前一段時間負責的幾個機種均出現(xiàn)了EMI不過的問題，通過網(wǎng)絡(luò)搜索，請教高手終于解決了，把經(jīng)驗發(fā)一下，呵呵。不對的請?zhí)岢?，呵?/P>
2203+6562D 90W 產(chǎn)品24V 19V系列，之前使用的濾波方式如下：
出現(xiàn)的不良狀況是100V時150K-0.5M PK和AV分離，PK超標，加大X電容沒有效果。后來才知道X2電容是沒有作用的，
經(jīng)過改善，后減少了一個濾波器，減小了濾波電容，最終如下：
增大CX1對150K-1M的差模沒有效果。增大后面直流段電感對150-0.5M很有效果，
增大Y1,Y2對0.5M的差模有3db左右的效果，Y3基本上沒有發(fā)現(xiàn)有什么效果，
減小LF1對30M以上的共模效果很好。
增大LF2對5M到20M有很好的效果。
因為我的產(chǎn)品是全部屏蔽的，所以輻射很好過，也沒有怎么對策。。呵呵
2，產(chǎn)品80W 使用IC 2269。出現(xiàn)的現(xiàn)象也是EMI和輻射余量小才有1db一下。
Y3和Y4對5M到30M的共模有很大的衰減，并且對150K-5M的差模也有很大的衰減 衰減5-15DB不等吧。至于原理還沒有弄明白，希望達人解讀一下。
Y1和Y2對30-200M的共模都有很大的衰減，這個是因為它在電源的出口，能過濾掉高頻的共模，一般取值在102-471。
Y3和Y4我見一個人取值222，效果是在150K到3M AV和PK值直接都在30db以下。
總結(jié)了這多長時間，還是有很多不懂的地方，希望達人出來解答一下。。。見下圖。。以下是共模的檢測方式和信號流動的回路。
MOS管的D級相對GND的電容C1產(chǎn)生的共模信號大概在5-10M左右是因為變壓器漏感L和MOS體電容在OS關(guān)斷時共振引起的，，減小這個干擾方法有兩個，
1。增大共模電感也就是加大L1，道理是加大了共模信號的阻抗。
2。增強RCD電路吸收特性，盡量減少吸收電路上產(chǎn)生尖峰的震蕩。，減小D級面積，能直接減小C1。
Y電容的作用是減小CT和C12的干擾，個人是這樣理解的，不知道對不對；
要是變壓器做得好，能吧CT和C12減小到很小，應該是不用Y電容的，
CT和C12產(chǎn)生的共模信號應該是通過C2耦合到GND的，干擾應該也是在5-10M之間吧不知道對不對。
3。次級整流二極管發(fā)出的反向恢復震蕩，一般信號都在20-27M加強吸收應該會有很大的衰減。這部分震蕩產(chǎn)生的信號，應該是通過C2到GND 和CT和C12和C2到GND吧，不知道是不是這樣啊，很多東西還不確定因為沒有驗證啊，好像也比較難驗證。。
4.下面的圖片上面的是2PIN輸入的，下面的是3PIN輸入的，實際在測試輻射的時候，也是3PIN超標。
