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電源漫談
認(rèn)證:優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
作者動(dòng)態(tài)
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單極點(diǎn)系統(tǒng)的頻域分析和討論

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前述文章討論了電壓控制模式的BUCKCCM模式下的環(huán)路補(bǔ)償,其中補(bǔ)償器我們使用了三型補(bǔ)償器,它是由三個(gè)極點(diǎn)和兩個(gè)零點(diǎn)所組成的。我們這里來討論一下其中的基本單元,單極點(diǎn)系統(tǒng),以便對(duì)整個(gè)系統(tǒng)加深理解。

.單極點(diǎn)系統(tǒng)的電路結(jié)構(gòu)

典型單極點(diǎn)系統(tǒng)的電路如圖1所示,

圖1 典型單極點(diǎn)系統(tǒng)電路

如果您具有頻域變換的基本知識(shí),及運(yùn)放的基本性能的知識(shí),那么就可以推導(dǎo)出來其頻域傳遞函數(shù)如下圖2所示,

圖2 單極點(diǎn)系統(tǒng)頻域傳遞函數(shù)

基于這個(gè)傳遞函數(shù),我們將其整理成標(biāo)準(zhǔn)形式,如下圖3所示,可知這個(gè)系統(tǒng)的極點(diǎn)頻率為

,s=0,則求得其直流增益為

圖3 單極點(diǎn)系統(tǒng)頻域傳遞函數(shù)標(biāo)準(zhǔn)化

接下來我們來計(jì)算一下極點(diǎn)及畫出其Bode圖。

.Mathcad計(jì)算單級(jí)點(diǎn)系統(tǒng)頻域特性

圖4 單極點(diǎn)系統(tǒng)傳遞函數(shù)推導(dǎo)及電路參數(shù)定義

圖5 單極點(diǎn)系統(tǒng)極點(diǎn)及直流增益計(jì)算

如圖5所示,我們計(jì)算出極點(diǎn)轉(zhuǎn)折頻率為15.92k,直流增益為20db,因?yàn)槭菍?duì)數(shù)坐標(biāo),所以直流增益為10倍。

圖6 求解傳遞函數(shù)對(duì)應(yīng)的Bode圖

通過圖6所示等式,求解出傳遞函數(shù)對(duì)應(yīng)的Bode圖,并且顯示在對(duì)數(shù)頻率坐標(biāo)中。

圖7 單極點(diǎn)系統(tǒng)的增益曲線

通過增益曲線,我們可以看出來,低頻段它的直流增益為20db,在轉(zhuǎn)折頻率后逐步以20db/10倍斜率下降,并且在158.4k穿越0db線。

圖8 轉(zhuǎn)折頻率處的增益計(jì)算

在圖8所示的公式中,可以得出在轉(zhuǎn)折頻率處增益相比低頻降低了3db

圖9 單極點(diǎn)系統(tǒng)的相位曲線

圖10 轉(zhuǎn)折頻率處相位計(jì)算

我們計(jì)算了一下轉(zhuǎn)折頻率15.92k處的相位為134.992C,約為135C,證明從低頻處的180C開始,到轉(zhuǎn)折頻率處,相位降低了45C.注意,此處由于在傳遞函數(shù)中,我們考慮了負(fù)反饋帶來的180C相位變化,因此,相位在低頻處從180C開始下降。

同時(shí),我們計(jì)算了1/10轉(zhuǎn)折頻率,也就是1.592k處相位為174.288,接近180C,所以認(rèn)為相位是從1/10轉(zhuǎn)折頻率處就開始下降的了。

最后計(jì)算了10倍的轉(zhuǎn)折頻率處的相位,可以知道,在159.2k處相位降低到了95.709C,接近90C,所以認(rèn)為從轉(zhuǎn)折頻率開始算,相位又降低了45C,總相位降低了90C,這就是這個(gè)極點(diǎn)對(duì)應(yīng)的相位變化。

.單極點(diǎn)系統(tǒng)的SIMPLIS電路仿真

接下來我們?cè)诜抡孳浖序?yàn)證一下,這個(gè)單極點(diǎn)系統(tǒng)的頻率響應(yīng)。

圖11 單極點(diǎn)系統(tǒng)仿真原理圖

如圖11為我們的仿真原理圖,上述圖中,我們搭建了圖1中的電路圖,在輸入端施加了20mV小信號(hào)AC干擾源,同時(shí)添加了Bode圖測(cè)試儀,以便測(cè)試系統(tǒng)的Bode圖,以上連接可以測(cè)試信號(hào)從輸入電阻Rs左側(cè),到運(yùn)放輸出的小信號(hào)傳遞函數(shù)的性能。通過V2這個(gè)10k的周期性脈沖源來作為POP觸發(fā)的輸入信號(hào),這樣就可以順利的進(jìn)行小信號(hào)Bode圖測(cè)量了。

圖12單極點(diǎn)系統(tǒng)的仿真Bode圖

從圖12上的Bode圖測(cè)量值我們可以看出來,增益穿越0db136k,對(duì)應(yīng)的相位為88.67C,使用光標(biāo)測(cè)量得到的穿越頻率為151k,接近計(jì)算值。同時(shí)我們看出,此系統(tǒng)低頻增益為20db,符合我們計(jì)算的值。

圖13 單極點(diǎn)系統(tǒng)仿真結(jié)果轉(zhuǎn)折頻率測(cè)量

通過對(duì)轉(zhuǎn)折頻率,即3db增益點(diǎn)進(jìn)行光標(biāo)測(cè)量,則得到轉(zhuǎn)折頻率為14.15k,軟件測(cè)量得到值為13.8k。

 

.單極點(diǎn)系統(tǒng)的SIMPLIS數(shù)學(xué)模型仿真

SIMPLIS中,我們采用Laplace的數(shù)學(xué)模型去做一階極點(diǎn)仿真,原理圖如圖13所示。

圖14 一階極點(diǎn)數(shù)學(xué)模型Bode圖仿真

圖15 一階極點(diǎn)仿真數(shù)學(xué)模型參數(shù)設(shè)置

注意在這里,我們選擇沒有零點(diǎn),且單極點(diǎn)的形式,SIMPLIS的模型對(duì)應(yīng)的一階系統(tǒng)為

圖16 一階數(shù)學(xué)模型SIMPLIS標(biāo)準(zhǔn)形式

按照?qǐng)D14所示的形式,及第一部分定義的電路參數(shù),我們?cè)O(shè)置wp1100k,KPZ=-1M,F=1,如圖15所示。

圖17 一階極點(diǎn)數(shù)學(xué)模型仿真Bode圖

根據(jù)仿真結(jié)果,我們讀出轉(zhuǎn)折頻率為15.92k,增益穿越頻率為158.35k,低頻增益為20db,和Mathcad計(jì)算結(jié)果一致。

總結(jié),本文通過分析單極點(diǎn)系統(tǒng)的電路形式,Mathcad計(jì)算頻域傳遞函數(shù)對(duì)應(yīng)的Bode圖相關(guān)參數(shù),通過SIMPLIS仿真其電路形式對(duì)應(yīng)的頻域傳遞函數(shù)性能,最后用SIMPLIS數(shù)學(xué)模型進(jìn)行仿真驗(yàn)證單極點(diǎn)的Bode圖,通過本文更容易理解單極點(diǎn)系統(tǒng)的基本性能。

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