定值電容模型
電容模型主要包括三種，分別為C、Cbreak和CAPACITOR，符號和參數(shù)分別如圖1和表1、表2、表3所示。C用于簡單直流、交流和瞬態(tài)仿真分析；Cbreak主要用于蒙托卡洛仿真分析和溫度分析；CAPACITOR主要用于高級仿真分析。電容名稱必須以C開頭，例如C1、Cs1、Cxx等等。
圖1 電容模型符號
表1 C電容模型
表2 Cbreak電容模型
表3 CAPACITOR電容模型
PSpice軟件根據(jù)電容器工作環(huán)境溫度T和兩端電壓V，結(jié)合模型參數(shù)值按照如下公式計(jì)算電容值：
其中為常溫，通過
設(shè)置中的
選項(xiàng)進(jìn)行設(shè)置。
如下為電容模型語句：
上述語句定義電容模型電壓和溫度系數(shù)，根據(jù)如下公式計(jì)算電容值：
電容模型與電阻模型測試電路相似，讀者按照電阻模型相關(guān)測試電路對電容模型進(jìn)行測試，此處不再贅述。
2 壓控電容模型Cvar建模
第一步：利用層電路建立測試電路，對模型功能進(jìn)行測試。
圖2 Cvar電壓控制電容層電路
圖3 Cvar模型測試電路
圖4 瞬態(tài)仿真設(shè)置
圖5 仿真波形
圖2為可變電容模型，由受控源和電阻、電容構(gòu)成。圖3為測試電路，電容由頻率1kHz、幅值1A的交流電流源驅(qū)動；可控電容由100uV恒壓源控制，即可控電容值為100uF，與實(shí)際100uF電容對比。圖4為瞬態(tài)仿真設(shè)置，仿真時(shí)間10ms，最大步長10us。圖5為仿真電壓波形，實(shí)際電容與可控電容電壓完全一致，實(shí)現(xiàn)電壓控制電容功能。