最近在優(yōu)化產(chǎn)品性能方面有點一籌莫展，就是因為在變壓器參數(shù)上不知道怎么取舍，有以下問題：
1。變壓器匝比問題，我在做12V 6A的產(chǎn)品的時候聽一個老師傅在說，在條件允許的情況下，匝比越小越好，至于原因嗎我還不知道，不過我試了一下還確實是那樣，之前的時候匝比是8.2，之后改為7.1效率是明顯提升了，沒有進(jìn)一步試驗更小的匝比。
2。我看到有一個5V10A的反激架構(gòu)產(chǎn)品，匝比選的是17，可是變壓器的漏感真是大，主感量380漏感就有340.可是我之前了解到的漏感公式和次級沒有關(guān)系啊。。。
以上同行多發(fā)表意見，多多探討。
匝比下降。。。會使反射電壓下降。。。。反射電壓下降會使MOS管上的電壓下降，導(dǎo)致了MOS管的損耗降低。。。。
其結(jié)果就是開關(guān)損耗降低了。。。。我做了實驗。。。大概反射電壓設(shè)在40V。就會使其損耗降到最低點。。。。上升3～6%的效率。。。。
反射電壓低于40V時，會使電源不工作。。。。
如果MOS管有500V的管子。且導(dǎo)通電阻更低的管子。。?？赡芸梢允剐试偕仙?。。。
我發(fā)現(xiàn)2N60比2N50的導(dǎo)通電阻還低。。。直是搞不懂。。。所以還是用2N60的管子。。。。
任何一種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的電路，其效率不是單單的去減少某一個點的損耗，而是去平衡所有功率電路的平均損耗。使電路中的損耗都比較均勻才對，但是升高一個點的效率，總是有另一個點的效率會跌下來，整體的效率還是上不去 。
如果你調(diào)整匝比產(chǎn)品的電路模式不變(比如保持CCM不變），匝比變大，一次側(cè)Vds增大，一次側(cè)Id減小，二次側(cè)肖特基反射電壓減小，二次側(cè)峰值電流增大。漏感增大。耦合系數(shù)減小。如果是二次側(cè)有同步整流，那么就不在乎二次側(cè)峰值電流的大小，匝比可以盡量增大，使一次側(cè)Id變小。如果沒有同步整流，個人覺得還是匝比越小越好，
