成啟半導體:立足高技術(shù)、追求高品質(zhì)、匹配應用方案

　　作為研發(fā)、生產(chǎn)功率場效應管和IGBT的高新科技企業(yè)，廣州成啟半導體有限公司，經(jīng)過五年的沉淀，迅速發(fā)展壯大。近日，中國LED網(wǎng)記者走訪廣州成啟半導體有限公司，就功率場效應管、IGBT等相關問題，對廣州成啟半導體有限公司董事長陳總進行了專訪。

　　專注，充分發(fā)揮自身優(yōu)勢

　　談及公司的主營業(yè)務，陳總表示，公司一直專注于發(fā)展自主功率半導體品牌HOMSEMI，最主要的產(chǎn)品是PLANNAR（平面）工藝MOSFET和TRENCH（溝槽）工藝MOSFET。

　　面對品牌繁多、競爭激烈的功率半導體行業(yè)，成啟半導體（HOMSEMI）突出了自身的特色，陳總將其總結(jié)為三點：一，立足領先技術(shù)。二，追求高品質(zhì)。三，應用方案匹配。

　　領先的技術(shù)：陳總表示，成啟半導體（HOMSEMI）通過與國外先進的芯片設計和制造平臺合作，除了能提供傳統(tǒng)的PLANNAR（平面）工藝MOSFET之外，還可以提供處于世界先進水平的0.18微米TRENCH（溝槽）工藝MOSFET。目前HOMSEMI MOSFET的最高耐壓能夠達到900V，最大電流達到196A，最小的RDS（ON）能低于2.5mΩ。這些指標都處于行業(yè)的領先水平，而且在2012年，公司還會進一步推出0.13微米的TRENCH 工藝產(chǎn)品，產(chǎn)品的性能優(yōu)勢會進一步體現(xiàn)。

　　高品質(zhì)：陳總說到，我們的品質(zhì)控制體系除了常規(guī)的CP(芯片中測)、FT（產(chǎn)品終測）之外，我們還專門設立了可靠性實驗室，使用PCT、TST、HTRB等一系列的技術(shù)手段，對每一批次的產(chǎn)品進行抽樣可靠性測試，避免產(chǎn)品的批次性問題。

　　應用方案匹配：POWER MOSFET的應用領域比較多，與周邊元件的匹配較復雜，影響的因素較多，同時又要控制好整機的成本與可靠性。為了協(xié)助客戶解決這些問題，成啟半導體已和多家領先的方案設計公司結(jié)成了合作聯(lián)盟，在：無葉風扇、HID安定器、LED電源、金鹵燈安定器、電焊機、步進馬達驅(qū)動、電動自行車、航模電機等行業(yè)推出了先進的整體應用方案，方案中的MOSFET都是針對應用進行了優(yōu)化和匹配，能達到性能、成本、可靠性的最佳平衡。而且，這些設計方案我們都是作為售前服務提供給客戶的。

陳總舉例說到，在汽車HID安定器這個行業(yè)，產(chǎn)品應用的環(huán)境溫度高達105℃，而且存在著2萬多伏的高壓放電等一系列的嚴酷條件。HOMSEMI MOSFET在這種情況下，產(chǎn)品使用一年后綜合的不良率低于萬分之一。

而在LED電源這個行業(yè)，HOMSEMI 的TRENCH 工藝MOSFET能幫助客戶降低開關損耗和導通損耗，從而使發(fā)熱降低，整機可靠性提高。而且HOMSEMI在保證高可靠性的前提下，和進口品牌相比仍維持有成本的優(yōu)勢

　　創(chuàng)新，高品質(zhì)的追求永恒不變

　　面對中國電子行業(yè)需求的不斷變化，客戶對產(chǎn)品高品質(zhì)要求的不斷提高，成啟半導體（HOMSEMI）將如何適應？對此，陳總表示，公司高品質(zhì)的功率半導體產(chǎn)品能配合客戶生產(chǎn)出更高品質(zhì)的產(chǎn)品，同時，公司在功率半導體的知識和經(jīng)驗，能協(xié)助客戶進入更高端的領域。

另外，成啟半導體（HOMSEMI）的產(chǎn)品也在不斷的更新，例如，公司馬上將會量產(chǎn)IGBT產(chǎn)品，2012年下半年，我們將會推出陶瓷基板的POWER MOSFET。成啟半導體更貼近客戶應用的經(jīng)營模式使我們能比競爭對手更快覺察需求的變化趨勢。

最重要的是，雖然電子行業(yè)日新月異，但是對高品質(zhì)的追求是永恒不變的。