各位朋友大家好！周末悄然而至，你的周末又在加班嗎？話不多說，今天和大家談論一下功率半導體器件驅(qū)動的事情。由于水平有限，如有錯誤還需大家多多包涵。

       驅(qū)動電路有許多種，不同的應用場景驅(qū)動電路也各有不同，多數(shù)情況下，我們獲取知識的途徑是知網(wǎng)，我們看看，目前學者們對驅(qū)動電路的研究現(xiàn)狀。首先打開知網(wǎng)首頁，在搜索框中選擇關(guān)鍵詞，輸入“驅(qū)動電路”，來看看結(jié)果。一下子搜索出了5000多條信息。

       現(xiàn)在第三代寬禁帶半導體器件的快速發(fā)展，可以突破Si器件的極限，那么寬禁帶功率器件有諸多的優(yōu)點，如：開關(guān)頻率高、導通電阻小、寄生參數(shù)小等優(yōu)勢。驅(qū)動電路的性能要求也在逐漸的提高。下面看看，SiC驅(qū)動電路的研究。搜索發(fā)現(xiàn)，對寬禁帶半導體的研究也非常多，這里就不一一羅列介紹，有興趣的朋友可以自行查閱。

       這里主要跟大家談談，開關(guān)器件的仿真問題。功率器件開關(guān)過程分析起來比較復雜，通常實際情況我們往往做了簡化，尤其是在仿真軟件中，所有的器件都是理想器件，沒有寄生參數(shù)，那么如果仿真中不考慮這些參數(shù)，那么我們的仿真結(jié)果就很難與實際結(jié)果相一致，這里舉個例子吧，之前學習中從來就沒有注意過功率器件的開關(guān)過程，只是簡單的把開關(guān)比作為平時所見的開關(guān)。其實功率半導體器件開關(guān)過程中有許多的學問，比如密勒平臺電壓是怎么形成的？橋臂串擾如何產(chǎn)生的，又該如何抑制？如何減小驅(qū)動電路的功率損耗？等等。之前在仿真的時候從來就沒有考慮過寄生參數(shù)，前段時間注意到了這個問題，仿真過程中加入了寄生參數(shù)，仿真結(jié)果發(fā)生了明顯的改變。下面就分享一個MOS器件1MHz驅(qū)動仿真實驗，利用仿真軟件分別搭建了輸入200V，輸出400V、2.5A的Boost變換器。重點來看看驅(qū)動波形。開關(guān)管寄生電容全部考慮，這里驅(qū)動電路采用諧振驅(qū)動方式。密勒電容Cgd=80pF，仿真結(jié)果如下：

       圖中第一個波形是開關(guān)管驅(qū)動波形，第二個為輸出功率波形，與輸出電壓相同，只是數(shù)值不同。實驗中，通過改變Cgd數(shù)值發(fā)現(xiàn)，平臺持續(xù)時間也會隨之改變。至于具體怎么變化，怎么影響，有興趣的朋友可以自行研究或討論。高頻驅(qū)動中，如果驅(qū)動電路不做特殊考慮，那么電路的串擾也是一個十分重要的問題。

       驅(qū)動電路輸入電容Ciss和電路阻抗過大，在關(guān)斷過程中會造成圖中現(xiàn)象，導致開關(guān)管誤導通。加入串擾抑制電路后，可以很好的解決。

        加入抑制電路后，可以看到上述現(xiàn)象得到解決。

        下面再來看看軟開關(guān)Boost變換器中的功率開關(guān)管的仿真波形，參數(shù)條件和上述案例相同。

         1Mhz時，不考慮驅(qū)動電路串擾抑制。

       圖中可以看出驅(qū)動電路不滿足驅(qū)動要求，如果改變參數(shù)，驅(qū)動電路的干擾會發(fā)生不同的變化。加入串擾抑制電路后，仿真結(jié)果如下。

        圖中為開關(guān)管驅(qū)動波形和輸出電壓波形。

       圖中為諧振電感電流和電壓波形。

       串擾問題得到了很好的解決。

       仿真中發(fā)現(xiàn)，軟開關(guān)Boost變化器，開關(guān)管驅(qū)動波形中沒有了平臺電壓，這是由于什么原因造成的呢？這點十分困惑，哪位熱心朋友可以幫助解答？