这段时间看了本书《手把手教你学高速电路信号仿真》：
这本书包含以下几个部分：
- 仿真常用的模型（IBIS模型&S参数模型）
- 传输线基本理论与信号完整性分析
- 信道的抖动与均衡
- 通道的仿真
- PCB的材料研究
这本书里关于IBIS模型的基础知识，讲的还是很全面的，适合了解和学习一下。
IBIS（Input/Output Buffer Information Specification）模型是一种用于描述数字集成电路输入/输出（I/O）缓冲器电气特性的行为级模型。
常见IBIS 结构分为以下4个部分：
基本信息
作用：提供模型的基础描述和元数据。包含内容：
- 厂商、部件号、版本号等标识信息
- 文件创建日期、备注等辅助信息
- 引脚与模型名称的映射关系（Pin部分）
- 支持的电路类型（如CMOS、LVDS等）
模型选择器
作用：定义不同工作模式下的行为模型（如输入、输出、三态等）。关键部分：
- [Model] 部分：为每个引脚或缓冲器类型定义电气行为。
- 常见模型类型：Input：纯输入缓冲器Output：驱动型输出缓冲器I/O：双向缓冲器Open_drain：开漏输出Terminator：终端电阻模型
电气特性
作用：描述缓冲器的静态和动态电气参数。核心数据：
- [Pull-up] / [Pull-down]：上拉/下拉IV曲线（电压-电流关系）
- [Ramp]：信号跳变斜率（dV/dt，反映开关速度）
- [V/I] 或 [V/T] 曲线
- 驱动器的输出阻抗特性（如[Voltage Range]和[GND Clamp]）
- 动态特性（如上升/下降时间）
- [C_comp]：芯片封装寄生电容
封装与寄生参数
作用：定义封装引起的寄生效应。关键参数：
- [Package]：引脚寄生电阻（R_pkg）、电感（L_pkg）、电容（C_pkg）
- [Pin] 部分：指定每个引脚对应的模型和封装参数，可能包含温度/工艺角数据（如[Temperature Range]）
本书关于IBIS模型部分，重点关注了电气特性与寄生参数，也将其划分为4个部分：
1、推挽式（Push-Pull）电路，两个MOS FET组成，可产生高电平（上管导通下管截止），低电平（上管截止下管导通）、高阻态（上下管都截止）3种工作状态。
2、钳位电路，上二极管钳位电压VCC，下二极管钳位电压Gnd 。
对于推挽电路与二极管的电气特性，可以用V/I曲线来表示：
外部电源从-Vcc+Vcc变化，电流是从MOS FET流向外部电源，即电流值为负值；
外部电源从+Vcc+2Vcc变化，电流开始从外部电源流向MOS FET，即电流值为正值。
IBIS规范定义电流流进缓冲器的方向为正，下图为实际IBIS 模型Pull Up的电流波形，和上述的理论推导不符合。
这是因为测试点电压和IBIS文件的电压数据是不一样的，写进IBIS文件的电压为Vtable，是指上管的电压降，Pull Up状态下，就是外部电源和测试点电压的差值。
Pull Up曲线的获取是测试点各个电压值对应的电流，和IBIS文件的电压对应的电流曲线对应关系，如下图：
Pull Down 和 Pull Up是不同的，Pull Down 测试点电压和IBIS文件的电压是一样的，电流的波形也是一样的，不存在所谓的对应关系。
3、模型输入输出电容C_Comp，影响状态转换时间
对于推挽电路在电平动态翻转的特性，用V/t曲线来表示。这个过程可以分为上管和下管两个部分：
上管部分
上管打开，电容的两端的电压不能突变，上管导通，给C_Comp充电，直至稳定，这个过程产生上升沿。
上管关闭，电容的两端的电压不能突变，上管截止， C_Comp反向充电，直至稳定，这个过程产生下降沿。
下管部分
下管打开，C_Comp给导通的下管放电，直至稳定，这个过程产生下降沿。
下管关闭，50ohm 导通电压给C_Comp充电，直至稳定，这时候产生上升沿。
4、封装参数，由R（寄生电阻）、L（寄生电感）、C（寄生电容）参数组成，影响输出波形的上升沿和下降沿的速率。
关于封装参数，有两种选择，一种是默认的参数：
还有一种是对应引脚的特定参数：
至于IBIS模型在仿真中的应用，本书只是列举了Hspice的应用，至于其他的没有过多展开，但是系统了解其基本结构还是很有必要。