上次說(shuō)到了三種主流的FPGA編程技術(shù)，還剩下最后一個(gè)FLASH編程技術(shù)。

EEPROM編程的技術(shù)原理

   首先，EPROM晶體管具有與標(biāo)準(zhǔn)MOS晶體管相同的基本結(jié)構(gòu)，但是加上了第二個(gè)多晶硅浮柵，由氧化層隔離。

   在非編程狀態(tài)，浮門是不在充電狀態(tài)，是不影響控制門的正?？刂频?。為了對(duì)晶體管進(jìn)行編程，在控制門和漏極端子之間施加了一個(gè)相對(duì)較高的電壓(約12V)。這導(dǎo)致晶體管被強(qiáng)力打開(kāi)，高能電子強(qiáng)迫它們通過(guò)氧化物進(jìn)入浮柵，這一過(guò)程被稱為熱(高能)電子注入。當(dāng)編程結(jié)束時(shí)，負(fù)電荷即保持在浮門上。這些電荷因?yàn)檠趸锏母咦瑁梢员３质曛枚疾粫?huì)流失。這些電荷，會(huì)組織控制門的正常操作，使得來(lái)區(qū)分編程與否的單元。

   利用這一特性，F(xiàn)PGA一樣能實(shí)現(xiàn)通斷編程的能力。

   特點(diǎn)總結(jié)：

   FLASH FPGA和反熔絲FPGA一樣是非易失性的，但它們也像SRAM FPGA一樣可重新編程。

   FLASH FPGA使用和SRAM FPGA一樣的標(biāo)準(zhǔn)制造工藝，有和反熔絲FPGA一樣的低功耗特性。

   FLASH FPGA相對(duì)其他兩個(gè)技術(shù)要更快。

三種FPGA的編程技術(shù)，都講完了。也都清楚，這個(gè)積木是怎么搭起來(lái)的了。那么下一章，就開(kāi)始重頭戲，積木是怎么樣的，即FPGA的內(nèi)部架構(gòu)。