請(qǐng)教一下各位高手：
小弟我現(xiàn)在正在設(shè)計(jì)一款12V/4.2A的電源，不知道這個(gè)保險(xiǎn)絲怎么著手？懇請(qǐng)大俠們不吝指教。
保險(xiǎn)絲怎么取值呢？
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@abc5313012
為什么要這樣取值呢？謝謝
這個(gè)要根據(jù)你保險(xiǎn)絲的作用來取，也并不一定要5A，（偷懶起見，以下名詞憑記憶來寫，懶得查證）
選保險(xiǎn)絲主要關(guān)注的參數(shù)有，額定電流，額定電壓，熔斷時(shí)間和電流對(duì)應(yīng)關(guān)系，熔斷能量I2T（或A2T），interrupte current（這個(gè)好像是叫分?jǐn)嚯娏鬟€是什么的），還有是快斷還是慢斷的（其實(shí)看I2T就知道）。
保險(xiǎn)絲的用處，1-防止故障后發(fā)生繼發(fā)性危害，比如短路發(fā)生后發(fā)生起火過熱危險(xiǎn)，2-防止過載，3 晶體元件保護(hù)等。
這就要求保險(xiǎn)絲在不該斷的時(shí)候不要斷，該斷的時(shí)候一定要斷。
在正常工作的一些極端情況下都不能斷，但是異常狀態(tài)又要保證在限定的時(shí)間內(nèi)能可靠斷開。
所以得先計(jì)算，后實(shí)裝并測(cè)試。
舉個(gè)實(shí)例來講，ATX 電源的AC 輸入保險(xiǎn)絲，就需要在最差情況下
（AC 輸入高壓，大電解電容為空，且AC 電源內(nèi)阻極低）突入電流低于保險(xiǎn)絲的 interrupt current， 并且整個(gè)inrush current 作用時(shí)間內(nèi)，其能量低于I2T，
當(dāng)然保險(xiǎn)絲的額定電壓為250V，額定電流要高于ATX 電源 低壓輸入滿載輸出情況下的實(shí)際電流，一般這里會(huì)用慢斷的保險(xiǎn)絲，
但是當(dāng)PFC MOS 或PWM MOS 掛掉后，又要及時(shí)熔斷，
這就得讓你只能選不能斷太快，也不能斷太慢的
而且還要考慮安規(guī)等等，斷的還不能冒火。。。。。。所以選保險(xiǎn)絲也要考慮很多！
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@隱形專家
[圖片]英文版保險(xiǎn)絲簡(jiǎn)介
1.額定電壓:從安全使用的角度出發(fā), 一般保險(xiǎn)絲只能安置在工作電壓小於或等於保險(xiǎn)絲額定電壓的電路中, 不然在保險(xiǎn)絲熔斷時(shí)將會(huì)出現(xiàn)持續(xù)飛弧和被電壓擊穿而危害電路.
2.額定電流: Iin_rmsmax=Pin/(Vin_acmin*PF),裕量設(shè)計(jì)
3.I2t: 選用的Fuse必須具有浪涌電流衝擊的能力,還要考慮Lightning surge
4.熔斷速度
5.其它如封裝,安規(guī)等,則是依PCB layout,機(jī)構(gòu)結(jié)構(gòu),安規(guī) 等要求來決定
2.額定電流: Iin_rmsmax=Pin/(Vin_acmin*PF),裕量設(shè)計(jì)
3.I2t: 選用的Fuse必須具有浪涌電流衝擊的能力,還要考慮Lightning surge
4.熔斷速度
5.其它如封裝,安規(guī)等,則是依PCB layout,機(jī)構(gòu)結(jié)構(gòu),安規(guī) 等要求來決定
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@隱形專家
[圖片]英文版保險(xiǎn)絲簡(jiǎn)介
選擇 熔斷器熔斷時(shí)間t與熔斷電流I大小有關(guān)，其規(guī)律是與電流平方成反比。，稱為熔斷器秒-安特性曲線。 各種電器設(shè)備（包括電網(wǎng)）都有一定過載能力，當(dāng)過載較輕時(shí)可以允許較長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行，而超過某一過載倍數(shù)時(shí)，相應(yīng)要求熔斷器一定時(shí)間內(nèi)熔斷。選擇熔斷器保護(hù)過載和短路，必須了解用電設(shè)備過載特性，使這一特性恰當(dāng)處熔斷器秒-安特性保護(hù)范圍之內(nèi)。 熔斷電流Io熔斷時(shí)間理論上是無限大，稱為最小融化電流或臨界電流，即熔體電流小于臨界值就不會(huì)熔斷。選擇熔體額定電流Ie應(yīng)小于Io；通常取Io與Ie比值為1.5～2.0，稱作熔化系數(shù)。該系數(shù)反映熔斷器過載時(shí)不同保護(hù)特性，如要使熔斷器能保護(hù)小過載電流，融化系數(shù)就應(yīng)該低些；避免電動(dòng)機(jī)起動(dòng)時(shí)短時(shí)過電流使熔體熔化，融化系數(shù)就應(yīng)高些。 快速熔器電流能力滿足系統(tǒng)短路電流要求后，發(fā)生短路故障時(shí)可以隔離故障電流，但能否保護(hù)所串聯(lián)半導(dǎo)體器件則必須分析二者I2t值。當(dāng)快速熔斷器I2t值小于半導(dǎo)體器件I2t值時(shí)，才能對(duì)半導(dǎo)體器件起到保護(hù)作用。短路故障時(shí)I2t值分為兩個(gè)階段，即弧前I2t和熔斷I2t。熔體金屬?gòu)墓虘B(tài)轉(zhuǎn)為液態(tài)時(shí)間是弧前時(shí)間， 大約1.0～2.0ms，可以認(rèn)為是絕熱過程，此時(shí)間段快速熔斷器產(chǎn)生電流時(shí)間積分可以認(rèn)為是一定值，由設(shè)計(jì)來確定?；∏癐2t值不同材料其值同，每一種材料它是一個(gè)常數(shù)。當(dāng)熔體金屬變?yōu)檎魵鈺r(shí)電弧始燃，燃弧過程中電流由限流值降至零，此階段I2t即為熔斷I2t，它是一個(gè)變量。這一過程主要依靠填料被腐蝕而吸收能量。 設(shè)計(jì)快速熔斷器時(shí)，為滿足半導(dǎo)體器件不斷提高額定電流，要采取許多措施，而不能簡(jiǎn)單用算術(shù)方法來選擇快速熔斷器。實(shí)驗(yàn)證明，當(dāng)額定電流增加1倍時(shí)，快速熔斷器I2t值是原來4 倍，而半導(dǎo)體器件I2t值增加要小多。要使快速熔斷器降低I2t值有較大難度，多方面采取措施，如合理熔片分布、縮短熔體長(zhǎng)度、減小電弧柵和提高滅弧材料熄弧能力等。I2t值是精選快速熔斷器重要指標(biāo)之一。 3.5 絕緣電阻 快速熔斷器分?jǐn)嗪蠼^緣電阻指標(biāo)由經(jīng)驗(yàn)證明是很重要。20世紀(jì)90年代大量產(chǎn)品中加入了鉀鹽、鈉鹽，鈉鹽可以提高電弧柵分?jǐn)嗄芰?。而制造較差快速熔斷器分?jǐn)嗪蠼^緣電阻大多低于0.3MΩ，有漏電現(xiàn)象，特殊情況下切斷故障后經(jīng)一段時(shí)間又重燃，這將引起更大故障。質(zhì)量好快速熔斷器（加入了鉀鹽、鈉鹽）分?jǐn)嗪髴?yīng)形成0.5MΩ以上絕緣電阻。快速熔斷器分?jǐn)?0min后能達(dá)到大于1～30MΩ絕緣電阻，可認(rèn)為有良好可靠性。 另外，使用快速熔斷器時(shí)還要考慮其壽命及可靠性；分?jǐn)嗪蠼^緣電阻指標(biāo)（＞0.5MΩ）；盡量低暫態(tài)恢復(fù)電壓；不使用有隱形故障產(chǎn)品等。
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@隱形專家
選擇熔斷器熔斷時(shí)間t與熔斷電流I大小有關(guān)，其規(guī)律是與電流平方成反比。，稱為熔斷器秒-安特性曲線。各種電器設(shè)備（包括電網(wǎng)）都有一定過載能力，當(dāng)過載較輕時(shí)可以允許較長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行，而超過某一過載倍數(shù)時(shí)，相應(yīng)要求熔斷器一定時(shí)間內(nèi)熔斷。選擇熔斷器保護(hù)過載和短路，必須了解用電設(shè)備過載特性，使這一特性恰當(dāng)處熔斷器秒-安特性保護(hù)范圍之內(nèi)。熔斷電流Io熔斷時(shí)間理論上是無限大，稱為最小融化電流或臨界電流，即熔體電流小于臨界值就不會(huì)熔斷。選擇熔體額定電流Ie應(yīng)小于Io；通常取Io與Ie比值為1.5～2.0，稱作熔化系數(shù)。該系數(shù)反映熔斷器過載時(shí)不同保護(hù)特性，如要使熔斷器能保護(hù)小過載電流，融化系數(shù)就應(yīng)該低些；避免電動(dòng)機(jī)起動(dòng)時(shí)短時(shí)過電流使熔體熔化，融化系數(shù)就應(yīng)高些?？焖偃燮麟娏髂芰M足系統(tǒng)短路電流要求后，發(fā)生短路故障時(shí)可以隔離故障電流，但能否保護(hù)所串聯(lián)半導(dǎo)體器件則必須分析二者I2t值。當(dāng)快速熔斷器I2t值小于半導(dǎo)體器件I2t值時(shí)，才能對(duì)半導(dǎo)體器件起到保護(hù)作用。短路故障時(shí)I2t值分為兩個(gè)階段，即弧前I2t和熔斷I2t。熔體金屬?gòu)墓虘B(tài)轉(zhuǎn)為液態(tài)時(shí)間是弧前時(shí)間，大約1.0～2.0ms，可以認(rèn)為是絕熱過程，此時(shí)間段快速熔斷器產(chǎn)生電流時(shí)間積分可以認(rèn)為是一定值，由設(shè)計(jì)來確定。弧前I2t值不同材料其值同，每一種材料它是一個(gè)常數(shù)。當(dāng)熔體金屬變?yōu)檎魵鈺r(shí)電弧始燃，燃弧過程中電流由限流值降至零，此階段I2t即為熔斷I2t，它是一個(gè)變量。這一過程主要依靠填料被腐蝕而吸收能量。設(shè)計(jì)快速熔斷器時(shí)，為滿足半導(dǎo)體器件不斷提高額定電流，要采取許多措施，而不能簡(jiǎn)單用算術(shù)方法來選擇快速熔斷器。實(shí)驗(yàn)證明，當(dāng)額定電流增加1倍時(shí)，快速熔斷器I2t值是原來4倍，而半導(dǎo)體器件I2t值增加要小多。要使快速熔斷器降低I2t值有較大難度，多方面采取措施，如合理熔片分布、縮短熔體長(zhǎng)度、減小電弧柵和提高滅弧材料熄弧能力等。I2t值是精選快速熔斷器重要指標(biāo)之一。3.5絕緣電阻快速熔斷器分?jǐn)嗪蠼^緣電阻指標(biāo)由經(jīng)驗(yàn)證明是很重要。20世紀(jì)90年代大量產(chǎn)品中加入了鉀鹽、鈉鹽，鈉鹽可以提高電弧柵分?jǐn)嗄芰Α６圃燧^差快速熔斷器分?jǐn)嗪蠼^緣電阻大多低于0.3MΩ，有漏電現(xiàn)象，特殊情況下切斷故障后經(jīng)一段時(shí)間又重燃，這將引起更大故障。質(zhì)量好快速熔斷器（加入了鉀鹽、鈉鹽）分?jǐn)嗪髴?yīng)形成0.5MΩ以上絕緣電阻?？焖偃蹟嗥鞣?jǐn)?0min后能達(dá)到大于1～30MΩ絕緣電阻，可認(rèn)為有良好可靠性。另外，使用快速熔斷器時(shí)還要考慮其壽命及可靠性；分?jǐn)嗪蠼^緣電阻指標(biāo)（＞0.5MΩ）；盡量低暫態(tài)恢復(fù)電壓；不使用有隱形故障產(chǎn)品等。
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@隱形專家
選擇熔斷器熔斷時(shí)間t與熔斷電流I大小有關(guān)，其規(guī)律是與電流平方成反比。，稱為熔斷器秒-安特性曲線。各種電器設(shè)備（包括電網(wǎng)）都有一定過載能力，當(dāng)過載較輕時(shí)可以允許較長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行，而超過某一過載倍數(shù)時(shí)，相應(yīng)要求熔斷器一定時(shí)間內(nèi)熔斷。選擇熔斷器保護(hù)過載和短路，必須了解用電設(shè)備過載特性，使這一特性恰當(dāng)處熔斷器秒-安特性保護(hù)范圍之內(nèi)。熔斷電流Io熔斷時(shí)間理論上是無限大，稱為最小融化電流或臨界電流，即熔體電流小于臨界值就不會(huì)熔斷。選擇熔體額定電流Ie應(yīng)小于Io；通常取Io與Ie比值為1.5～2.0，稱作熔化系數(shù)。該系數(shù)反映熔斷器過載時(shí)不同保護(hù)特性，如要使熔斷器能保護(hù)小過載電流，融化系數(shù)就應(yīng)該低些；避免電動(dòng)機(jī)起動(dòng)時(shí)短時(shí)過電流使熔體熔化，融化系數(shù)就應(yīng)高些?？焖偃燮麟娏髂芰M足系統(tǒng)短路電流要求后，發(fā)生短路故障時(shí)可以隔離故障電流，但能否保護(hù)所串聯(lián)半導(dǎo)體器件則必須分析二者I2t值。當(dāng)快速熔斷器I2t值小于半導(dǎo)體器件I2t值時(shí)，才能對(duì)半導(dǎo)體器件起到保護(hù)作用。短路故障時(shí)I2t值分為兩個(gè)階段，即弧前I2t和熔斷I2t。熔體金屬?gòu)墓虘B(tài)轉(zhuǎn)為液態(tài)時(shí)間是弧前時(shí)間，大約1.0～2.0ms，可以認(rèn)為是絕熱過程，此時(shí)間段快速熔斷器產(chǎn)生電流時(shí)間積分可以認(rèn)為是一定值，由設(shè)計(jì)來確定?；∏癐2t值不同材料其值同，每一種材料它是一個(gè)常數(shù)。當(dāng)熔體金屬變?yōu)檎魵鈺r(shí)電弧始燃，燃弧過程中電流由限流值降至零，此階段I2t即為熔斷I2t，它是一個(gè)變量。這一過程主要依靠填料被腐蝕而吸收能量。設(shè)計(jì)快速熔斷器時(shí)，為滿足半導(dǎo)體器件不斷提高額定電流，要采取許多措施，而不能簡(jiǎn)單用算術(shù)方法來選擇快速熔斷器。實(shí)驗(yàn)證明，當(dāng)額定電流增加1倍時(shí)，快速熔斷器I2t值是原來4倍，而半導(dǎo)體器件I2t值增加要小多。要使快速熔斷器降低I2t值有較大難度，多方面采取措施，如合理熔片分布、縮短熔體長(zhǎng)度、減小電弧柵和提高滅弧材料熄弧能力等。I2t值是精選快速熔斷器重要指標(biāo)之一。3.5絕緣電阻快速熔斷器分?jǐn)嗪蠼^緣電阻指標(biāo)由經(jīng)驗(yàn)證明是很重要。20世紀(jì)90年代大量產(chǎn)品中加入了鉀鹽、鈉鹽，鈉鹽可以提高電弧柵分?jǐn)嗄芰Α６圃燧^差快速熔斷器分?jǐn)嗪蠼^緣電阻大多低于0.3MΩ，有漏電現(xiàn)象，特殊情況下切斷故障后經(jīng)一段時(shí)間又重燃，這將引起更大故障。質(zhì)量好快速熔斷器（加入了鉀鹽、鈉鹽）分?jǐn)嗪髴?yīng)形成0.5MΩ以上絕緣電阻?？焖偃蹟嗥鞣?jǐn)?0min后能達(dá)到大于1～30MΩ絕緣電阻，可認(rèn)為有良好可靠性。另外，使用快速熔斷器時(shí)還要考慮其壽命及可靠性；分?jǐn)嗪蠼^緣電阻指標(biāo)（＞0.5MΩ）；盡量低暫態(tài)恢復(fù)電壓；不使用有隱形故障產(chǎn)品等。
不錯(cuò)。。
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