對于開關(guān)電源系統(tǒng)；

因?yàn)槿魏萎a(chǎn)品都要有電源來供電，此處沒有處理好一定會影響到其它的地方。

不論是什么產(chǎn)品-它的輻射或傳導(dǎo)主要由這個產(chǎn)品內(nèi)部的敏感器件造成的。

對于電源產(chǎn)品主要的EMC器件是：

開關(guān)MOS管、開關(guān)變壓器、輸出整流二極管。

從綜合角度來看，只要解決好這三個方面的協(xié)調(diào)問題EMC就不難搞定。

而解決EMC的方法概括來說就是：

消除干擾源、切除干優(yōu)傳導(dǎo)的途徑、疏導(dǎo)干擾源。

a.消除就是用將干擾源通過熱能的方式損耗掉，這種是制本的方式。 

b.切除干擾傳導(dǎo)的途徑就是將干擾向外傳遞的路徑切斷，

  使其無法向外干擾，也就是我們常做的濾波，屏蔽等方法。 

c.疏導(dǎo)干擾源這種就是將干擾源引到不是敏感的器件及位置上；

  如旁路，去藉，接地等方式。

如果對于EMC方面高效設(shè)計(jì)的細(xì)節(jié)可參考我的：

《開關(guān)電源：EMC-分析與設(shè)計(jì)》

我們來通過設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)來探討開關(guān)系統(tǒng)的EMI-輻射問題;

1.MOS管驅(qū)動電阻的設(shè)計(jì)對開關(guān)電源的輻射有比較大的影響；通過對方波及脈沖波的傅里葉變化，驅(qū)動電阻增大其諧波分量就會減少；開關(guān)電源要根據(jù)選擇的IC和MOS管的參數(shù)情況，一般情況下MOS的驅(qū)動電阻最好能大于或等于47R。降低驅(qū)動速度有利于改善MOS管與變壓器的輻射。如下圖：

  一般還有設(shè)計(jì)研發(fā)者，通過更改開關(guān)MOS器件來優(yōu)化EMI設(shè)計(jì)的。

門極電阻值的大小，會影響MOSFET上升與下降沿速度（tr,tf）RR主管上升；

RF主管下降；也就影響了干擾源的頻譜；F=1/(ЛTr)

MOS開關(guān)（DRV-f）速度就影響了干擾源源頭的大小，過慢的DRV-f就會增加了MOSFET的開關(guān)的損耗；這時候要注意開關(guān)器件的溫升是否符合標(biāo)準(zhǔn)了！

2.若輻射在30MHZ-80MHZ之間的設(shè)計(jì)裕量不夠，還可適當(dāng)?shù)卦黾覯OS管DS之間的電容值，以達(dá)到降低輻射量的效果。注意：這個電容我推薦要小于220PF；否則同樣要注意開關(guān)器件的溫升是否符合標(biāo)準(zhǔn)了！

3.在變壓器與MOS管D極之間如果能串入一個磁珠，也以降低MOS管電流的變化速度，這個設(shè)計(jì)可以降低上面的EMI輻射，提高設(shè)計(jì)裕量。推薦這個做法來解決開關(guān)MOS的溫升問題??！還有的可以調(diào)整上面的參數(shù)設(shè)計(jì)，三種手段同時施加；再配合我的：《開關(guān)電源：EMC的分析與設(shè)計(jì)》快速設(shè)計(jì)理論 可以輕松搞定開關(guān)電源的EMI的問題啦；

4.若在輸入AC線上套個磁環(huán)再繞上3圈，如果可以降低40-100MHZ之間輻射值；那么轉(zhuǎn)化在電路設(shè)計(jì)時，就可以在輸入EMI濾波部分中串入磁珠或采用如下方法增加磁珠就會達(dá)到同樣的效果。還有最簡單的方法是在L,N回路中分別加上兩個磁珠。

5.在輸出整流二極管上套磁珠，建議要把磁珠套在其電壓動點(diǎn)變化的地方，其放置在變壓器輸出接整流二極的地方；同時還要注意：次級輸出整流二極管的鉗位RC吸收電路，雖然di/dt比較小，但也盡量減少其環(huán)路面積，此環(huán)路對控制高頻的EMI也很關(guān)鍵。