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精華!離線反激電源變壓器設計全面解析--專題簡介
通用變壓器設計----如何選擇合適的磁芯
通用變壓器設計----確定原邊勵磁電感Lm
通用變壓器設計----確定匝數(shù)和線徑
變壓器設計基礎----繞制順序
變壓器設計基礎----繞制方式&最小漏感
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通用變壓器設計----確定原邊勵磁電感Lm

上一篇我們介紹了本系列第一篇如何選擇合適的磁芯。接著本文將討論變壓器關鍵參數(shù)之一----勵磁電感Lm。

為了確定初級側電感,應首先確定以下變量。 

- Pin:最大輸入功率

- fs : 開關頻率

- VDCmin : 最小直流母線電壓

- Dmax:最大占空比

- KRF : 紋波系數(shù),定義在最小輸入電壓和滿載條件下,如圖 4 所示。對于 DCM 操作,KRF = 1,對于 CCM 操作,KRF < 1。紋波系數(shù)與變壓器尺寸密切相關以及 MOSFET 電流的 RMS 值。盡管可以通過降低紋波系數(shù)來降低 MOSFET 中的傳導損耗,但紋波系數(shù)太小會迫使變壓器尺寸增加。綜合考慮效率和磁芯尺寸,通用輸入范圍設置KRF = 0.3-0.5,歐洲輸入范圍設置KRF = 0.4-0.8是合理的。同時,在尺寸最關鍵的低于 5W 的低功率應用的情況下,使用相對較大的紋波系數(shù)以最小化變壓器尺寸。在這種情況下,通常為通用輸入范圍設置 KRF = 0.5-0.7,為歐洲輸入范圍設置 KRF = 1.0。

peak-peak

DCM operation-DCM operation

EDC-EDC

圖 4. MOSFET 漏極電流和紋波系數(shù) (KRF)

對于給定的變量,初級側電感 Lm 為:

其中 VDCmin 是最小直流輸入電壓,Dmax 是最大占空比,Pin 是最大輸入功率,fs 是開關頻率,KRF 是紋波因數(shù)。

一旦確定了 Lm,就可以得到正常工作中 MOSFET 的最大峰值電流和 RMS 電流為

對于選定的磁芯,變壓器初級側避免磁芯飽和的最小匝數(shù)由下式給出

其中 Lm 是初級側電感,Iover 是逐脈沖電流限制水平,Ae 是磁芯的橫截面積,Bsat 是飽和磁通密度(以特斯拉為單位)。

如果逐脈沖電流限制水平大于電源設計的峰值漏極電流,則可能會導致變壓器尺寸過大,因為 Iover 用于確定最小初級側匝數(shù),如公式 (6) 所示 . 因此,需要選擇具有適當限流規(guī)格的控制IC 或通過增加紋波系數(shù)來調整接近 Iover 的峰值漏極電流,如圖 5 所示。 將 Ids 峰值設計為 Iover 的 70-80% 是合理的 考慮到 Iover 的瞬態(tài)響應和容差。

FPS(Iover)的逐脈沖限流

增加紋波系數(shù) (KRF)

降低初級側電感 (Lm)

圖 5. 調整峰值漏極電流

下一篇我們將介紹確定每路輸出的匝數(shù),未完待續(xù)~

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  • dy-icXFVvIG 2021-10-28 16:58
    大開眼界,真是好文
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  • appleY 2021-10-24 11:27
    Imos rms 通式應該是 : Irms = [(I1^2 + I2^2 + I1 * I2 ) * D/3 ] ^0.5 , I1 為斜坡電流的起始電流, I2為斜坡電流的終止電流 ,不管是在CRM還是CCM模式下; 另外紋波系數(shù)不是用Krp , ripple / peak ,斜坡與峰值的比值?
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