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用IR2156做600W功放電源

 

用IR2156做600W功放電源，電路PFC+IR2156做半橋電源，在試產(chǎn)中發(fā)現(xiàn)上電有燒IR2156的情況！IR2156壞后不能啟動，換一新的2156正常，但幾次開機后又會再次壞掉！附上圖紙，幾百塊要出貨，請各位大師幫忙分析下，在此謝謝各位了！

600W 

 

 

 

 

 

600W(99se) 

全部回復(22)
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2012-04-24 17:19
建議半橋電路部分加軟啟動,并留點死區(qū)。
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liyonghui
LV.3
3
2012-04-24 18:20
@ymyangyong
建議半橋電路部分加軟啟動,并留點死區(qū)。

開關(guān)頻率69KHZ ,死區(qū)約為1US

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水蜘蛛
LV.8
4
2012-04-24 22:26
去掉電荷泵電路。
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liyonghui
LV.3
5
2012-04-25 08:14
@水蜘蛛
去掉電荷泵電路。

好的，去試試，謝謝！

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づ龍づ
LV.4
6
2012-06-03 01:34
@liyonghui
好的，去試試，謝謝！

想知道問題解決了沒？是去掉電荷泵電路了嗎？

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center2
LV.2
7
2012-07-30 14:38

加圖騰吧

0
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2012-07-30 15:09
IR2156的問題，在其11腳8腳，及13腳12腳之間各反并一只肖特基二極管，做保護。
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2012-08-14 14:28
請問你有試過110V負載啟動嗎???110V負載啟動有沒有問題????
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uc3848
LV.3
10
2012-08-14 16:40
@liyonghui
好的，去試試，謝謝！

HO 串一支FR220[OHM]電阻，D2 用2SC3415,C接到HB,原因是死區(qū)問題,H端MOS G腳殘留電荷擊穿IR2156 HO.故障表現(xiàn)為隨機性,

試試,記得回復哦~~

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uc3848
LV.3
11
2012-08-14 17:05
@uc3848
HO串一支FR220[OHM]電阻，D2用2SC3415,C接到HB,原因是死區(qū)問題,H端MOSG腳殘留電荷擊穿IR2156HO.故障表現(xiàn)為隨機性,試試,記得回復哦~~

LLC原里存在理論缺陷(尤其在大功率下,如現(xiàn)有成品參考,變壓器感量是關(guān)鍵,越偏大越是致命),所以在高規(guī)格的航空換流器,以及船,艦上都持謹慎態(tài)度,民用比較多,工業(yè)大多為順向變換,比較一下UC3842 與FA5510 M51977的隨機故障率,就知道為什么沒有多少人敢于把生命交給UC3842的原因了,

注意開發(fā)產(chǎn)品最好不要跟著壇子里拿菜刀削鐵-----薄利求生存的原則.

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liyonghui
LV.3
12
2012-11-12 17:41
@i418242582
請問你有試過110V負載啟動嗎???110V負載啟動有沒有問題????

已經(jīng)解決了！謝謝

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mkkop
LV.2
13
2016-11-06 20:01
@liyonghui
已經(jīng)解決了！謝謝
沒下文了
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天行健88
LV.1
14
2016-11-07 12:22
@mkkop
沒下文了[圖片][圖片][圖片][圖片][圖片][圖片][圖片][圖片][圖片][圖片][圖片][圖片][圖片][圖片][圖片][圖片][圖片][圖片][圖片][圖片][圖片][圖片][圖片]
有問題就發(fā)帖求助，問題解決了也不總結(jié)下什么情況，一聲不吭就走了
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ruohan
LV.9
15
2016-11-07 14:02
@uc3848
LLC原里存在理論缺陷(尤其在大功率下,如現(xiàn)有成品參考,變壓器感量是關(guān)鍵,越偏大越是致命),所以在高規(guī)格的航空換流器,以及船,艦上都持謹慎態(tài)度,民用比較多,工業(yè)大多為順向變換,比較一下UC3842與FA5510M51977的隨機故障率,就知道為什么沒有多少人敢于把生命交給UC3842的原因了,注意開發(fā)產(chǎn)品最好不要跟著壇子里拿菜刀削鐵-----薄利求生存的原則.

UC3842不是也能夠在順向變換的芯片嗎，

后面有讓人遠離3842 ，，不理解你說的什么意思了，，，

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liyonghui
LV.3
16
2017-02-17 21:07
@天行健88
有問題就發(fā)帖求助，問題解決了也不總結(jié)下什么情況，一聲不吭就走了
因工作忙，沒有回貼，后來找到的原因是因MOS殘留電荷擊穿了IC引起的，IC增加電阻和二極管！在此謝謝各位了！
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yanshuyin
LV.4
17
2017-02-18 08:51
@liyonghui
因工作忙，沒有回貼，后來找到的原因是因MOS殘留電荷擊穿了IC引起的，IC增加電阻和二極管！在此謝謝各位了！
能不能具體怎么加？在電路畫出來??？讓大家學習一下。
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hmy123456
LV.6
18
2017-02-18 09:58
@yanshuyin
能不能具體怎么加？在電路畫出來啊？讓大家學習一下。
有三極管Q和D2的隔離MOS管的電荷怎么會擊穿IC的？
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Darren_jk
LV.4
19
2021-08-25 11:30
@hmy123456
有三極管Q和D2的隔離MOS管的電荷怎么會擊穿IC的？

現(xiàn)在也碰到一樣的問題，發(fā)出來學習下！

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Darren_jk
LV.4
20
2021-08-25 11:31
@liyonghui
因工作忙，沒有回貼，后來找到的原因是因MOS殘留電荷擊穿了IC引起的，IC增加電阻和二極管！在此謝謝各位了！

可以分享下，現(xiàn)在也碰到一樣的問題

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祖韓
LV.7
21
2021-08-25 18:02
@Darren_jk
可以分享下，現(xiàn)在也碰到一樣的問題

電阻加到IC輸出,二極管用功耗稍大的15V左右穩(wěn)壓管加到低邊MOS  DS之間，也可以加到低邊輸出到地。

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Darren_jk
LV.4
22
2021-08-26 20:22
@祖韓
電阻加到IC輸出,二極管用功耗稍大的15V左右穩(wěn)壓管加到低邊MOS DS之間，也可以加到低邊輸出到地。

電阻加到IC輸出,原來是有電阻的10R，加大點？

15V左右穩(wěn)壓管加到低邊MOS  DS之間 ？這個不是很明白，麻煩手工畫個圖

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Darren_jk
LV.4
23
2021-08-31 19:25
@Darren_jk
電阻加到IC輸出,原來是有電阻的10R，加大點？15V左右穩(wěn)壓管加到低邊MOS DS之間？這個不是很明白，麻煩手工畫個圖

G,S加了保護

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