tài)又要保證在限定的時(shí)間內(nèi)能可靠斷開(kāi)。

    所以得先計(jì)算,后實(shí)裝并測(cè)試。

舉個(gè)實(shí)例來(lái)講,ATX 電源的AC 輸入保險(xiǎn)絲,就需要在最差情況下
(AC 輸入高壓,大電解電容為空,且AC 電源內(nèi)阻極低)突入電流低于保險(xiǎn)絲的 interrupt current, 并且整個(gè)inrush current 作用時(shí)間內(nèi),其能量低于I2T,

當(dāng)然保險(xiǎn)絲的額定電壓為250V,額定電流要高于ATX 電源 低壓輸入滿載輸出情況下的實(shí)際電流,一般這里會(huì)用慢斷的保險(xiǎn)絲,

但是當(dāng)PFC MOS 或PWM MOS 掛掉后,又要及時(shí)熔斷,

這就得讓你只能選不能斷太快,也不能斷太慢的

而且還要考慮安規(guī)等等,斷的還不能冒火。。。。。。所以選保險(xiǎn)絲也要考慮很多!

 

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2011-08-03 06:11
2011-08-03 06:20
@隱形專家
[圖片]英文版保險(xiǎn)絲簡(jiǎn)介 
1.額定電壓:從安全使用的角度出發(fā), 一般保險(xiǎn)絲只能安置在工作電壓小於或等於保險(xiǎn)絲額定電壓的電路中, 不然在保險(xiǎn)絲熔斷時(shí)將會(huì)出現(xiàn)持續(xù)飛弧和被電壓擊穿而危害電路.
2.額定電流: Iin_rmsmax=Pin/(Vin_acmin*PF),裕量設(shè)計(jì)
3.I2t: 選用的Fuse必須具有浪涌電流衝擊的能力,還要考慮Lightning surge
4.熔斷速度
5.其它如封裝,安規(guī)等,則是依PCB layout,機(jī)構(gòu)結(jié)構(gòu),安規(guī)    等要求來(lái)決定
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2011-08-03 06:23
@隱形專家
[圖片]英文版保險(xiǎn)絲簡(jiǎn)介 
選擇 熔斷器熔斷時(shí)間t與熔斷電流I大小有關(guān),其規(guī)律是與電流平方成反比。,稱為熔斷器秒-安特性曲線。 各種電器設(shè)備(包括電網(wǎng))都有一定過(guò)載能力,當(dāng)過(guò)載較輕時(shí)可以允許較長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行,而超過(guò)某一過(guò)載倍數(shù)時(shí),相應(yīng)要求熔斷器一定時(shí)間內(nèi)熔斷。選擇熔斷器保護(hù)過(guò)載和短路,必須了解用電設(shè)備過(guò)載特性,使這一特性恰當(dāng)處熔斷器秒-安特性保護(hù)范圍之內(nèi)。 熔斷電流Io熔斷時(shí)間理論上是無(wú)限大,稱為最小融化電流或臨界電流,即熔體電流小于臨界值就不會(huì)熔斷。選擇熔體額定電流Ie應(yīng)小于Io;通常取Io與Ie比值為1.5~2.0,稱作熔化系數(shù)。該系數(shù)反映熔斷器過(guò)載時(shí)不同保護(hù)特性,如要使熔斷器能保護(hù)小過(guò)載電流,融化系數(shù)就應(yīng)該低些;避免電動(dòng)機(jī)起動(dòng)時(shí)短時(shí)過(guò)電流使熔體熔化,融化系數(shù)就應(yīng)高些。 快速熔器電流能力滿足系統(tǒng)短路電流要求后,發(fā)生短路故障時(shí)可以隔離故障電流,但能否保護(hù)所串聯(lián)半導(dǎo)體器件則必須分析二者I2t值。當(dāng)快速熔斷器I2t值小于半導(dǎo)體器件I2t值時(shí),才能對(duì)半導(dǎo)體器件起到保護(hù)作用。短路故障時(shí)I2t值分為兩個(gè)階段,即弧前I2t和熔斷I2t。熔體金屬?gòu)墓虘B(tài)轉(zhuǎn)為液態(tài)時(shí)間是弧前時(shí)間, 大約1.0~2.0ms,可以認(rèn)為是絕熱過(guò)程,此時(shí)間段快速熔斷器產(chǎn)生電流時(shí)間積分可以認(rèn)為是一定值,由設(shè)計(jì)來(lái)確定?;∏癐2t值不同材料其值同,每一種材料它是一個(gè)常數(shù)。當(dāng)熔體金屬變?yōu)檎魵鈺r(shí)電弧始燃,燃弧過(guò)程中電流由限流值降至零,此階段I2t即為熔斷I2t,它是一個(gè)變量。這一過(guò)程主要依靠填料被腐蝕而吸收能量。 設(shè)計(jì)快速熔斷器時(shí),為滿足半導(dǎo)體器件不斷提高額定電流,要采取許多措施,而不能簡(jiǎn)單用算術(shù)方法來(lái)選擇快速熔斷器。實(shí)驗(yàn)證明,當(dāng)額定電流增加1倍時(shí),快速熔斷器I2t值是原來(lái)4 倍,而半導(dǎo)體器件I2t值增加要小多。要使快速熔斷器降低I2t值有較大難度,多方面采取措施,如合理熔片分布、縮短熔體長(zhǎng)度、減小電弧柵和提高滅弧材料熄弧能力等。I2t值是精選快速熔斷器重要指標(biāo)之一。 3.5 絕緣電阻 快速熔斷器分?jǐn)嗪蠼^緣電阻指標(biāo)由經(jīng)驗(yàn)證明是很重要。20世紀(jì)90年代大量產(chǎn)品中加入了鉀鹽、鈉鹽,鈉鹽可以提高電弧柵分?jǐn)嗄芰?。而制造較差快速熔斷器分?jǐn)嗪蠼^緣電阻大多低于0.3MΩ,有漏電現(xiàn)象,特殊情況下切斷故障后經(jīng)一段時(shí)間又重燃,這將引起更大故障。質(zhì)量好快速熔斷器(加入了鉀鹽、鈉鹽)分?jǐn)嗪髴?yīng)形成0.5MΩ以上絕緣電阻??焖偃蹟嗥鞣?jǐn)?0min后能達(dá)到大于1~30MΩ絕緣電阻,可認(rèn)為有良好可靠性。 另外,使用快速熔斷器時(shí)還要考慮其壽命及可靠性;分?jǐn)嗪蠼^緣電阻指標(biāo)(>0.5MΩ);盡量低暫態(tài)恢復(fù)電壓;不使用有隱形故障產(chǎn)品等。
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lite001
LV.1
9
2011-08-03 10:20

美國(guó) lttelfuse 保險(xiǎn)絲  中國(guó)一級(jí)代理~~ 需要樣品 或技術(shù)支持,

聯(lián)系:15618078888  謝工

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wheelzhou
LV.9
10
2011-08-03 10:40
@隱形專家
選擇熔斷器熔斷時(shí)間t與熔斷電流I大小有關(guān),其規(guī)律是與電流平方成反比。,稱為熔斷器秒-安特性曲線。各種電器設(shè)備(包括電網(wǎng))都有一定過(guò)載能力,當(dāng)過(guò)載較輕時(shí)可以允許較長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行,而超過(guò)某一過(guò)載倍數(shù)時(shí),相應(yīng)要求熔斷器一定時(shí)間內(nèi)熔斷。選擇熔斷器保護(hù)過(guò)載和短路,必須了解用電設(shè)備過(guò)載特性,使這一特性恰當(dāng)處熔斷器秒-安特性保護(hù)范圍之內(nèi)。熔斷電流Io熔斷時(shí)間理論上是無(wú)限大,稱為最小融化電流或臨界電流,即熔體電流小于臨界值就不會(huì)熔斷。選擇熔體額定電流Ie應(yīng)小于Io;通常取Io與Ie比值為1.5~2.0,稱作熔化系數(shù)。該系數(shù)反映熔斷器過(guò)載時(shí)不同保護(hù)特性,如要使熔斷器能保護(hù)小過(guò)載電流,融化系數(shù)就應(yīng)該低些;避免電動(dòng)機(jī)起動(dòng)時(shí)短時(shí)過(guò)電流使熔體熔化,融化系數(shù)就應(yīng)高些??焖偃燮麟娏髂芰M足系統(tǒng)短路電流要求后,發(fā)生短路故障時(shí)可以隔離故障電流,但能否保護(hù)所串聯(lián)半導(dǎo)體器件則必須分析二者I2t值。當(dāng)快速熔斷器I2t值小于半導(dǎo)體器件I2t值時(shí),才能對(duì)半導(dǎo)體器件起到保護(hù)作用。短路故障時(shí)I2t值分為兩個(gè)階段,即弧前I2t和熔斷I2t。熔體金屬?gòu)墓虘B(tài)轉(zhuǎn)為液態(tài)時(shí)間是弧前時(shí)間,大約1.0~2.0ms,可以認(rèn)為是絕熱過(guò)程,此時(shí)間段快速熔斷器產(chǎn)生電流時(shí)間積分可以認(rèn)為是一定值,由設(shè)計(jì)來(lái)確定?;∏癐2t值不同材料其值同,每一種材料它是一個(gè)常數(shù)。當(dāng)熔體金屬變?yōu)檎魵鈺r(shí)電弧始燃,燃弧過(guò)程中電流由限流值降至零,此階段I2t即為熔斷I2t,它是一個(gè)變量。這一過(guò)程主要依靠填料被腐蝕而吸收能量。設(shè)計(jì)快速熔斷器時(shí),為滿足半導(dǎo)體器件不斷提高額定電流,要采取許多措施,而不能簡(jiǎn)單用算術(shù)方法來(lái)選擇快速熔斷器。實(shí)驗(yàn)證明,當(dāng)額定電流增加1倍時(shí),快速熔斷器I2t值是原來(lái)4倍,而半導(dǎo)體器件I2t值增加要小多。要使快速熔斷器降低I2t值有較大難度,多方面采取措施,如合理熔片分布、縮短熔體長(zhǎng)度、減小電弧柵和提高滅弧材料熄弧能力等。I2t值是精選快速熔斷器重要指標(biāo)之一。3.5絕緣電阻快速熔斷器分?jǐn)嗪蠼^緣電阻指標(biāo)由經(jīng)驗(yàn)證明是很重要。20世紀(jì)90年代大量產(chǎn)品中加入了鉀鹽、鈉鹽,鈉鹽可以提高電弧柵分?jǐn)嗄芰?。而制造較差快速熔斷器分?jǐn)嗪蠼^緣電阻大多低于0.3MΩ,有漏電現(xiàn)象,特殊情況下切斷故障后經(jīng)一段時(shí)間又重燃,這將引起更大故障。質(zhì)量好快速熔斷器(加入了鉀鹽、鈉鹽)分?jǐn)嗪髴?yīng)形成0.5MΩ以上絕緣電阻??焖偃蹟嗥鞣?jǐn)?0min后能達(dá)到大于1~30MΩ絕緣電阻,可認(rèn)為有良好可靠性。另外,使用快速熔斷器時(shí)還要考慮其壽命及可靠性;分?jǐn)嗪蠼^緣電阻指標(biāo)(>0.5MΩ);盡量低暫態(tài)恢復(fù)電壓;不使用有隱形故障產(chǎn)品等。

要是分段看更好!

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bdzn
LV.9
11
2011-08-03 12:36
看下保險(xiǎn)絲的規(guī)格書跟安規(guī)要求吧.
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LV.1
12
2011-08-03 13:13
@隱形專家
選擇熔斷器熔斷時(shí)間t與熔斷電流I大小有關(guān),其規(guī)律是與電流平方成反比。,稱為熔斷器秒-安特性曲線。各種電器設(shè)備(包括電網(wǎng))都有一定過(guò)載能力,當(dāng)過(guò)載較輕時(shí)可以允許較長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行,而超過(guò)某一過(guò)載倍數(shù)時(shí),相應(yīng)要求熔斷器一定時(shí)間內(nèi)熔斷。選擇熔斷器保護(hù)過(guò)載和短路,必須了解用電設(shè)備過(guò)載特性,使這一特性恰當(dāng)處熔斷器秒-安特性保護(hù)范圍之內(nèi)。熔斷電流Io熔斷時(shí)間理論上是無(wú)限大,稱為最小融化電流或臨界電流,即熔體電流小于臨界值就不會(huì)熔斷。選擇熔體額定電流Ie應(yīng)小于Io;通常取Io與Ie比值為1.5~2.0,稱作熔化系數(shù)。該系數(shù)反映熔斷器過(guò)載時(shí)不同保護(hù)特性,如要使熔斷器能保護(hù)小過(guò)載電流,融化系數(shù)就應(yīng)該低些;避免電動(dòng)機(jī)起動(dòng)時(shí)短時(shí)過(guò)電流使熔體熔化,融化系數(shù)就應(yīng)高些??焖偃燮麟娏髂芰M足系統(tǒng)短路電流要求后,發(fā)生短路故障時(shí)可以隔離故障電流,但能否保護(hù)所串聯(lián)半導(dǎo)體器件則必須分析二者I2t值。當(dāng)快速熔斷器I2t值小于半導(dǎo)體器件I2t值時(shí),才能對(duì)半導(dǎo)體器件起到保護(hù)作用。短路故障時(shí)I2t值分為兩個(gè)階段,即弧前I2t和熔斷I2t。熔體金屬?gòu)墓虘B(tài)轉(zhuǎn)為液態(tài)時(shí)間是弧前時(shí)間,大約1.0~2.0ms,可以認(rèn)為是絕熱過(guò)程,此時(shí)間段快速熔斷器產(chǎn)生電流時(shí)間積分可以認(rèn)為是一定值,由設(shè)計(jì)來(lái)確定?;∏癐2t值不同材料其值同,每一種材料它是一個(gè)常數(shù)。當(dāng)熔體金屬變?yōu)檎魵鈺r(shí)電弧始燃,燃弧過(guò)程中電流由限流值降至零,此階段I2t即為熔斷I2t,它是一個(gè)變量。這一過(guò)程主要依靠填料被腐蝕而吸收能量。設(shè)計(jì)快速熔斷器時(shí),為滿足半導(dǎo)體器件不斷提高額定電流,要采取許多措施,而不能簡(jiǎn)單用算術(shù)方法來(lái)選擇快速熔斷器。實(shí)驗(yàn)證明,當(dāng)額定電流增加1倍時(shí),快速熔斷器I2t值是原來(lái)4倍,而半導(dǎo)體器件I2t值增加要小多。要使快速熔斷器降低I2t值有較大難度,多方面采取措施,如合理熔片分布、縮短熔體長(zhǎng)度、減小電弧柵和提高滅弧材料熄弧能力等。I2t值是精選快速熔斷器重要指標(biāo)之一。3.5絕緣電阻快速熔斷器分?jǐn)嗪蠼^緣電阻指標(biāo)由經(jīng)驗(yàn)證明是很重要。20世紀(jì)90年代大量產(chǎn)品中加入了鉀鹽、鈉鹽,鈉鹽可以提高電弧柵分?jǐn)嗄芰?。而制造較差快速熔斷器分?jǐn)嗪蠼^緣電阻大多低于0.3MΩ,有漏電現(xiàn)象,特殊情況下切斷故障后經(jīng)一段時(shí)間又重燃,這將引起更大故障。質(zhì)量好快速熔斷器(加入了鉀鹽、鈉鹽)分?jǐn)嗪髴?yīng)形成0.5MΩ以上絕緣電阻??焖偃蹟嗥鞣?jǐn)?0min后能達(dá)到大于1~30MΩ絕緣電阻,可認(rèn)為有良好可靠性。另外,使用快速熔斷器時(shí)還要考慮其壽命及可靠性;分?jǐn)嗪蠼^緣電阻指標(biāo)(>0.5MΩ);盡量低暫態(tài)恢復(fù)電壓;不使用有隱形故障產(chǎn)品等。
不錯(cuò)。。
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abc5313012
LV.6
13
2011-08-03 15:23
@bdzn
看下保險(xiǎn)絲的規(guī)格書跟安規(guī)要求吧.
原來(lái)選個(gè)保險(xiǎn)絲還需要注意那么多事項(xiàng)的,看得我云里霧里的
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abc5313012
LV.6
14
2011-08-09 11:24
@edie87@163.com
經(jīng)驗(yàn)吧,5A可以試一下,小一點(diǎn)還有2.5A,做出來(lái)后再做一下浪涌測(cè)試,算一下保險(xiǎn)絲的I2t是否滿足設(shè)計(jì)要求。
怎么看保險(xiǎn)絲是I2t是否滿足設(shè)計(jì)要求呢?這個(gè)t是多少呢?
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隱形專家
LV.10
15
2011-08-10 11:55
@abc5313012
原來(lái)選個(gè)保險(xiǎn)絲還需要注意那么多事項(xiàng)的,看得我云里霧里的[圖片]
麻雀雖小五臟俱全,三百六十行,行行有狀元。
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hwphnll
LV.1
16
2011-08-19 15:10
@隱形專家
取5A的保險(xiǎn)絲

取得過(guò)小,可能在開(kāi)關(guān)機(jī)正常的浪涌電流沖擊下,會(huì)燒斷保險(xiǎn)絲喲

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