產(chǎn)品的系統(tǒng)架構(gòu)和控制算法在此就不再做介紹了，可以參考第一篇文章。今天繼續(xù)和大家分享調(diào)試過程中的踩坑。
踩坑8、保護的設(shè)置思路
大家應(yīng)該都知道，所有的電源都應(yīng)該具備保護功能，開關(guān)電源當(dāng)然也是一樣的。
先簡單聊聊器件損壞的原理，電容的損壞：電容最常見的就是過壓損壞，電容內(nèi)部的介質(zhì)擊穿，導(dǎo)致電容器內(nèi)部電路短路。電容的炸機聲音是最大的，絲毫都不遜色于MOS管。MOS管的損壞：mos管是開關(guān)電源調(diào)試過程中損壞頻率最高的器件，mos管的損壞直接原因一個就是過壓，一個就是過流。過壓一般是DS之間電壓過高擊穿DS，或者驅(qū)動用的不合理擊穿GS（通常調(diào)試的時候發(fā)生的比較少），最主要的還是過流損壞，其實過流體現(xiàn)的就是過溫，過溫最根本的原理有兩個，一個是溫度累計散不出去，還有就是di/dt太大。除了過流過壓，還有靜電等等（這里就不贅述了，如果大家還想了解電感、二極管、驅(qū)動芯片等等損壞的原因，我可以出一個專題講解）。我們保護的策略主要就是針對MOS進行的。
- 過壓保護策略
1）交流輸入過壓：過壓點設(shè)置270V（過壓后MCU記錄故障數(shù)據(jù)，發(fā)送給上位機）過壓恢復(fù)電壓260V。電壓正常后自動清楚過壓信息。
2）PFC輸出過壓保護：設(shè)置有軟件過壓（490V，持續(xù)時間100ms）、硬件過壓495V（即刻關(guān)斷輸出并報警），電容器我采用的500V（實際工作最高480V）
3）LLC輸出過壓保護：設(shè)置有軟件過壓（810V，持續(xù)時間100ms）、硬件過壓850V（即刻關(guān)斷輸出并報警），電容器我采用的兩組450V的串聯(lián)使用的，此處余量是比較大的（實際工作最高800V）
- 欠壓保護策略
1）交流輸入欠壓：過壓點設(shè)置170V（過壓后MCU記錄故障數(shù)據(jù)，發(fā)送給上位機）過壓恢復(fù)電壓180V。電壓正常后自動清楚過壓信息。
2）PFC輸出欠壓：PFC輸出電壓和對LLC的諧振工作點影響比較大（不然只需要設(shè)置一個固定值即可），所有此處PFC輸出欠壓點設(shè)置比較復(fù)雜些。實際電壓比目標電壓低20V，持續(xù)時間500ms觸發(fā)保護，電壓低20-100V之間，10-500ms線性時間觸發(fā)保護（為程序簡便，可以設(shè)置幾個點就可以）。
3）輸出欠壓保護：設(shè)置為180V（固定值，200V的90%）
- 輸入過流保護
1）輸入過流保護：軟件設(shè)置33A-50A（有效值），硬件過流保護（峰值80A）
軟件和硬件過流的策略還夾雜著追周期保護的策略，此處是踩坑最厲害的地方，可以參考我寫的系列文章續(xù)（4）http://www.e-ticket.cn/eestar/article-7486.html
2）LLC輸出過流保護：軟件保護21-30A，硬件過流保護32A，保護策略同輸入過流保護類似，20-30A之間線性500-10ms的保護時間，硬件過流保護直接關(guān)斷輸出。
其它的保護策略就不再這里啰嗦了，比如過溫保護策略也可參考我上一篇文章的溫度降額
總結(jié)：本文只是針對我這款產(chǎn)品的過欠壓和過流保護的策略做了介紹，這個也是我踩坑較多的地方，如果有更優(yōu)的方案歡迎大家一起討論。
申明：由于本人水平一般，分享的知識有誤或者采用的方案不夠好的，歡迎各路大神指正批評，給大家?guī)淼牟槐?，敬請諒解，本文觀點僅供參考。