本次內(nèi)容主要談?wù)摴材ｑ詈?，EMC中數(shù)量可觀且極為棘手的問(wèn)題大都由共模引起，近端時(shí)間一直在研究共模問(wèn)題，有一點(diǎn)心得，跟大家一起分享。在抗擾度測(cè)試過(guò)程中，比如CBCI測(cè)試時(shí)，所有線束都會(huì)施加干擾信號(hào)，由于地線和其他線束的阻抗是不一樣的，共模干擾又會(huì)變?yōu)椴钅８蓴_，進(jìn)而影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性，我們以下圖為例：
當(dāng)有干擾信號(hào)施加在S1和GND兩根線束時(shí)，由于S1和GND兩根線束的阻抗不一樣，到達(dá)靠近IC1的電壓也是不一致的，共模轉(zhuǎn)換為差模干擾（如果S1和GND阻抗一致，那么到達(dá)IC1近端的電壓也是基本一致的，將不會(huì)對(duì)IC1獲得的電壓造成干擾），此時(shí)由于差模電容C的存在，可以抑制S1和GND形成的差模干擾信號(hào)，然后剩余的地線上的干擾信號(hào)仍然會(huì)沿著超前進(jìn)行傳播干擾，如果此時(shí)IC2沒(méi)有差模電容的存在，那么加在IC2上的差模電壓將會(huì)被太高Iext*Z0v(Iext為GND上流過(guò)的電流，Z0v為地線的阻抗)，從該公式可以看到，要想降低電壓乘積，那么降低地線阻抗將是較為理想的解決措施，所以對(duì)于BCI類的問(wèn)題，施加進(jìn)入的信號(hào)，傳播路徑包括，進(jìn)入IC1之前通過(guò)金屬外殼等平面回流路徑，穿過(guò)IC1，IC2，再通過(guò)金屬外殼等平面回流，GND線束上等同于S1信號(hào)線的路徑，對(duì)于IC1而言，為了降低對(duì)IC1的干擾，那么就需要通過(guò)增加電容對(duì)差模信號(hào)進(jìn)行濾波處理，而對(duì)于IC2，S1進(jìn)入IC2的電流已經(jīng)很小了，可以暫時(shí)忽略，重點(diǎn)考慮地線上電干擾，此時(shí)降低GND平面的阻抗則較為理想措施，當(dāng)然對(duì)于被干擾源來(lái)說(shuō)，增加自身的抗干擾性亦不失為一條合適措施。
在輻射類測(cè)試中，共模干擾的問(wèn)題也相對(duì)較為頭疼。共模干擾最為典型的產(chǎn)生方式是，差模信號(hào)通過(guò)地平面進(jìn)行回流，由于地平面阻抗的存在，地平面將會(huì)兩端形成壓差，同時(shí)相對(duì)大地也會(huì)形成電壓，會(huì)產(chǎn)生下圖偶極子天線的輻射效應(yīng)，進(jìn)而產(chǎn)生跟傳輸信號(hào)同方向的共模干擾。當(dāng)然對(duì)于共模干擾，還存在電壓驅(qū)動(dòng)型和磁耦合驅(qū)動(dòng)型。
共模干擾的形成需要兩個(gè)因素，一個(gè)是驅(qū)動(dòng)源，一個(gè)是等效天線，通過(guò)線束形成共模干擾是典型的存在，為了降低共模干擾，可以參考以下公式：E正比于f，I，L，反比于干擾距離R，可見(jiàn)如果干擾是由線束產(chǎn)生的，那么我們?nèi)绻麥p小線束的長(zhǎng)度，應(yīng)該可以降低RE輻射問(wèn)題，對(duì)待CE問(wèn)題，除了降低頻率，減小驅(qū)動(dòng)電流，降低線束長(zhǎng)度外，也可以增加差模濾波電容，增加共模電感，磁珠等方式。
對(duì)于硬件工程的EMC能力的提升，除了項(xiàng)目中的成長(zhǎng)以外，更多的需要多去看書中的，培訓(xùn)材料的實(shí)戰(zhàn)例子，自己要化作第一角色投入進(jìn)去，想想如果自己遇到這個(gè)問(wèn)題了，我的思路是什么，畢竟對(duì)于一個(gè)長(zhǎng)周期的項(xiàng)目而言，EMC只是存在其中一個(gè)環(huán)節(jié)，或許一年都沒(méi)有機(jī)會(huì)接觸EMC實(shí)驗(yàn)，而EMC能力的提升很依賴于在實(shí)驗(yàn)室中的成長(zhǎng)，很多方法只有嘗試了，才知道是否可行，可以反過(guò)來(lái)指導(dǎo)之前的學(xué)習(xí)。
最后，推薦一個(gè)EMC培訓(xùn)，適用于缺少一定實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)的，期望短時(shí)間內(nèi)提升EMC能力的，相對(duì)EMC實(shí)驗(yàn)室一個(gè)小時(shí)500元，自身能力的提升，對(duì)公司或者對(duì)個(gè)人都是一筆寶貴財(cái)富，能力提升了，才能升職加薪，讓自己立于不敗之地。
有需要的可以跟我聯(lián)系，謝謝。