性无码一区二区三区在线观看,少妇被爽到高潮在线观看,午夜精品一区二区三区,无码中文字幕人妻在线一区二区三区,无码精品国产一区二区三区免费

九條小魚兒
認(rèn)證:普通會員
所在專題目錄 查看專題
功率MOSFET應(yīng)用指南-7-RC熱阻模型及熱仿真
功率MOSFET應(yīng)用指南-8-MOSFET可不可以并聯(lián)使用?
功率MOSFET應(yīng)用指南-9-RC snubber的設(shè)計
功率MOSFET應(yīng)用指南-10-散熱設(shè)計的注意事項
功率MOSFET應(yīng)用指南-11-EOS的失效特征
功率MOSFET應(yīng)用指南-12-時間失效率FIT
作者動態(tài) 更多
功率MOSFET應(yīng)用指南-12-時間失效率FIT
2020-12-13 22:37
功率MOSFET應(yīng)用指南-11-EOS的失效特征
2020-11-15 21:59
功率MOSFET應(yīng)用指南-10-散熱設(shè)計的注意事項
2020-11-07 16:46
功率MOSFET應(yīng)用指南-9-RC snubber的設(shè)計
2020-10-27 21:55
功率MOSFET應(yīng)用指南-8-MOSFET可不可以并聯(lián)使用?
2020-10-08 22:16

功率MOSFET應(yīng)用指南-12-時間失效率FIT

近年來,汽車電子產(chǎn)品的功能安全話題越來越熱,功能安全的需求需要在產(chǎn)品的概念設(shè)計,系統(tǒng)設(shè)計,硬件開發(fā)及軟件開發(fā)中來實現(xiàn)。那么在硬件設(shè)計中就需要針對于產(chǎn)品中所用到的所有的所有的電子元件進(jìn)行FMEDA分析,來計算產(chǎn)品的硬件是否能達(dá)到預(yù)期的ASIL等級,那么計算中所用到的時間失效率FIT(Failure In Time)就尤為關(guān)鍵。本文就以NEXPERIA的產(chǎn)品為例,從FIT的角度介紹下MOSFET的可靠性。

FIT經(jīng)常被用來表達(dá)元件的可靠性,它的定義為在10^9小時內(nèi)產(chǎn)生失效的元件數(shù)量。在任意消逝的時間 t 內(nèi),工作的半導(dǎo)體的可靠性 R 是:R(t) = (n0-nf)/n0。這里 n0 是原始的樣品數(shù)量,nf 是在 t 時間之后失效的數(shù)量。在經(jīng)過標(biāo)準(zhǔn)時間 109 小時后,大約是 F = (1/no)*(nf/t)*10^9

老化測試:
在應(yīng)用中施加在元件上的總應(yīng)力是決定半導(dǎo)體可靠性的主要因素。工作溫度是由環(huán)境溫度和自身功率的加熱導(dǎo)致的。在一個產(chǎn)品通常工作在額定限值之內(nèi)時,溫度是最重要的工作應(yīng)力。為了建立溫度和元件失效率的關(guān)系,我們使用下面的阿倫尼烏斯方程:

這里的:
EA = 活化能(eV)
K = 波爾茲曼常數(shù) (8.60-10^-5*eV/K)
T1 = 工作溫度(℃)
T2 = 可靠性測試的溫度(K是基于絕對溫度的)
老化測試使元件進(jìn)行了高等級的應(yīng)力測試。在嚴(yán)峻條件下短期的實驗結(jié)果可以被用來推廣到正常條件下期待的壽命時間。在加速壽命測試條件下:

時間 t 現(xiàn)在變成了A*t,這里的 A 是加速因子。
基于一個樣本元件的壽命的實驗結(jié)果,F(xiàn)ITs 數(shù)據(jù)的計算已經(jīng)展示在了下面的表格中。但要注意已經(jīng)基于泊松概率分布對失效的數(shù)量做了一個調(diào)整,表明了在一定可信任等級下大量樣品的失效率。

這里展示的僅僅是汽車電子產(chǎn)品中一個元件的FIT,而在做硬件功能安全的設(shè)計時需要考慮到整個BOM,所以首要任務(wù)就是如本文中一樣,從元件供應(yīng)商獲取FIT值。希望本文能幫助大家對元件的可靠性參數(shù)FIT有所了解。

聲明:本內(nèi)容為作者獨立觀點,不代表電子星球立場。未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載。授權(quán)事宜與稿件投訴,請聯(lián)系:editor@netbroad.com
覺得內(nèi)容不錯的朋友,別忘了一鍵三連哦!
贊 3
收藏 3
關(guān)注 525
成為作者 賺取收益
全部留言
0/200
成為第一個和作者交流的人吧