本次內(nèi)容主要談?wù)摴材ｑ詈?，EMC中數(shù)量可觀且極為棘手的問題大都由共模引起，近端時間一直在研究共模問題，有一點心得，跟大家一起分享。在抗擾度測試過程中，比如CBCI測試時，所有線束都會施加干擾信號，由于地線和其他線束的阻抗是不一樣的，共模干擾又會變?yōu)椴钅８蓴_，進(jìn)而影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性，我們以下圖為例：

當(dāng)有干擾信號施加在S1和GND兩根線束時，由于S1和GND兩根線束的阻抗不一樣，到達(dá)靠近IC1的電壓也是不一致的，共模轉(zhuǎn)換為差模干擾（如果S1和GND阻抗一致，那么到達(dá)IC1近端的電壓也是基本一致的，將不會對IC1獲得的電壓造成干擾），此時由于差模電容C的存在，可以抑制S1和GND形成的差模干擾信號，然后剩余的地線上的干擾信號仍然會沿著超前進(jìn)行傳播干擾，如果此時IC2沒有差模電容的存在，那么加在IC2上的差模電壓將會被太高Iext*Z0v(Iext為GND上流過的電流，Z0v為地線的阻抗)，從該公式可以看到，要想降低電壓乘積，那么降低地線阻抗將是較為理想的解決措施，所以對于BCI類的問題，施加進(jìn)入的信號，傳播路徑包括，進(jìn)入IC1之前通過金屬外殼等平面回流路徑，穿過IC1，IC2，再通過金屬外殼等平面回流，GND線束上等同于S1信號線的路徑，對于IC1而言，為了降低對IC1的干擾，那么就需要通過增加電容對差模信號進(jìn)行濾波處理，而對于IC2，S1進(jìn)入IC2的電流已經(jīng)很小了，可以暫時忽略，重點考慮地線上電干擾，此時降低GND平面的阻抗則較為理想措施，當(dāng)然對于被干擾源來說，增加自身的抗干擾性亦不失為一條合適措施。

在輻射類測試中，共模干擾的問題也相對較為頭疼。共模干擾最為典型的產(chǎn)生方式是，差模信號通過地平面進(jìn)行回流，由于地平面阻抗的存在，地平面將會兩端形成壓差，同時相對大地也會形成電壓，會產(chǎn)生下圖偶極子天線的輻射效應(yīng)，進(jìn)而產(chǎn)生跟傳輸信號同方向的共模干擾。當(dāng)然對于共模干擾，還存在電壓驅(qū)動型和磁耦合驅(qū)動型。

共模干擾的形成需要兩個因素，一個是驅(qū)動源，一個是等效天線，通過線束形成共模干擾是典型的存在，為了降低共模干擾，可以參考以下公式：E正比于f，I，L，反比于干擾距離R，可見如果干擾是由線束產(chǎn)生的，那么我們?nèi)绻麥p小線束的長度，應(yīng)該可以降低RE輻射問題，對待CE問題，除了降低頻率，減小驅(qū)動電流，降低線束長度外，也可以增加差模濾波電容，增加共模電感，磁珠等方式。

對于硬件工程的EMC能力的提升，除了項目中的成長以外，更多的需要多去看書中的，培訓(xùn)材料的實戰(zhàn)例子，自己要化作第一角色投入進(jìn)去，想想如果自己遇到這個問題了，我的思路是什么，畢竟對于一個長周期的項目而言，EMC只是存在其中一個環(huán)節(jié)，或許一年都沒有機會接觸EMC實驗，而EMC能力的提升很依賴于在實驗室中的成長，很多方法只有嘗試了，才知道是否可行，可以反過來指導(dǎo)之前的學(xué)習(xí)。

最后，推薦一個EMC培訓(xùn)，適用于缺少一定實戰(zhàn)經(jīng)驗的，期望短時間內(nèi)提升EMC能力的，相對EMC實驗室一個小時500元，自身能力的提升，對公司或者對個人都是一筆寶貴財富，能力提升了，才能升職加薪，讓自己立于不敗之地。

有需要的可以跟我聯(lián)系，謝謝。