- 模擬分頻器是音箱內(nèi)的一種電路裝置，用以將輸入的模擬音頻信號(hào)，分離成高音，低音，中音等不同的成分，然后分別送入到相應(yīng)的高低中音喇叭單元中重放。之所以這樣做，是因?yàn)槿魏螁我焕榷疾豢赡芡昝赖膶⒙曇舻酶鱾€(gè)頻段完整的重放出來(lái)。
- 電容用來(lái)信號(hào)耦合，旁路（消除交流負(fù)反饋嗎，提高電路增益），防振，頻率補(bǔ)償?shù)取?/li>
- 在電源電壓低的電路中，由于交替地使用NPN，PNP，能夠有效的利用電源。
- 將每一個(gè)放大器的增益調(diào)到最大，將輸出信號(hào)反饋到輸入信號(hào)，即負(fù)反饋。電路的總的增益與每個(gè)放大器的增益無(wú)關(guān)，僅由調(diào)節(jié)反饋量的反饋元件決定。
- 負(fù)反饋電路：將輸出電壓或者輸出電流返回到輸入端部分，在外觀上減少自己本身的輸入電壓或者輸入電流來(lái)控制電路整體增益的電路
- 降低反饋電路的阻抗：是為了使電路低噪聲化有三種方法：使用低噪聲的放大器件；減少有電阻產(chǎn)生的熱噪聲，電路要進(jìn)行低阻抗化 ；為了減少噪聲的總功率，將頻帶邊窄。
- AD轉(zhuǎn)換過(guò)程是通過(guò)采樣、保持、量化編碼三個(gè)步驟完成的
- 采樣定理：采樣信號(hào)Vs表示模擬信號(hào)Vi必須滿(mǎn)足Fs》2Fimax式中，F(xiàn)s為采樣頻率，F(xiàn)imax為輸入信號(hào)最高頻率分量的頻率
- 并行AD轉(zhuǎn)換器的特點(diǎn)：* 轉(zhuǎn)換速度快* 8位并行的AD轉(zhuǎn)換器需要255個(gè)比較器
- 磁珠：磁珠專(zhuān)用于抑制信號(hào)線(xiàn)，電源線(xiàn)上的高頻噪聲和尖峰干擾，還具有吸收靜電脈沖的能力。磁珠有很高的電阻率和磁導(dǎo)率，等效電阻電感串聯(lián)，但電阻值和電感值都是隨著信號(hào)的頻率變化。
- 在單相整流電路中，選擇二極管的參數(shù)是關(guān)注：反向擊穿電壓和最大平均電流單相為0.45U2，橋式為0.9U2，如果加入電容，就是1.2U2
- 直接耦合放大電路的零點(diǎn)飄移現(xiàn)象：輸入為0 ，輸出不為0的現(xiàn)象成為零點(diǎn)飄移現(xiàn)象。零點(diǎn)飄移現(xiàn)象主要是因?yàn)槿龢O管的溫度飄移，而在阻容耦合的放大電路中，溫度飄移不會(huì)被下級(jí)放大，所以不是問(wèn)題
- 壓敏電阻的作用：* 限壓，過(guò)壓箝位* 過(guò)壓保護(hù)，防雷，抑制浪涌電流，吸收尖峰電流* 響應(yīng)時(shí)間為ns級(jí)，比空氣放電管快，比TVS稍微慢些
- 電力系統(tǒng)中性點(diǎn)接地：* 工作接地* 保護(hù)接地* 保護(hù)接零* 防雷接地* 防靜點(diǎn)接地。。
- PID各環(huán)節(jié)的作用：P比例環(huán)節(jié)：成比例反映控制系統(tǒng)的偏信號(hào)，偏差信號(hào)一旦產(chǎn)生，控制器立即產(chǎn)生控制作用，以減少偏差，快速性。I積分環(huán)節(jié)：主要用于消除靜差，提高系統(tǒng)的控制精度和無(wú)差度D微分環(huán)節(jié)：反映偏差信號(hào)的變化趨勢(shì)，并能在偏差信號(hào)變得過(guò)大之前，在系統(tǒng)中引入一個(gè)早期修正信號(hào)，從而加快系統(tǒng)的動(dòng)作速度，減少調(diào)節(jié)時(shí)間。
- 在高速數(shù)字系統(tǒng)中，傳輸線(xiàn)上的阻抗不匹配會(huì)引起信號(hào)反射，造成過(guò)沖，下沖，和振鈴等信號(hào)畸變。減小反射的方法是根據(jù)傳輸線(xiàn)的特性阻抗在其發(fā)送端串聯(lián)端使源阻抗與傳輸線(xiàn)阻抗匹配或者在接收端并聯(lián)端接負(fù)載阻抗與傳輸線(xiàn)的阻抗匹配。從而使源反射系數(shù)或者負(fù)載反射系數(shù)為零。常用的短接方式為：* 串聯(lián)端接* 簡(jiǎn)單的并聯(lián)端接* 戴維南端接* RC網(wǎng)絡(luò)端接
- 看門(mén)口的作用：看門(mén)狗是一個(gè)定時(shí)器電路，一般有一個(gè)輸入，叫喂狗。一個(gè)輸出到MCU的RST端,MCU正常工作的時(shí)候,每隔一端時(shí)間輸出一個(gè)信號(hào)到喂狗端,給 WDT 清零,如果超過(guò)規(guī)定的時(shí)間不喂狗,(一般在程序跑飛時(shí)),WDT 定時(shí)超過(guò),就回給出一個(gè)復(fù)位信號(hào)到MCU,是MCU復(fù)位. 防止MCU死機(jī). 看門(mén)狗的作用就是防止程序發(fā)生死循環(huán)，或者說(shuō)程序跑飛。STM32有2個(gè)看門(mén)狗：獨(dú)立看門(mén)狗和窗口看門(mén)狗。 獨(dú)立看門(mén)狗IWDG–獨(dú)立于系統(tǒng)之外，因?yàn)橛歇?dú)立時(shí)鐘，所以不受系統(tǒng)影響的系統(tǒng)故障探測(cè)器，主要用于監(jiān)視硬件錯(cuò)誤。 窗口看門(mén)狗WWDG----系統(tǒng)內(nèi)部的故障探測(cè)器，時(shí)鐘與系統(tǒng)相同。如果系統(tǒng)時(shí)鐘不走了，這個(gè)狗也就失去了作用了，主要用于監(jiān)視軟件錯(cuò)誤。 簡(jiǎn)單的講，看門(mén)狗就是檢測(cè)系統(tǒng)故障的，如果因?yàn)橄到y(tǒng)故障而沒(méi)有及時(shí)喂狗，則引發(fā)復(fù)位重啟。 18.通信電平的知識(shí)：并行總線(xiàn)：STD PC總線(xiàn) IEEE488總線(xiàn)串行總線(xiàn)：RS232 RS485 I2C SPI UART USB RS232是全雙工，RS485是半雙工的。RS232是1對(duì)1，RS485是1對(duì)多，RS485經(jīng)常采用的是主從方式，一個(gè)主的，若干從的，組成一個(gè)網(wǎng)絡(luò)。RS232是電平傳輸方式，且在RS232中的電平是這樣的，邏輯1：-3V~-15V 邏輯0: +3V~+15VRS484是差分方式傳輸，僅僅兩根線(xiàn)。RS485發(fā)送端的電平是邏輯1：兩線(xiàn)間的電壓差為+（2~6）V邏輯0：-（2~6）V接收端的電平是：(AB之間的電壓差)邏輯1：+200mv以上邏輯0：-200mv以上
- TTL電平：輸出高電平>2.4V 低電平<0.4V 如果加入噪聲容錯(cuò)，輸入高電平>+2V， 低電平<0.8VCMOS電平：輸出高電平U=Vcc 低電平U=GND 輸入高電平：U>0.7Vcc 低電平<U=0.2Vcc
- USB：電源線(xiàn)是+5V，為USB設(shè)備提供最大的電流是500mA，與數(shù)據(jù)線(xiàn)上的電平?jīng)]有關(guān)系，數(shù)據(jù)是差分信號(hào)d+和d-在+400mV~-400mV之間變化
- 晶體管的穿透電流ICEO 穿透電流是指晶體管基極開(kāi)路時(shí)，集電極到發(fā)射極間的反向截止電流。符號(hào)為Iceo ，稱(chēng)作三極管的穿透電流. 晶體三極管的穿透電流的大小隨溫度的升高而升高.通過(guò)測(cè)試Iceo的大小，就可以判斷出三極管質(zhì)量好壞。Iceo大的管子電流損耗大，溫度易升高，工作不穩(wěn)定。Iceo越小越好。在常溫下，小功率硅管在幾微安以下。 由于少數(shù)載流子受外界溫度影響，溫度升高穿透電流迅速增大，晶體管的穩(wěn)定性越差，噪聲系數(shù)及功耗也越大。當(dāng)制作高穩(wěn)定電路時(shí)，必須選用穿透電流小的晶體管。穿透電流是不可控制的電流，它增加了功率損耗，在溫度變化時(shí)它也變化，這個(gè)變化的電流送到負(fù)載就產(chǎn)生了隨溫度變化的噪聲。表征：該管溫度穩(wěn)定性好壞的參數(shù)
- 邏輯代數(shù)的三個(gè)原則：代入規(guī)則，反演規(guī)則 對(duì)偶規(guī)則
- 目前中國(guó)國(guó)內(nèi)使用的3G制式有3種，分別是WCDMA、CDMA2000、TD-SCDMA。中國(guó)聯(lián)通3G，W-CDMA（歐洲版）運(yùn)營(yíng)商：中國(guó)聯(lián)通中國(guó)電信3G，CDMA2000（美國(guó)版） 運(yùn)營(yíng)商：中國(guó)電信中國(guó)移動(dòng)3G，TD-SCDMA （中國(guó)版） 運(yùn)營(yíng)商：中國(guó)移動(dòng)
- 戴維南定理（Thevenin‘s theorem）：含獨(dú)立電源的線(xiàn)性電阻單口網(wǎng)絡(luò)N，就端口特性而言，可以等效為一個(gè)電壓源和電阻串聯(lián)的單口網(wǎng)絡(luò)。電壓源的電壓等于單口網(wǎng)絡(luò)在負(fù)載開(kāi)路時(shí)的電壓uoc；電阻R0是單口網(wǎng)絡(luò)內(nèi)全部獨(dú)立電源為零值時(shí)所得單口網(wǎng)絡(luò)N0的等效電阻。23 壓擺率簡(jiǎn)稱(chēng)SR（slew rate）也稱(chēng)轉(zhuǎn)換速率，是指輸入信號(hào)為階躍信號(hào)時(shí)，閉環(huán)放大器的輸出電壓時(shí)間變化率的平均值。（其實(shí)就是輸出電壓的轉(zhuǎn)換速率）單位V/s，V/ms，V/μs，反應(yīng)了運(yùn)放放大器在速度方面的指標(biāo)。一般來(lái)說(shuō)，壓擺率越高的運(yùn)放，其工作電流也越大，亦即耗電也大的意思。但壓擺率是高速運(yùn)放的重要指標(biāo)。
- 增益帶寬積（小信號(hào)的增益帶寬）衡量運(yùn)放性能的一個(gè)重要指標(biāo)，表示帶寬與增益的乘積，在頻率足夠大的時(shí)候，增益帶寬積是一個(gè)常數(shù)
- 電解電容為什么有極性？電解電容有極性，而聚酯薄膜電容、陶瓷電容、獨(dú)石電容都是沒(méi)有極性的。為什么電解電容有極性？電解電容的是用金屬箔（鋁/鉭）作為正電極，金屬箔的絕緣氧化層（氧化鋁/鉭五氧化物）作為電解質(zhì)，電解電容以其正電級(jí)的不同，分為鋁電解電容和鉭電解電容。鋁電解電容的負(fù)電極由浸過(guò)電解質(zhì)液（液態(tài)電解質(zhì)）的薄紙/薄膜或電解質(zhì)聚合物構(gòu)成；鉭電解電容的負(fù)電極采用二氧化錳。由于均以電解液作為負(fù)電極（注意區(qū)分電介質(zhì)），電解電容器因而得名。有極性的電解電容通常在電源電路或中頻、低頻電路中起到濾波，退耦，信號(hào)耦合以及時(shí)間常數(shù)設(shè)定、隔直通交等作用。金屬氧化物具有單向?qū)щ娦浴?/li>
- 電解電容和陶瓷電容的區(qū)別？ 電解電容的正級(jí)是用鋁帶卷成一個(gè)筒后，放在鋁殼內(nèi)。這種方法在獲得大容量對(duì)的同時(shí)，也帶來(lái)了很多缺陷。其中一個(gè)問(wèn)題就是電解電容的等效電感比較大。而瓷片電容是“平板”結(jié)構(gòu)的電容，簡(jiǎn)單的說(shuō)就是在兩個(gè)平行金屬片板上引出的腳，中間利用絕緣材料隔離形成電容。這種電容的容量小，但容量穩(wěn)定，而且等效電感比較小。一個(gè)元件用在什么場(chǎng)合，等效電感是一個(gè)重要的參數(shù)。從以上知，電解電容的等效電感較大，決定了它不能用于高頻場(chǎng)合，頻率越高電感的影響就越明顯。電解電容應(yīng)用的最大頻率一般為500KHz的場(chǎng)合，因此一般適用于低頻的濾波電路中。而瓷片電容的等效電感小，故可以應(yīng)用于高頻場(chǎng)合，工作頻率可以達(dá)到百兆以上，因此一般適用于高頻濾波電路。典型應(yīng)用是兩者結(jié)合，在電源的輸出端一個(gè)電解電容和一個(gè)瓷片電容并聯(lián)使用，即“高低搭配”，以取得更好的濾波效果。26. 電解電容和陶瓷電容的區(qū)別？ 電解電容的正級(jí)是用鋁帶卷成一個(gè)筒后，放在鋁殼內(nèi)。這種方法在獲得大容量對(duì)的同時(shí)，也帶來(lái)了很多缺陷。其中一個(gè)問(wèn)題就是電解電容的等效電感比較大。而瓷片電容是“平板”結(jié)構(gòu)的電容，簡(jiǎn)單的說(shuō)就是在兩個(gè)平行金屬片板上引出的腳，中間利用絕緣材料隔離形成電容。這種電容的容量小，但容量穩(wěn)定，而且等效電感比較小。一個(gè)元件用在什么場(chǎng)合，等效電感是一個(gè)重要的參數(shù)。從以上知，電解電容的等效電感較大，決定了它不能用于高頻場(chǎng)合，頻率越高電感的影響就越明顯。電解電容應(yīng)用的最大頻率一般為500KHz的場(chǎng)合，因此一般適用于低頻的濾波電路中。而瓷片電容的等效電感小，故可以應(yīng)用于高頻場(chǎng)合，工作頻率可以達(dá)到百兆以上，因此一般適用于高頻濾波電路。典型應(yīng)用是兩者結(jié)合，在電源的輸出端一個(gè)電解電容和一個(gè)瓷片電容并聯(lián)使用，即“高低搭配”，以取得更好的濾波效果。
- 高頻下瓷片電容1000pF和10μF的區(qū)別？在電容一定的條件下，頻率越高，越容易通過(guò)，即阻抗越小。 在頻率一定的條件下，電容越大，越容易通過(guò)，即阻抗越小。 解釋可以利用公式：X=1/(2πfc)27. 高頻下瓷片電容1000pF和10μF的區(qū)別？在電容一定的條件下，頻率越高，越容易通過(guò)，即阻抗越小。 在頻率一定的條件下，電容越大，越容易通過(guò)，即阻抗越小。 解釋可以利用公式：X=1/(2πfc)
- 功率放大器的分類(lèi)：甲類(lèi)：整個(gè)工作周期類(lèi)晶體管的集電極電流始終是流通的狀態(tài)。放大器的效率最低，但非線(xiàn)性失真相對(duì)較小。一般用于對(duì)失真比較敏感的場(chǎng)合，比如HIFI音響。乙類(lèi)：半個(gè)周期工作，半個(gè)周期截止。乙類(lèi)工作狀態(tài)又稱(chēng)為B類(lèi)狀態(tài)。兩只互補(bǔ)的晶體管推挽工作，效率比甲類(lèi)功放高，但存在交越失真的問(wèn)題。一般功率放大器都采用這種形式。甲乙類(lèi)：它是介于甲類(lèi)和乙類(lèi)之間的工作狀態(tài)，即晶體管工作周期大于半周期，這種功放的特性介于甲類(lèi)和乙類(lèi)之間。丙類(lèi)：晶體管的工作時(shí)間小于半個(gè)周期，丙類(lèi)一般用于高頻諧振的功放。丁類(lèi)：把聲音信號(hào)調(diào)制為PWM形式，晶體管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，輸出端通過(guò)LC濾波恢復(fù)信號(hào)波形，效率高，體積小，高頻特性差，用于小型電池供電以及要求高效率的場(chǎng)合。28功率放大器的分類(lèi)：甲類(lèi)：整個(gè)工作周期類(lèi)晶體管的集電極電流始終是流通的狀態(tài)。放大器的效率最低，但非線(xiàn)性失真相對(duì)較小。一般用于對(duì)失真比較敏感的場(chǎng)合，比如HIFI音響。乙類(lèi)：半個(gè)周期工作，半個(gè)周期截止。乙類(lèi)工作狀態(tài)又稱(chēng)為B類(lèi)狀態(tài)。兩只互補(bǔ)的晶體管推挽工作，效率比甲類(lèi)功放高，但存在交越失真的問(wèn)題。一般功率放大器都采用這種形式。甲乙類(lèi)：它是介于甲類(lèi)和乙類(lèi)之間的工作狀態(tài)，即晶體管工作周期大于半周期，這種功放的特性介于甲類(lèi)和乙類(lèi)之間。丙類(lèi)：晶體管的工作時(shí)間小于半個(gè)周期，丙類(lèi)一般用于高頻諧振的功放。丁類(lèi)：把聲音信號(hào)調(diào)制為PWM形式，晶體管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，輸出端通過(guò)LC濾波恢復(fù)信號(hào)波形，效率高，體積小，高頻特性差，用于小型電池供電以及要求高效率的場(chǎng)合。
- 同相比例放大器和反相比例放大器各有什么特點(diǎn)？ 1.同相放大器的最大的優(yōu)點(diǎn)就是輸入阻抗接近無(wú)窮大，常常作為電壓跟隨器使用，進(jìn)行隔離。反相放大器的最大的優(yōu)點(diǎn)是輸入端的正反相電位差接近為0，只存在差模信號(hào)，抗干擾能力強(qiáng)2.同相放大器的最大缺點(diǎn)是輸入沒(méi)有“虛地”，存在較大的共模電壓，抗干擾的能力較差，使用時(shí)，要求運(yùn)放有較高的共模抑制比。反相放大器的最大缺點(diǎn)是輸入的阻抗很小，等于信號(hào)輸入端的串聯(lián)電阻阻值。 3.同相運(yùn)算放大電路，引入的電壓串聯(lián)負(fù)反饋。反相運(yùn)算放大電路，引入的電壓并聯(lián)負(fù)反饋 4.同相和反相的輸出電阻都基本為0。因?yàn)橐肓松疃入妷贺?fù)反饋。5.共同遵循“虛斷”，“虛地”分析規(guī)則，也是電路的分析的手段
- 同相比例放大器和反相比例放大器各有什么特點(diǎn)？ 1.同相放大器的最大的優(yōu)點(diǎn)就是輸入阻抗接近無(wú)窮大，常常作為電壓跟隨器使用，進(jìn)行隔離。反相放大器的最大的優(yōu)點(diǎn)是輸入端的正反相電位差接近為0，只存在差模信號(hào)，抗干擾能力強(qiáng)2.同相放大器的最大缺點(diǎn)是輸入沒(méi)有“虛地”，存在較大的共模電壓，抗干擾的能力較差，使用時(shí)，要求運(yùn)放有較高的共模抑制比。反相放大器的最大缺點(diǎn)是輸入的阻抗很小，等于信號(hào)輸入端的串聯(lián)電阻阻值。 3.同相運(yùn)算放大電路，引入的電壓串聯(lián)負(fù)反饋。反相運(yùn)算放大電路，引入的電壓并聯(lián)負(fù)反饋 4.同相和反相的輸出電阻都基本為0。因?yàn)橐肓松疃入妷贺?fù)反饋。5.共同遵循“虛斷”，“虛地”分析規(guī)則，也是電路的分析的手段
- 晶振和時(shí)鐘芯片的區(qū)別？晶振是產(chǎn)生穩(wěn)定的頻率用的。不需輸入，頻率穩(wěn)定度由石英晶體決定。時(shí)鐘芯片是以輸入頻率做基礎(chǔ)，再依此作除頻、倍頻、pll等等，產(chǎn)生出處理器與主板各部分所需的頻率。它的輸出頻率穩(wěn)定度是由輸入頻率決定的。因此，時(shí)鐘芯片如要有精確、穩(wěn)定的輸出，就需要精確、穩(wěn)定的輸入，這就需要用到晶振了。30.晶振和時(shí)鐘芯片的區(qū)別？晶振是產(chǎn)生穩(wěn)定的頻率用的。不需輸入，頻率穩(wěn)定度由石英晶體決定。時(shí)鐘芯片是以輸入頻率做基礎(chǔ)，再依此作除頻、倍頻、pll等等，產(chǎn)生出處理器與主板各部分所需的頻率。它的輸出頻率穩(wěn)定度是由輸入頻率決定的。因此，時(shí)鐘芯片如要有精確、穩(wěn)定的輸出，就需要精確、穩(wěn)定的輸入，這就需要用到晶振了。
- 電感量和電感飽和的分析電感飽和的原因是因?yàn)殡娏鞯脑龃?，?dǎo)致磁場(chǎng)強(qiáng)度H增大，B值一定，則u磁導(dǎo)率減小，根據(jù)電感決定表達(dá)式：L=N^2us/l 所以L(fǎng)會(huì)急劇減小。因此，電感的飽和電流要大于正常工作的電流?？招木€(xiàn)圈結(jié)構(gòu)的電感可認(rèn)為不會(huì)飽和，帶鐵芯回路的電感存在飽和，電感L隨著磁路的飽和而變小電感繞組的等效匝數(shù)用N表示，等效磁路長(zhǎng)度用l表示，通入的電流為I，磁路的等效截面積為S，μ為磁導(dǎo)率，∅是磁通，B是磁感應(yīng)強(qiáng)度，H為磁場(chǎng)強(qiáng)度。31電感量和電感飽和的分析電感飽和的原因是因?yàn)殡娏鞯脑龃螅瑢?dǎo)致磁場(chǎng)強(qiáng)度H增大，B值一定，則u磁導(dǎo)率減小，根據(jù)電感決定表達(dá)式：L=N^2us/l 所以L(fǎng)會(huì)急劇減小。因此，電感的飽和電流要大于正常工作的電流?？招木€(xiàn)圈結(jié)構(gòu)的電感可認(rèn)為不會(huì)飽和，帶鐵芯回路的電感存在飽和，電感L隨著磁路的飽和而變小電感繞組的等效匝數(shù)用N表示，等效磁路長(zhǎng)度用l表示，通入的電流為I，磁路的等效截面積為S，μ為磁導(dǎo)率，∅是磁通，B是磁感應(yīng)強(qiáng)度，H為磁場(chǎng)強(qiáng)度。
- IIC需要接上拉電阻嗎？由于一些單片機(jī)IO口內(nèi)部設(shè)置了 上拉電阻，有些能力夠，可以不加，能力不夠的需要加。在這種情況下，要看單片機(jī)是否具有標(biāo)準(zhǔn)的IIC接口。如果單片機(jī)使用了標(biāo)準(zhǔn)IIC接口，那么接口在使能時(shí)，引腳將進(jìn)入漏極開(kāi)路模式，可以省去外部接入的上拉電阻。但如果是使用的單片機(jī)的引腳模擬IIC協(xié)議，就需要結(jié)合單片機(jī)的引腳是否支持漏極開(kāi)路模式或者上拉模式進(jìn)行判斷，一般是需要接入上拉電阻的。同時(shí)，加入上拉電阻可以起到保護(hù)作用，由于IIC接口在工作時(shí)，主要負(fù)責(zé)的是對(duì)高低電平檢測(cè)作用，一旦沒(méi)有了上拉電阻的保護(hù)而直接接電源，出現(xiàn)器件都拉低時(shí)，整個(gè)系統(tǒng)就非常危險(xiǎn)。根據(jù)IIC總線(xiàn)規(guī)范，總線(xiàn)在空閑是兩根線(xiàn)上必須都為高電平。本身無(wú)法輸出高電平，所以只能通過(guò)外接上拉實(shí)現(xiàn)。
- 內(nèi)存RAM和ROM之間的區(qū)別？1.ROM和RAM都是一種存儲(chǔ)技術(shù)，只是兩者原理不同，RAM為隨機(jī)存儲(chǔ)，掉電不會(huì)保存數(shù)據(jù)，而ROM可以在掉電的情況下，依然保存原有的數(shù)據(jù)。ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。本來(lái)的含義是：ROM是Read Only Memory的意思，也就是說(shuō)這種存儲(chǔ)器只能讀，不能寫(xiě)。而RAM是Random Access Memory的縮寫(xiě)。這個(gè)詞的由來(lái)是因?yàn)樵缙诘挠?jì)算機(jī)曾經(jīng)使用磁鼓作為內(nèi)存，而磁鼓和磁帶都是典型的順序讀寫(xiě)設(shè)備。RAM則可以隨機(jī)讀寫(xiě)。2.通俗的說(shuō)，比如在電腦中，大家都知道有內(nèi)存和硬盤(pán)之說(shuō)，其實(shí)內(nèi)存就是一種RAM技術(shù)，而ROM則類(lèi)似于硬盤(pán)技術(shù)，兩者都是存儲(chǔ)器，只是RAM的速度要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于ROM的速度，在電腦日常操作中，很多程序都將臨時(shí)運(yùn)行的程序命令，存放在內(nèi)存中，但一旦關(guān)機(jī)或者停電，內(nèi)存里原本臨時(shí)存儲(chǔ)的程序信息將全部被清空，也就是內(nèi)存只能臨時(shí)存儲(chǔ)東西，不能長(zhǎng)久保存，而ROM則可以存儲(chǔ)，即使掉電后也可以找到之前存儲(chǔ)的文件，這也就是硬盤(pán)了。3.ROM是只讀存儲(chǔ)器(Read-Only Memory)的簡(jiǎn)稱(chēng)，是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。其特性是一旦儲(chǔ)存資料就無(wú)法再將之改變或刪除。通常用在不需經(jīng)常變更資料的電子或電腦系統(tǒng)中，并且資料不會(huì)因?yàn)殡娫搓P(guān)閉而消失。4.隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(random access memory，RAM)又稱(chēng)作"隨機(jī)存儲(chǔ)器"，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器，也叫主存(內(nèi)存)。它可以隨時(shí)讀寫(xiě)，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。5.存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。 按照存儲(chǔ)單元的工作原理，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(英文:Static RAM，SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(英文Dynamic RAM，DRAM)。
- CMOS電路的功耗：動(dòng)態(tài)損耗、短路損耗、靜態(tài)功耗動(dòng)態(tài)損耗包括開(kāi)關(guān)損耗（反轉(zhuǎn)損耗），短路損耗（內(nèi)部損耗）開(kāi)關(guān)損耗：Pswitch=VDD^2Cloadf 它與電路的工作頻率成正比，與負(fù)載電容成正比，與電壓的平方成正比短路損耗：NMOS和PMOS管在某一時(shí)刻導(dǎo)通，這時(shí)就會(huì)出現(xiàn)電源到地的直流導(dǎo)通電流。靜態(tài)功耗：在CMOS電路中，靜態(tài)功耗主要是漏電流引起的功耗。對(duì)于常規(guī)CMOS電路，在穩(wěn)態(tài)時(shí)不存在直流導(dǎo)通電流，理想情況下靜態(tài)功耗為0，但是由于泄露電流的存在，使得CMOS電路的靜態(tài)功耗并不為0。CMOS泄露電流主要包括：反偏PN結(jié)電流和MOS管的亞閾值電流。所以靜態(tài)功耗主要由這兩部分組成。對(duì)于深亞微米MOS器件，還存在很多二級(jí)效應(yīng)引起的附加泄露電流。34.CMOS電路的功耗：動(dòng)態(tài)損耗、短路損耗、靜態(tài)功耗動(dòng)態(tài)損耗包括開(kāi)關(guān)損耗（反轉(zhuǎn)損耗），短路損耗（內(nèi)部損耗）開(kāi)關(guān)損耗：Pswitch=VDD^2Cloadf 它與電路的工作頻率成正比，與負(fù)載電容成正比，與電壓的平方成正比短路損耗：NMOS和PMOS管在某一時(shí)刻導(dǎo)通，這時(shí)就會(huì)出現(xiàn)電源到地的直流導(dǎo)通電流。靜態(tài)功耗：在CMOS電路中，靜態(tài)功耗主要是漏電流引起的功耗。對(duì)于常規(guī)CMOS電路，在穩(wěn)態(tài)時(shí)不存在直流導(dǎo)通電流，理想情況下靜態(tài)功耗為0，但是由于泄露電流的存在，使得CMOS電路的靜態(tài)功耗并不為0。CMOS泄露電流主要包括：反偏PN結(jié)電流和MOS管的亞閾值電流。所以靜態(tài)功耗主要由這兩部分組成。對(duì)于深亞微米MOS器件，還存在很多二級(jí)效應(yīng)引起的附加泄露電流。
- 在數(shù)字電路設(shè)計(jì)中，消除毛刺的方法是盡量采用同步電路，不使用組合邏輯電路做時(shí)鐘和復(fù)位信號(hào)。35.在數(shù)字電路設(shè)計(jì)中，消除毛刺的方法是盡量采用同步電路，不使用組合邏輯電路做時(shí)鐘和復(fù)位信號(hào)。
- 引入串聯(lián)反饋，閉環(huán)輸入電阻比原放大電路輸入電阻增大了約（1+AF）倍引入并聯(lián)反饋，閉環(huán)輸入電阻比原放大電路輸入電阻減小了約（1+AF）倍引入電壓反饋，閉環(huán)輸出電阻比原放大電路輸入電阻減小了約（1+AF）倍引入電流反饋，閉環(huán)輸出電阻比原放大電路輸入電阻增大了約（1+AF）倍 36.引入串聯(lián)反饋，閉環(huán)輸入電阻比原放大電路輸入電阻增大了約（1+AF）倍引入并聯(lián)反饋，閉環(huán)輸入電阻比原放大電路輸入電阻減小了約（1+AF）倍引入電壓反饋，閉環(huán)輸出電阻比原放大電路輸入電阻減小了約（1+AF）倍引入電流反饋，閉環(huán)輸出電阻比原放大電路輸入電阻增大了約（1+AF）倍
- 雙向二極管的作用？這是雙向穩(wěn)壓二極管，雙向二極管的正反兩個(gè)方向都有穩(wěn)壓作用,就如同兩個(gè)穩(wěn)壓二極管反向串連,它的兩端不論正反那個(gè)反向達(dá)到了穩(wěn)定電壓(既其中一個(gè)穩(wěn)壓極管)的反向擊穿電壓都可以使得其兩端電壓基本保持不變。主要的作用是過(guò)壓保護(hù)，保護(hù)USB不被高壓破壞。37.雙向二極管的作用？這是雙向穩(wěn)壓二極管，雙向二極管的正反兩個(gè)方向都有穩(wěn)壓作用,就如同兩個(gè)穩(wěn)壓二極管反向串連,它的兩端不論正反那個(gè)反向達(dá)到了穩(wěn)定電壓(既其中一個(gè)穩(wěn)壓極管)的反向擊穿電壓都可以使得其兩端電壓基本保持不變。主要的作用是過(guò)壓保護(hù)，保護(hù)USB不被高壓破壞
- USB2.0接口中電感的作用？加共模電感的作用主要是保證EMC測(cè)試能夠通過(guò)，不加共模電感測(cè)試信號(hào)都不好。單純的電感可以起到阻抗匹配的作用。38.USB2.0接口中電感的作用？加共模電感的作用主要是保證EMC測(cè)試能夠通過(guò)，不加共模電感測(cè)試信號(hào)都不好。單純的電感可以起到阻抗匹配的作用。
硬件工程師筆記
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- lbk8366618 2020-12-29 20:19積累積累再積累！聚沙成塔！回復(fù) 1條回復(fù)