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硬件那點(diǎn)事兒
認(rèn)證:優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
作者動態(tài)
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BUCK電源SW節(jié)點(diǎn)電路發(fā)生振鈴怎么辦?有圖有真相

Part 01 前言

BUCK電路中,咱們硬件工程師們常常會遇到一個(gè)棘手的問題:開關(guān)節(jié)點(diǎn)SW在開關(guān)瞬間會產(chǎn)生劇烈的電壓振蕩和過沖,專業(yè)名稱振鈴Ringing。這種振鈴不僅是電磁干擾EMI的主要來源,其電壓尖峰還可能超過MOSFET或者BUCK芯片SW引腳的耐壓極限,導(dǎo)致器件損壞,危害不可謂不大。

接下來我們就結(jié)合理論分析以及仿真波形來驗(yàn)證解決SW節(jié)點(diǎn)振鈴的方法。

Part 02 SW節(jié)點(diǎn)振鈴的原因

要解決問題,必先溯其根源。SW節(jié)點(diǎn)的振蕩是怎么來的呢?其本質(zhì)是電路板上看不見的寄生電感Lp和寄生電容Cp形成了一個(gè)LC諧振回路,在開關(guān)管高速開關(guān)的激勵(lì)下產(chǎn)生的阻尼振蕩。

那寄生電感Lp是怎么來的呢?它主要來源于功率回路的PCB走線、元器件尤其是MOSFET的引腳和封裝。在高側(cè)MOSFET關(guān)斷、低側(cè)MOSFET導(dǎo)通的瞬間,環(huán)路電流的變化率di/dt極高,這條路徑上的寄生電感便被激發(fā)了。

寄生電容Cp怎么來的呢?主要由低側(cè)MOSFET的輸出電容COSS和PCB的雜散電容構(gòu)成。當(dāng)高側(cè)MOSFET導(dǎo)通時(shí),低側(cè)MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài),其COSS在SW節(jié)點(diǎn)和地之間尤為突出。

當(dāng)電源高速開關(guān)時(shí),就會激勵(lì)這個(gè)由Lp和Cp組成的LC諧振,從而形成了我們觀測到的高頻振蕩。

下面是一個(gè)異步BUCK電源電路,輸出電壓是5V

通過仿真我們可以得到SW節(jié)點(diǎn)的仿真波形:

可以發(fā)現(xiàn)SW節(jié)點(diǎn)沒有出現(xiàn)振鈴,為了模擬出振鈴,我們在二極管上串聯(lián)一個(gè)電感,模擬寄生電感:

重新觀察SW節(jié)點(diǎn)波形:

可以發(fā)現(xiàn)SW節(jié)點(diǎn)明顯出現(xiàn)了振鈴。

Part 03 如何解決振鈴呢?

解決振鈴,大家相信第一反應(yīng)都是加個(gè)電容再串聯(lián)個(gè)電阻,也就是Snubber電路,那Snubber電路的電阻和電容該怎么選呢?有兩種方法,一種是試湊法,啥叫試湊法呢?就是放個(gè)10nF的電阻,再串聯(lián)個(gè)10nF的電容,看看效果,效果不好咱就接著換,一邊試,一邊觀察振鈴,直到湊出來一個(gè)有效果的電容值和電阻值,過程當(dāng)然是麻煩點(diǎn)。另一個(gè)方法就是理論計(jì)算方法,字?jǐn)?shù)較多,這里不做贅述,改日另開文章專門介紹。接下來我們就在SW節(jié)點(diǎn)放置一個(gè)10nF電容和10Ω的電阻:

看看SW節(jié)點(diǎn)波形的變化:可以看出SW節(jié)點(diǎn)負(fù)向的振鈴已經(jīng)沒了。

1nF電容和10Ω的電阻:SW節(jié)點(diǎn)負(fù)向的振鈴又出現(xiàn)了

20nF電容和10Ω的電阻:SW節(jié)點(diǎn)關(guān)斷時(shí)間增加了

修改電阻,效果似乎不大,Snubber對下面紅圈中的振鈴始終沒啥改善,大家有什么好方法嗎?歡迎評論,改天我們再聊聊這個(gè)問題。

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